检索结果-南通市图书馆

低聚合度的交替共聚物太阳能电池的形态和性能

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高分子学报 2013年第2期23卷 183-190页

作者：李贵芳左阳陈磊张吉东闫东航秦大山河北工业大学化工学院天津300130 中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室长春130023

制备了由低聚合度的聚[2,6-(4,4-双-(2-乙基己基)-4H-环戊[2,1-b;3,4-b']双噻吩)-交替-4,7-(2,1,3-苯并噻二唑)](LDP-PCPDTBT)、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PC61BM)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)组成的三组分共混薄膜,并通过加入溶剂添加剂(1,8-二溴辛烷,DBO)对体系进行了优化处理.研究发现,没有加入DBO时,LDP-PCPDTBT和PC61BM相在PMMA的基质中分别是无定形的和结晶的;加入DBO后,PMMA基质中LDP-PCPDTBT和PC61BM间的相分离过程得到优化,有机太阳能电池的能量转换效率相应提高了32.4%.

关键词：有机太阳能电池三组分共混薄膜 LDP-PCPDTBT PMMA 1 8-二溴辛烷

半晶性有机半导体薄膜形态结构及对有机发光器件老化的影响

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分子科学学报 2005年第6期21卷 21-25页

作者：闫东航中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室吉林长春130022

以NPB(N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺)为例,简要综述了本课题组近年来在发光有机半导体薄膜形态结构方面的研究进展.通过差热分析、偏光显微镜、透射电子显微镜、电子衍射、原子力显微镜表征,确认NPB是一类本征... 详细信息

以NPB(N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺)为例,简要综述了本课题组近年来在发光有机半导体薄膜形态结构方面的研究进展.通过差热分析、偏光显微镜、透射电子显微镜、电子衍射、原子力显微镜表征,确认NPB是一类本征半晶性材料.一般的OLED器件采用的是非晶的NPB薄膜.基于等温结晶和表面诱导结晶实验确认,OLED器件可能存在两种热力学老化机制.对于采用非晶衬底的OLED器件,当NPB薄膜厚度小于临界厚度时器件可以稳定工作;对于采用多晶缓冲层衬底的OLED器件,由于表面诱导NPB结晶不存在临界厚度限制,器件容易结晶老化.

关键词：有机发光二极管有机薄膜薄膜形态结构器件寿命

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结晶性有机半导体异质结器件

中国科学（B辑） 2009年第1期39卷 1-21页

作者：王海波闫东航中国科学院长春应用化学研究所、高分子物理与化学国家重点实验室长春130022

今天几乎所有重要的半导体器件的工作原理都与异质结和肖特基结有关,比较完整地理解和运用异质结和肖特基结是通过了长达半个世纪的持续努力.近20年有机异质结构已经被广泛的应用到有机电子器件中,包括有机发光二极管、有机光伏电池和... 详细信息

今天几乎所有重要的半导体器件的工作原理都与异质结和肖特基结有关,比较完整地理解和运用异质结和肖特基结是通过了长达半个世纪的持续努力.近20年有机异质结构已经被广泛的应用到有机电子器件中,包括有机发光二极管、有机光伏电池和有机场效应晶体管.然而,目前却缺少对有机异质结效应的认识.因此,完整认识有机异质结并运用它来发展有机半导体材料与器件是我们面临的机遇和挑战.本文首先阐述了我们对结晶性有机半导体异质结效应的理解,然后给出了有机异质结在半导体器件中的应用,重点介绍了我们近年来在运用有机异质结发展高功能电子器件方面的探索工作和初步认识.有机异质结在高性能场效应晶体管、改善金属有机接触和叠层器件中连接单元等方面均有所应用.有机异质结具有丰富的类型,充分利用有机异质结的特征,将为发展适合有机半导体材料、新功能器件和高级功能器件提供了新的视角和途径.

关键词：有机半导体异质结金属酞菁有机场效应晶体管

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有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究

液晶与显示 2004年第3期19卷 168-173页

作者：袁剑峰闫东航许武中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室吉林长春130022

研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场... 详细信息

研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系。还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大。认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的。

关键词：有机薄膜晶体管阈值电压漂移栅绝缘膜陷阱 C-V特性

有源层厚度对CuPc-OTFT器件性能的影响

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液晶与显示 2004年第1期19卷 14-18页

研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20nm的器件性能最好。在有源层厚度大于20nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电... 详细信息

研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20nm的器件性能最好。在有源层厚度大于20nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电阻,从而不利于器件性能的提高。但当有源层厚度小于20nm以后器件的性能开始降低。我们认为当有源层厚度降低到一定程度时,有源层上表面的表面态会使有机材料的隙态浓度增加从而对沟道载流子迁移率产生不良影响以及使器件的阈值电压增大。

关键词：有机薄膜晶体管有源层 OTFT 接触电阻载流子迁移率场效应迁移率

MORPHOLOGY OF HEAD-TO-TAIL POLY(3-HEXYLTHIOPHENE) SINGLE CRYSTALS FROM SOLUTION CRYSTALLIZATION

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Chinese Journal of Polymer Science 2007年第1期25卷 43-46页

作者：闫东航 State Key Laboratory of Polymer Physics and Chemistry Changchun Institute of Applied Chemistry Chinese Academy of SciencesGraduate School of Chinese Academy of Sciences

Single crystals of head-to-tail poly（3-hexylthiophene）s have been grown through the method of isothermal solution crystallization. Electron diffraction in combination with powder X-ray diffraction revealed the cryst... 详细信息

关键词： Single crystal Morphology P3HT.

基于钌复合物和多晶三氧化钨的电致变色近红外光衰减器

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科学通报 2005年第23期50卷 2598-2600页

作者：张吉东吴先国于洪桉闫东航王植源中国科学院长春应用化学研究所长春130022 Department of Chemistry Carleton UniversityOttawaOntarioK1S5B6Canada

组装并表征了一种基于双核钌复合物/多晶三氧化钨的电致变色近红外光衰减器.实验结果表明,用钌复合物的溶液作为多晶三氧化钨的配对电致变色材料可以提高器件的性能.与不含钌复合物的光衰减器相比,基于钌复合物/多晶三氧化钨的器件对155... 详细信息

组装并表征了一种基于双核钌复合物/多晶三氧化钨的电致变色近红外光衰减器.实验结果表明,用钌复合物的溶液作为多晶三氧化钨的配对电致变色材料可以提高器件的性能.与不含钌复合物的光衰减器相比,基于钌复合物/多晶三氧化钨的器件对1550nm波长光的调制能力可以从19.1dB提高至30.0dB,电致变色效率从29.2cm2/C提高至121.2cm2/C.

关键词：近红外电致变色双核钌复合物多晶三氧化钨光衰减器

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金属酞菁有机半导体材料

金属酞菁有机半导体材料

第十二届固态化学与无机合成学术会议

作者：闫东航中国科学院长春应用化学研究所

金属酞菁具有稳定的物理和化学性质,在有机发光二极管、有机光伏电池、有机薄膜晶体管和室温气敏传感器等方面已经表现出优异的有机半导体性能,是一类具有发展潜力的半导体材料。金属酞菁家族中有典型的电子型材料(n-type)FCuPc、SnOPc...

金属酞菁具有稳定的物理和化学性质,在有机发光二极管、有机光伏电池、有机薄膜晶体管和室温气敏传感器等方面已经表现出优异的有机半导体性能,是一类具有发展潜力的半导体材料。金属酞菁家族中有典型的电子型材料(n-type)FCuPc、SnOPc、SnClPc,有典型的空穴型材料(p-tpe)CuPc、ZnPc、CoPc,也表现出双极性质的材料VOPc。因应用器件类型的不同,材料的使用状态存在差异。发光二极管器件多采用非晶态薄膜,有机薄膜晶体

关键词：

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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浅谈共轭高分子的结晶

浅谈共轭高分子的结晶