检索结果-南通市图书馆

中华当代医学 2004年第9期2卷 152-152页

作者：南云泽郑喜金延泽朴贞姬金英子崔志华延边大学医学院附属医院妇产科，延吉133000

正常分娩机制是现代产科学理论体系之一，是学习异常分娩及其它产科学的基础。正常分娩机制理论性强，抽象，教师讲课费力，学生又难以理解，如果搞不懂分娩机制原理，就很难判定难产问题，是产科学教学的难点，又是产科教学的重点。为... 详细信息

正常分娩机制是现代产科学理论体系之一，是学习异常分娩及其它产科学的基础。正常分娩机制理论性强，抽象，教师讲课费力，学生又难以理解，如果搞不懂分娩机制原理，就很难判定难产问题，是产科学教学的难点，又是产科教学的重点。为了解决此问题，我们妇产科教研室几年来采取一些措施，如骨盆模型加胎儿模型进行手工演示教学，但亦有很多学生表示难以理解，教学效果不甚理想。为了根本上解决此难题，在医教处的大力协助下购进了自动分娩机制示教模型。首先在2001级临床医学专科生妇产科学课间实习中应用，并与传统的教学模式进行了对比研究。

关键词：分娩机制妇产科教研室医学专科生理论体系异常分娩产科教学演示教学骨盆模型教学效果课间实习妇产科学对比研究教学模式学生

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腰椎后路双开窗置入椎体间融合器

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骨与关节损伤杂志 2000年第4期15卷 291-291页

作者：张培勋刘镇中赵金延刘锐苏振炎张海波袁木林贾思明开封市第一人民医院骨科 475000

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Physical analysis of normally-off ALD Al_(2)O_(3)/GaN MOSFET with different substrates using self-terminating thermal oxidation-assisted wet etching technique

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Chinese Physics B 2022年第9期31卷 511-518页

作者： Cheng-Yu Huang Jin-Yan Wang Bin Zhang Zhen Fu Fang Liu Mao-Jun Wang Meng-Jun Li Xin Wang Chen Wang Jia-Yin He Yan-Dong He School of Integrated Circuits Peking UniversityBeijing 100871China Beijing Chip Identification Technology Co. LtdBeijing 102200China

Based on the self-terminating thermal oxidation-assisted wet etching technique,two kinds of enhancement mode Al_(2)O_(3)/GaN MOSFETs(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors)separately with sapphire substrate and Si sub-strate are *** is found that the performance of sapphire substrate device is better than that of silicon *** these two devices,the maximum drain current of sapphire substrate device(401 mA/mm)is 1.76 times that of silicon substrate device(228 mA/mm),and the field-effect mobility(μ_(FEmax))of sapphire substrate device(176 cm^(2)/V·s)is 1.83 times that of silicon substrate device(96 cm^(2)/V·s).The conductive resistance of silicon substrate device is 21.2Ω-mm,while that of sapphire substrate device is only 15.2Ω·mm,which is 61%that of silicon substrate *** significant difference in performance between sapphire substrate and Si substrate is related to the differences in interface and border trap near Al_(2)O_(3)/GaN *** studies show that(i)interface/border trap density in the sapphire substrate device is one order of magnitude lower than in the Si substrate device,(ii)Both the border traps in Al_(2)O_(3) dielectric near Al_(2)O_(3)/GaN and the interface traps in Al_(2)O_(3)/GaN interface have a significantly effect on device channel mobility,and(iii)the properties of gallium nitride materials on different substrates are different due to wet *** research results in this work provide a reference for further optimizing the performances of silicon substrate devices.

关键词： atomic layer deposition Al_(2)O_(3)/GaN MOSFET normally-off interface/border traps thermal oxidation-assisted wet etching

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Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using a Nano-Channel Array Structure

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Chinese Physics Letters 2011年第7期28卷 265-267页

作者： LIU Sheng-Hou CAI Yong GONG Ru-Min WANG Jin-Yan ZENG Chun-Hong SHI Wen-Hua FENG Zhi-Hong WANG Jing-Jing YIN Jia-Yun Cheng PWen QIN Hua ZHANG Bao-Shun Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics Chinese Academy of SciencesSuzhou 215125 Institute of Microelectronics Peking UniversityBeijing 100871 Science and Technology on ASIC Lab Hebei Semiconductor Research InstituteShijiazhuang 050051 Key Laboratory of Nanodevice and Application Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionicsChinese Academy of SciencesSuzhou 215125

A nano-channel array(NCA)structure is applied to realize enhancement-mode(E-mode)AlGaN/GaN high-electron mobility transistors(HEMTs).The fabricated NCA-HEMT,consisting of 1000 channels connected in parallel with a channel width of 64 nm,shows a threshold voltage of 0.15 V and a subthreshold slope of 78 mV/dec,compared to−3.92 V and 99 mV/dec for a conventional HEMT(C-HEMT),*** the NCA-HEMT and C-HEMT show similar gate leakage current,indicating no significant degradation in gate leakage characteristics for the *** surrounding-field effect and relieved polarization contribute to the very large positive threshold voltage shift,while the work function difference makes it positive.

关键词： AlGaN/GaN polarization channel

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