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中温烧结改性BaTiO_3陶瓷的介电性能与显微结构

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硅酸盐通报 1990年第6期9卷 20-24页

作者：靳正国陈湘渝天津大学材料科学与工程系

本文以CdO、Bi_2O_3、Nb_2O_5为添加剂对BaTiO_3陶瓷加以改性。通过变化组成,在中温范围考查了BaTiO_3基瓷料的介电温度特性,比较了显微结构的变化。获得具有X7R温度特性的瓷料,介电常数为2100,tgδ在1～2%范围,绝缘电阻率为10^(11)～10... 详细信息

本文以CdO、Bi_2O_3、Nb_2O_5为添加剂对BaTiO_3陶瓷加以改性。通过变化组成,在中温范围考查了BaTiO_3基瓷料的介电温度特性,比较了显微结构的变化。获得具有X7R温度特性的瓷料,介电常数为2100,tgδ在1～2%范围,绝缘电阻率为10^(11)～10^(12)Ω·cm。这种瓷料适用于制造独石电容器。

关键词：陶瓷 BaTiO3 介电结构烧结改性

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论自甘风险

论自甘风险

作者：陈湘渝山东大学

学位级别：硕士

自甘风险作为一个古老的抗辩事由,在18、19世纪西方工业化时期蓬勃发展,成为雇主免除其工伤事故责任的抗辩事由。随着社会经济政策的调整以及法律观念的变迁,该规则在雇佣领域遭到摒弃的同时,却在侵权法其他领域得到多方面的适用,法院... 详细信息

自甘风险作为一个古老的抗辩事由,在18、19世纪西方工业化时期蓬勃发展,成为雇主免除其工伤事故责任的抗辩事由。随着社会经济政策的调整以及法律观念的变迁,该规则在雇佣领域遭到摒弃的同时,却在侵权法其他领域得到多方面的适用,法院在判决的过程中也赋予了它更多的含义。虽然在比较过失原则的冲击下引发了该规则各种类型存废的争议,但它在某些领域仍具有不可替代性,并在实践中得到证明。我国对此并无相关法律,但在实务中却时有法官援引该规则进行裁判的情况发生。我国是一个成文法国家,这样的法官造法是危险的,但由此也说明了移植该制度的现实性与必要性。由于我国的立法空白,以及理论研究的缺少,在实践中处理相关问题时经常出现概念认识不清、性质定位模糊的情况。就以自甘风险得到普遍适用的体育侵权领域为例,这类案件在我国经常作为受害人同意来处理,模糊了自甘风险与受害人同意之间的界限。这不仅不利于责任的合理分配,也不利于当事人合法权益的维护。本文将较为全面的分析自甘风险的基本理论,对其适用范围进行清楚的确定。在借鉴国外成熟经验和先进制度的基础上结合我国的实际,作出制度设计。论文主体部分共分三章,内容简介如下：第一章首先是从发展史、构成要件及类型几个方面对自甘风险进行概述,并对其定义进行分析界定。以便能在发展史的沉浮中观其前景,在要件的构成中究其本质,在类型的区分中取其精华。本章梳理自甘风险的基本内容,也意在使读者对自甘风险有一个较为全面的了解,为后文的阐述做铺垫。第二章重点对自甘风险行为的主体、客体和意思表示三个要素进行分析。主要通过相关案例及立法,对自甘风险受限的适用主体以及具有适用倾向性的领域进行具体分析,并在第一章类型概述的基础上进一步解读自甘风险的意思表示。对自甘风险适用范围的界定,一方面是在肯定自甘风险规则适用的可操作性和存在的必要性,另一方面也是对自甘风险规则滥用的否定。第三章是整篇论文的落脚点。该章在借鉴他国立法和实践经验的基础上,肯定自甘风险规则的存在价值和现实意义,论证了我国构建自甘风险制度的可行性,并为该制度的构建提出具体的立法建议。

关键词：自甘风险明示自甘风险默示自甘风险侵权行为制度构建

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5MHz单片式硅酸镓镧晶体滤波器

5MHz单片式硅酸镓镧晶体滤波器

作者：陈湘渝电子科技大学

学位级别：硕士

现代电子应用的很多领域,为了提高或完善整机系统的性能,对电子设备的性能提出了越来越高的要求。对滤波器来说,要求体积更小、带宽更宽、稳定性更好。传统的石英晶体(Quartz Crystal)滤波器已经不能满足这些要求,因此需要寻找一种机电... 详细信息

现代电子应用的很多领域,为了提高或完善整机系统的性能,对电子设备的性能提出了越来越高的要求。对滤波器来说,要求体积更小、带宽更宽、稳定性更好。传统的石英晶体(Quartz Crystal)滤波器已经不能满足这些要求,因此需要寻找一种机电耦合系数更高、温度性能更好的新型压电材料。最近研究表明,硅酸镓镧(Langasite,分子式为La3Ga5SiO14,以下简称LGS)晶体具有以上性质,在一些重要的应用中能取代石英晶体,满足整机系统的需求。LGS晶体的机电耦合系数介于石英和钽酸锂晶体之间,适合制作相对带宽为0.3%～0.8%的滤波器。而且Y切-3o的LGS晶体还具有零温度系数,具有良好的频率温度稳定性。本文对单片LGS晶体滤波器的研制和生产工艺进行了创新性探索和研究,主要内容如下:(1)详细研究了Y切LGS晶体切角与频率温度特性关系,找到一种切向满足频率温度性好,机电耦合系数大的LGS晶体。(2)详细研究了单节LGS晶体滤波器的晶片尺寸、电极尺寸、电极厚度和电极间距等参数设计方法,研究了三节级联的单片LGS晶体滤波器的设计方案。(3)详细研究了单片LGS晶体滤波器的生产工艺。(4)研究了单片LGS晶体滤波器的可靠性设计方案。通过以上研究,研制出的这种单片LGS晶体滤波器,它的技术指标是:中心频率为5MHz,3dB带宽为20KHz,带内波动小于0.5dB,阻带抑制大于80dB,矩形系数(B75/B3)小于3,阻抗1200?,体积只有32mm×12mm×8mm,工作温度范围为-55～125℃。实验证明,LGS晶体能够方便的实现相对带宽较宽、频率温度稳定性好、体积小的晶体滤波器,具有广泛的应用价值。

关键词：晶体滤波器硅酸镓镧频率温度特性机电耦合系数

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信息技术时代下山西左权民歌的传承分析研究

信息技术时代下山西左权民歌的传承分析研究

作者：陈湘渝中北大学

学位级别：硕士

本文所研究的问题属于信息技术时代下左权民歌的传播实践。研究之出发点是左权民歌当代传承方式的局限性与传承渠道的现代性机遇。研究的基本构想和思路是:以“传唱”来“传承”、以“编创”来“发展”、以“多元”来“创新”。三者相... 详细信息

本文所研究的问题属于信息技术时代下左权民歌的传播实践。研究之出发点是左权民歌当代传承方式的局限性与传承渠道的现代性机遇。研究的基本构想和思路是:以“传唱”来“传承”、以“编创”来“发展”、以“多元”来“创新”。三者相辅相成,相互融合,以传承“助”发展、以发展“兴”创新、以创新“保”传承。研究在资料调查和文献查阅的基础,结合多学科综合分析的方式,清整出信息时代下左权民歌时下传承的境况。诠释其当代特质及传播的局限性,并据此进而建白信息时代下左权民歌传承的措施策略。该文中心的理论来源于:传播学、音乐学、艺术学理论、左权民歌文化、信息技术等方面。全文总体来说,主要包括了以下三个章节:第一章,简要地梳理了左权民歌的发展概况,包括左权民歌的定义与分类,其发展历程与生长环境,列举了左权民歌常见的几种自然传播形态。第二章,主要研究信息技术时代下左权民歌的现代媒介传播、传播时存在的困境与机遇。包括“信息技术时代下左权民歌的现代媒介传播”、“信息技术时代下左权民歌的传播困境”以及“信息技术时代下左权民歌传播的局限与机遇”三个部分。第三章,为信息技术时代下左权民歌传播的行动策略探析。传承分析策略则主要包括了静态、动态、活态这几方面:“静态保护——建立左权民歌数据库”、“动态推广——移动端结合视唱自动评价系统”、“活态传承——用软件辅助改编左权民歌作品”。同时亦提出开发与保护相结合,增强文化内涵、加强社会宣传力度,培育文化意识、积极培养民歌人才,增加文化底蕴等行为策略。

关键词：左权民歌信息技术传承发展数据库视唱

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低压压敏电阻

压电与声光 1992年第1期14卷 20-24页

作者：余承杰陈湘渝四川压电与声光技术研究所

本文概括了目前低压压敏电阻发展动态,并介绍了本所制备的击穿电压在5—20V的低压氧化锌压敏电阻的电性能。

关键词：氧化锌压敏电阻低压电阻

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低电压氧化锌压敏电阻器

压电与声光 1997年第5期19卷 325-327页

作者：陈湘渝余承杰何峰四川压电与声光技术研究所

评述了实现氧化锌压敏电阻器低压化的一些有效途径。介绍一种采用传统电子陶瓷制造工艺，通过添加少量晶粒促进剂和锌锑尖晶石来制备低压氧化锌压敏电阻器的方法及原理，达到的主要结果是压敏电压４Ｖ，非线性系数大于１５，通流量２０... 详细信息

评述了实现氧化锌压敏电阻器低压化的一些有效途径。介绍一种采用传统电子陶瓷制造工艺，通过添加少量晶粒促进剂和锌锑尖晶石来制备低压氧化锌压敏电阻器的方法及原理，达到的主要结果是压敏电压４Ｖ，非线性系数大于１５，通流量２００Ａ。

关键词：氧化锌压敏电阻电位梯度添加剂电阻器

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小型化宽带钽酸锂晶体滤波器

压电与声光 2011年第3期33卷 386-389页

作者：陈湘渝周哲彭胜春中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

介绍比较了钽酸锂（LiTaO3,简称LT）晶体和其他几种常用压电体波材料的物理特性,并从电路结构设计、寄生和谐波抑制及温度性能等方面详细介绍了单片钽酸锂晶体滤波器的设计方法并根据该方案设计了一种11.2 MHz单片式晶体滤波器。结果表... 详细信息

介绍比较了钽酸锂（LiTaO3,简称LT）晶体和其他几种常用压电体波材料的物理特性,并从电路结构设计、寄生和谐波抑制及温度性能等方面详细介绍了单片钽酸锂晶体滤波器的设计方法并根据该方案设计了一种11.2 MHz单片式晶体滤波器。结果表明,钽酸锂晶体能方便地实现相对带宽0.8%~4.0%、频率温度稳定性好、体积小的宽带晶体滤波器,具有广泛的应用价值。

关键词：单片晶体滤波器钽酸锂小型化宽带能陷机电耦合系数

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四极点LGS晶体滤波器的研制

压电与声光 2010年第2期32卷 240-242页

作者：陈湘渝彭胜春周哲四川压电与声光技术研究所重庆400060

介绍了了一种四极点单片式硅酸鎵镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体滤波器的设计方法。该滤波器中心频率为5 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55^+125℃,体积只有32.0 mm×16.0 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体能实现相对带宽为0.3%~0.8%,频率... 详细信息

介绍了了一种四极点单片式硅酸鎵镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体滤波器的设计方法。该滤波器中心频率为5 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55^+125℃,体积只有32.0 mm×16.0 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体能实现相对带宽为0.3%~0.8%,频率温度稳定性好,体积小的晶体滤波器,具有广泛的应用价值。

关键词：单片晶体滤波器硅酸镓镧(LGS) 频率温度特性机电耦合系数

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单片硅酸镓镧晶体滤波器的研制

压电与声光 2011年第2期33卷 214-217页

作者：陈湘渝彭胜春余欢周哲中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

比较了几种压电晶体的物理性质,采用硅酸镓镧（La3Ga5SiO14,LGS）晶体材料设计了一种6极点单片晶体滤波器。该滤波器中心频率为4.8 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55~125℃,体积仅32.2 mm×12.6 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体温度... 详细信息

比较了几种压电晶体的物理性质,采用硅酸镓镧（La3Ga5SiO14,LGS）晶体材料设计了一种6极点单片晶体滤波器。该滤波器中心频率为4.8 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55~125℃,体积仅32.2 mm×12.6 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体温度性能好,机电耦合系数高,适合制作中等带宽的晶体滤波器,该研究填补了国内该领域的空白。

关键词：单片晶体滤波器硅酸镓镧频率温度特性机电耦合系数