检索结果-南通市图书馆

光电子技术 1991年第2期11卷 1-13页

作者：陆懋权

本文叙述了国外基于Spindt阴极场致发射器件一些新近的构思与进展。较详细涉及到的这些器件包括:场致发射阵列场效应晶体管、场致发射阴极X波段调谐放大器、微米级真空管、吉赫微波管以及真空荧光平板显示部件。

关键词：场致发射器件阴极真空器件

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微波单片集成电路T／R组件

固体电子学研究与进展 1996年第3期16卷 241-248页

作者：陆懋权刘自明南京电子器件研究所

简要述评用于有源阵列雷达微波单片集成电路Ｔ／Ｒ组件近两年来的进展，介绍由这些组件构成的反火炮雷达天线，并展望组件在军民两方面的应用前景。

关键词：微波单片集成电路 T/R组件有源阵列雷达天线

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毫米波半导体器件发展现状

半导体杂志 1991年第4期16卷 18-32页

作者：陆懋权

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毫米波功率合成

半导体技术 1983年第1期 56-61页

作者：陆懋权

一、前言毫米波系统经历长期缓慢的发展以后,近几年来获得迅速进步。目前正在研制各式各样的系统,例如跟踪雷达,导弹寻的器、辐射计及短程通信等。与微波系统和电光系统相比,毫米波系统有许多优点。比之前者,体积小、重量轻、精度好... 详细信息

一、前言毫米波系统经历长期缓慢的发展以后,近几年来获得迅速进步。目前正在研制各式各样的系统,例如跟踪雷达,导弹寻的器、辐射计及短程通信等。与微波系统和电光系统相比,毫米波系统有许多优点。比之前者,体积小、重量轻、精度好、分辨率高、天线尺寸小;比之后者(或是红外系统)穿透云、烟和灰尘的能力大为改善。另外,在毫米波段,由于频率随大气衰减的特点,产生了各种独特的应用,例如,62GHz附近的高吸收线可用来进行保密通信,而中心频率在35、94、140及230GHz附近的低衰减窗口,则可用来大大增加通信的信息容量。

关键词：合成器极管传输线谐振腔馈电设备功率合成技术毫米波段

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一种由实验数据较准确计算内建电势的方法

Journal of Semiconductors 1980年第1期 76-80页

作者：陆懋权南京固体器件研究所

内建电势是金属-半导体接触和P-N结半导体的基本物理参数之一.虽然理论上已对Ge、Si及GaAs等材料在单边突变结和线性缓变结两种特殊情况下给出内建电势的近似值,但对实际情形,总还需要通过实验确定.无论是测量 P-N结半导体或是金属-半... 详细信息

内建电势是金属-半导体接触和P-N结半导体的基本物理参数之一.虽然理论上已对Ge、Si及GaAs等材料在单边突变结和线性缓变结两种特殊情况下给出内建电势的近似值,但对实际情形,总还需要通过实验确定.无论是测量 P-N结半导体或是金属-半导体的内建电势,通常都是采用电容-电压法.并且迄今仍在应用.这种方法,首先是将测得的C-V数据在图上画出1/C2与V的关系,然后按外推法求出内建电势.方法虽然较简单,但不精确.即使杂质浓度分布非常均匀,可是由于其它方面的因素影响,往往并不能获得1/C2随V变化的直线关系.此外,对被测样品的反向特性的要求还必须

关键词：电势近似值外推法突变结数值分析电容测试仪实验数据

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砷化镓数字集成电路现状及趋向

电子技术 1985年第10期 12-14+43页

作者：陆懋权南京固体器件研究所

虽然目前硅集成技术已开始朝着甚高速集成电路的方向前进,但它毕竟要受到其自身电学性能的限制.与硅相比,砷化镓材料具有较高的低场迁移率,在相当小的电场下即出现速度饱和;易于获得半绝缘特性的衬底,而且受激载流子的寿命短.因此,砷化... 详细信息

虽然目前硅集成技术已开始朝着甚高速集成电路的方向前进,但它毕竟要受到其自身电学性能的限制.与硅相比,砷化镓材料具有较高的低场迁移率,在相当小的电场下即出现速度饱和;易于获得半绝缘特性的衬底,而且受激载流子的寿命短.因此,砷化镓器件中的串联电阻低;平均载流子速度高;工作电压低

关键词：数字集成电路功耗毫瓦栅长毫微秒存取时间 FET 微微秒门阵列或非门夹断电压乘法器肖特基栅

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半导体技术在军用雷达上的应用(续)

半导体技术 1993年第5期9卷 22-26,60页

作者：刘自明陆懋权田尔文张汝进盛柏桢电子部第55研究所

5.1.1 信号取样及离散与连续信号快速变换雷达信号数字处理已十分普遍.模/数转换器、集成电路技术的进展,及快速付里叶算法的出现,已使产生数字信号并对其进行滤波变成实时数字处理,其优点具有更高的稳定性、重复性和灵活性.以一种适当... 详细信息

5.1.1 信号取样及离散与连续信号快速变换雷达信号数字处理已十分普遍.模/数转换器、集成电路技术的进展,及快速付里叶算法的出现,已使产生数字信号并对其进行滤波变成实时数字处理,其优点具有更高的稳定性、重复性和灵活性.以一种适当速率对某种信号取样,并根据取样方式,信号能随时还原.若信号带宽限为B赫,则可以每秒2B取样率便不会丢失信息,根据信号取样计算频谱,导致离散付里叶变换.

关键词：军用雷达半导体技术应用

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半导体技术在军用雷达上的应用

半导体技术 1993年第4期9卷 7-20页

作者：刘自明陆懋权田尔文张汝进盛柏桢电子部第55研究所南京210016

本文对相控阵雷达中的关键半导体技术—T/R组件的重点MMICT/R组件、固态发射机与微波功率晶体管及高速大容量信号处理与VHSIC等三个方面进行了综述评论.

关键词：军用雷达半导体技术雷达应用

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微波和毫微波半导体分立器件的发展动向

上海半导体 1991年第2期 46-51,11页

作者：盛柏桢陆懋权

基于高阶谐波控制的倾转旋翼近场气动噪声主动控制试验

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航空学报 2024年第9期45卷 229-239页

作者：马锦超陆洋王亮权宋奎辉无锡职业技术学院机械工程分院无锡214121 南京航空航天大学直升机旋翼动力学重点实验室南京210016 中国空气动力研究与发展中心旋翼空气动力学重点实验室绵阳621000

倾转旋翼飞行器的桨尖靠近机身,其近场气动噪声问题严重,理论研究表明,高阶谐波控制能够调整桨盘载荷分布,从而降低倾转旋翼对机身表面的气动噪声辐射。通过试验研究验证了高阶谐波控制(HHC)对倾转旋翼飞行器近场气动噪声的抑制效果。... 详细信息

倾转旋翼飞行器的桨尖靠近机身,其近场气动噪声问题严重,理论研究表明,高阶谐波控制能够调整桨盘载荷分布,从而降低倾转旋翼对机身表面的气动噪声辐射。通过试验研究验证了高阶谐波控制(HHC)对倾转旋翼飞行器近场气动噪声的抑制效果。研制了一套用于模型倾转旋翼的HHC伺服控制系统,及倾转旋翼飞行器缩比机身模型;进一步在消声室环境下搭建了倾转旋翼飞行器近场气动噪声主动控制的HHC主动控制试验系统,开展了直升机模式下的噪声主动控制试验研究;验证了HHC对倾转旋翼飞行器近场气动噪声的主动控制效果。试验结果表明2Ω的HHC控制输入的降噪效果最好,在直升机模式下,机身顶部观测点处的近场气动噪声最多可降低4.5 dB。

关键词：倾转旋翼高阶谐波控制近场气动噪声主动控制