检索结果-南通市图书馆

光斑尺寸对GaAs_(1-x)Bi_x光致发光谱线型的影响

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红外与毫米波学报 2019年第2期38卷 210-214页

作者：闫冰陈熙仁刘锋邵军上海师范大学数理学院上海200234 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence,PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)对GaAs_(1-x)Bi_x带尾能级探究的限制问题,基于傅里叶变换红外PL光谱实验系统对两个GaAs_(1-x)Bi_x外延膜开展变激发光斑尺寸PL光谱测试分析.结... 详细信息

针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence,PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)对GaAs_(1-x)Bi_x带尾能级探究的限制问题,基于傅里叶变换红外PL光谱实验系统对两个GaAs_(1-x)Bi_x外延膜开展变激发光斑尺寸PL光谱测试分析.结果表明,激发功率恒定时光斑直径增大导致PL峰位红移和线宽先降低后增大.这一现象是由于等效激发功率密度的降低而导致的.在保持激发功率密度为5. 1 W/mm2时,光斑增大不影响光谱线型但显著提升SNR.由此,低激发功率密度PL光谱的弱信号探测能力得以提高,有助光谱定量拟合分析.本工作表明,适当增大激发光斑尺寸有助于低激发功率密度PL光谱的SNR和弱信号分辨能力的提升.

关键词：光斑尺寸信噪比光致发光 GaAsBi

InPBi禁带下红外光致发光效率的Bi组分依赖研究

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红外与毫米波学报 2023年第6期42卷 731-736页

作者：杨自力王嫚余灯广朱亮清邵军陈熙仁上海理工大学材料与化学学院上海200093 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 华东师范大学物理与电子科学学院上海200241

稀Bi半导体InPBi的光致发光(Photoluminescence,PL)主要来自缺陷能级跃迁过程,具有红外长波长、大线宽和高辐射强度等特点,因而引发广泛兴趣。针对InPBi的红外发光效率问题,本文研究了不同Bi组分InPBi的激发功率依赖红外PL光谱演化规律... 详细信息

稀Bi半导体InPBi的光致发光(Photoluminescence,PL)主要来自缺陷能级跃迁过程,具有红外长波长、大线宽和高辐射强度等特点,因而引发广泛兴趣。针对InPBi的红外发光效率问题,本文研究了不同Bi组分InPBi的激发功率依赖红外PL光谱演化规律。实验发现,随着Bi组分增大,PL线型发生显著变化,导致发光波长总体红移;同时激发功率依赖的PL积分强度演化分析表明,发光效率随Bi组分先增大然后下降,在0.5%组分时发光效率达到峰值。发光效率增大一方面归因于Bi捕获空穴降低非辐射复合,另一方面来自Bi的表面活性剂效应;而高Bi组分引入过多缺陷从而抑制了Bi的优势,导致发光效率下降。这些结果或有助于理解InPBi的红外发射性能,表明InPBi具有红外光电子应用前景。

关键词：变激发功率 InPBi 光致发光效率

飞秒激光脉冲数对P型HgCdTe激光打孔成结效果的影响

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红外与毫米波学报 2016年第1期35卷 52-56页

作者：潘晨博陈熙仁公民戴晔邵军查访星上海大学理学院物理系上海200444 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

飞秒激光对p型Hg Cd Te打孔形成PN结.该实验基于1 k Hz低重复频率飞秒激光采用不同脉冲数在p型Hg Cd Te上打孔形成尺寸不同的微孔结构.实验发现脉冲数是影响成结效果的重要参数.激光诱导电流(LBIC)检测表明,随着脉冲数由单个增至10个,... 详细信息

飞秒激光对p型Hg Cd Te打孔形成PN结.该实验基于1 k Hz低重复频率飞秒激光采用不同脉冲数在p型Hg Cd Te上打孔形成尺寸不同的微孔结构.实验发现脉冲数是影响成结效果的重要参数.激光诱导电流(LBIC)检测表明,随着脉冲数由单个增至10个,微孔侧壁反型层宽度由13.5μm减小到10.5μm.当脉冲数增大至100个时,微孔LBIC信号曲线已严重偏离PN结所对应的正负峰对称线形,意味着结特性趋于失效.对LBIC曲线拟合表明,单脉冲打孔形成的PN结给出最大的载流子扩散长度,约为17μm,而10个脉冲对应的环孔PN结扩散长度则减小为12μm.

关键词：碲镉汞 PN结激光束诱导电流飞秒激光打孔

阱内δ掺杂GaSbBi单量子阱红外发光效率的光致发光光谱研究

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红外与毫米波学报 2022年第1期41卷 317-322页

作者：马楠窦程王嫚朱亮清陈熙仁刘锋邵军上海师范大学数理学院上海200234 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

采用变激发功率红外光致发光(Photoluminescence,PL)光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb_(0.93)Bi_(0.07)/GaSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)及其非掺杂SQW参考样品。通过分析GaSbBi SQW和GaSb势垒/衬底成分的PL强度演化,发现阱内δ掺杂导致红外辐射效率显著降低,相对下降幅度约为33%-75%。进一步分析结果表明,发光效率下降来源于界面恶化引发的“电子损失”和阱内晶格质量下降导致的“光子损失”的共同作用。这一工作有望为稀Bi红外发光器件的性能优化提供帮助。

关键词：红外光致发光 GaSbBi 发光效率阱内δ掺杂

磁光-光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级

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红外与毫米波学报 2017年第5期36卷 589-593页

作者：祁镇盛锋锋朱亮杨建荣陈熙仁邵军中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外材器中心上海200083

通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence,PL)光谱测量,发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试,... 详细信息

通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence,PL)光谱测量,发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试,获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明:(1)在不含Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布,并因此导致轻、重空穴带分裂;(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程.

关键词： CdZnTe单晶磁光光致发光光谱应力轻空穴

提高教师信息技术素养实现基础教育跳跃式发展

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江西科技师范学院学报 2003年第5期 133-134页

作者：陈熙仁广东省东莞师范学校广东东莞市523413

教师信息技术培训应着重于提高广大中小学教师的信息素养。文章提出信息技术培训的目标、内容以及课程分类办法,对信息技术培训的实施方案提出见解。

关键词：基础教育教师信息技术培训信息素养教育发展课程设计课程分类

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对教师信息技术培训的思考

教育信息技术 2004年第3期 21-23页

作者：陈熙仁东莞师范学校

信息化建设能否取得预期效果的决定性因素就在于广大中小学教师的信息素养的高低。我认为在经过以普及中小学教师的计算机使用水平为目的培训之后，下一阶段的教师信息技术培训应着重于提高广大中小学教师的信息素养。下面是笔者对教师... 详细信息

信息化建设能否取得预期效果的决定性因素就在于广大中小学教师的信息素养的高低。我认为在经过以普及中小学教师的计算机使用水平为目的培训之后，下一阶段的教师信息技术培训应着重于提高广大中小学教师的信息素养。下面是笔者对教师信息技术培训的一点思考。

关键词：教师信息技术培训信息素养多媒体超媒体

Authorware中多空文本输入的实现——Eval与Evalassign函数应用一例

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中小学电教（综合） 2003年第2期 43-44页

作者：陈熙仁东莞师范学校广东东莞523413

在利用Authorware制作交互型课件时,常常需要学生填空。当一个页面有多处空格而非一个空格需要填入,而且不限填入顺序时(如允许学生先填后面的空,或只填会填的空),仅用文本输入交互就不能实现。因为,对于在同一个交互图标下的文本输入... 详细信息

在利用Authorware制作交互型课件时,常常需要学生填空。当一个页面有多处空格而非一个空格需要填入,而且不限填入顺序时(如允许学生先填后面的空,或只填会填的空),仅用文本输入交互就不能实现。因为,对于在同一个交互图标下的文本输入交互而言,文本输入框始终在同一位置,而且同样大小。这时,利用Eval与Evalassign两个函数、结合按键交互,就可以有效地解决这个问题。学生只需用方向键将输入提示光标移到所需的任一空格处,输入所需内容即可。

关键词： Authorware 多空文本输入 Eval Evalassign 函数应用课件制作计算机

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对教师信息技术培训的思考

培训与研究（湖北教育学院学报） 2003年第6期20卷 83-85页

作者：余娟陈熙仁广东省东莞师范学校广东东莞523413

教师信息技术培训应着重于提高广大中小学教师的信息素养 ,培训课程的设计应分层次、模块化。

关键词：中学小学教师培训信息技术课程设计信息素养