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石油化工EPC总承包项目材料管理的革新方式分析

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当代化工研究 2022年第11期 186-188页

作者：郭颖楠中国寰球工程有限公司北京分公司北京100012

为了促进石油化工EPC总承包项目管理水平的提升,必须重视材料管理在其中的作用,并创新材料管理模式,提高EPC总承包项目的整体管理水平。为此,本文从石油化工EPC总承包模式展开分析,明确当前石油化工项目中材料管理体系与组织架构的构建... 详细信息

为了促进石油化工EPC总承包项目管理水平的提升,必须重视材料管理在其中的作用,并创新材料管理模式,提高EPC总承包项目的整体管理水平。为此,本文从石油化工EPC总承包模式展开分析,明确当前石油化工项目中材料管理体系与组织架构的构建,提出全过程材料管理方案,也进一步提高竣工后期的材料管理水平,保障石油化工项目的顺利完工,创造最大化的经济效益与社会效益。

关键词：石油化工 EPC总承包材料管理

Mn掺杂CsPbCl_(3)/Cs_(4)PbCl_(6)复合材料的制备及发光机理

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河北大学学报（自然科学版） 2022年第6期42卷 611-617页

作者：杨祥策张恒刘晨晖朱梦轩王凤和郭颖楠河北大学物理科学与技术学院河北保定071002

为开发适合产业化的零维钙钛矿的合成方法,利用超声法制备了Mn^(2+)掺杂的CsPbCl_(3)/Cs_(4)PbCl_(6)复合物(CCM),并讨论了CCM的发光机理.在近紫外激发下,CCM具有明亮的红色发光,发射谱具有3个发射峰,分别位于606 nm(Mn^(2+))、414 nm(C... 详细信息

为开发适合产业化的零维钙钛矿的合成方法,利用超声法制备了Mn^(2+)掺杂的CsPbCl_(3)/Cs_(4)PbCl_(6)复合物(CCM),并讨论了CCM的发光机理.在近紫外激发下,CCM具有明亮的红色发光,发射谱具有3个发射峰,分别位于606 nm(Mn^(2+))、414 nm(CsPbCl_(3))和351 nm(Cs_(4)PbCl_(6)).CCM中存在CsPbCl_(3)、Cs_(4)PbCl_(6)对Mn^(2+)的能量传递过程.通过改变前驱物中MnCl_(2)/PbCl_(2)投料比可以调节CCM中Cs_(4)PbCl_(6)对CsPbCl_(3)的钝化,调控CCM中CsPbCl_(3)对Mn^(2+)的能量传递以及Mn^(2+)的红光发射强度.

关键词： Cs_(4)PbCl_(6) Mn掺杂钙钛矿

用于硅基铁电电容器集成的金属间化合物阻挡层的研究

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用于硅基铁电电容器集成的金属间化合物阻挡层的研究

作者：郭颖楠河北大学

学位级别：硕士

用射频磁控溅射法(RF Magnetron Sputtering)和溶胶-凝胶法(Sol–Gel)结合,以多晶Ni–Al薄膜、高度择优取向TiAl薄膜、非晶Ti–Al薄膜分别作为导电阻挡层在Si衬底上制备了LaSrCoO/Pb(ZrTi)O/LaSrCoO(LSCO/PZT/LSCO)铁电电容器。应用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)、铁电测试仪(Precision LC unit)和LCR表研究了薄膜样品的微观结构、表面形貌、不同层间的界面、电容器的铁电性能以及退火工艺对Pt/LSCO/PZT/LSCO/Ti–Al/Si电容器性能的影响。多晶Ni–Al不与LSCO反应,但是在550 oC的氧气环境中与Si反应生成局部外延生长的NiSi。NiSi具有很好的导电性和热力学化学稳定性,可以起到阻挡层的作用。LSCO/Ni–Al/Si异质结的导电性随Ni–Al厚度的增加而增加。以厚度大于60 nm的多晶Ni–Al作为导电阻挡层时,制备的PZT电容器性能良好,竖直测量的剩余极化强度为16–22μC/cm2,漏电流密度为2×10–5 A/cm2。但是超薄的多晶Ni–Al不能用作导电阻挡层。在Si(111)衬底上成功制备了高度择优取向的TiAl薄膜,TiAl在高温热处理过程中表现出良好的抗氧化性和阻挡性能。以高度择优取向的TiAl薄膜为阻挡层的PZT电容器比以非晶Ti–Al薄膜为阻挡层的样品有更高的极化强度,更小的矫顽场强度和更大的介电常数,分别为23μC/cm2,1.9 kV/cm和590。非晶Ti–Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6 min的样品具有较好的物理性能。在418 kV/cm的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度和矫顽电场强度分别为22μC/cm2和83 kV/cm。LSCO/PZT/LSCO电容器的漏电行为不依赖于退火工艺,当电场低于46.7 kV/cm时为欧姆导电,当电场强度高于46.7 kV/cm时样品为肖特基导电机制。

关键词： Ni–Al Ti3Al 退火工艺 PZT 磁控溅射溶胶-凝胶

引入Si掺杂层调控InGaAs/GaAs表面量子点的光学特性

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人工晶体学报 2023年第1期52卷 73-82页

作者：刘晓辉刘景涛郭颖楠王颖郭庆林梁宝来王淑芳傅广生河北大学物理科学与技术学院保定071002

在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加,SQDs的PL峰值位置先红移后... 详细信息

在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加,SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移;PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变;通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱;时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面态,并且改变表面费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程,以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。

关键词： InGaAs量子点 Si掺杂表面费米能级荧光发光谱间接跃迁辐射时间分辨荧光光谱

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白光二极管用荧光粉LiBaPO_4:Tb^(3+)的制备及发光性质

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硅酸盐学报 2010年第6期38卷 1107-1111页

作者：杨志平王凤和郭颖楠杨艳民马欣李旭河北大学物理科学与技术学院河北保定071002

采用高温固相法合成白光发光二极管用绿色荧光粉LiBaPO4:Tb3+,并研究荧光粉的发光性质。测定荧光粉的激发光谱和发射光谱,发射峰由位于436nm(5D3→7F4)、490nm(5D4→7F6)、544nm(5D4→7F5)、587nm(5D4→7F4)及621nm(5D4→7F3)的五组线... 详细信息

采用高温固相法合成白光发光二极管用绿色荧光粉LiBaPO4:Tb3+,并研究荧光粉的发光性质。测定荧光粉的激发光谱和发射光谱,发射峰由位于436nm(5D3→7F4)、490nm(5D4→7F6)、544nm(5D4→7F5)、587nm(5D4→7F4)及621nm(5D4→7F3)的五组线状峰构成,对应Tb3+的特征跃迁,其中544nm处的最强,样品呈现绿色发光。激发光谱由4f75d1宽带吸收(200～280nm)和4f–4f电子跃迁吸收(330～390nm)组成,其中以380nm处的激发峰最强,可被紫外发光二极管(ultraviolet-light-emittingdiode,UV-LED)有效激发。研究Tb3+掺量(摩尔分数,下同)对发光亮度的影响,结果显示:当Tb3+掺量为9%时,荧光粉的亮度最高,之后出现浓度淬灭现象。Na+、K+和Cl–作为电荷补偿剂均能提高发光亮度,以Cl–作为电荷补偿剂的效果最好。Ce3+对Tb3+具有明显的敏化作用。结果表明:LiBaPO4:Tb3+是一种适用于白光发光二极管用的绿色荧光材料。

关键词：绿色荧光粉发光特性白光发光二极管高温固相法

溶胶-凝胶法制备BiFeO_3薄膜的结构及物性研究

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人工晶体学报 2008年第6期37卷 1430-1434页

作者：李丽刘保亭张新闫小兵郭颖楠河北大学物理科学与技术学院保定071002

应用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了BiFeO3薄膜,构架了Pt/BiFeO3/Pt电容器。采用X射线衍射仪和铁电测试仪研究了Pt/BiFeO3/Pt电容器的结构和物理性能。实验发现BiFeO3最佳的结晶温度为600℃,X射线衍射图谱显示BiFeO3薄膜... 详细信息

应用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了BiFeO3薄膜,构架了Pt/BiFeO3/Pt电容器。采用X射线衍射仪和铁电测试仪研究了Pt/BiFeO3/Pt电容器的结构和物理性能。实验发现BiFeO3最佳的结晶温度为600℃,X射线衍射图谱显示BiFeO3薄膜结晶状况良好,原子力显微镜照片显示BiFeO3表面颗粒均匀。Pt/BiFeO3/Pt电容器具有良好的电学性能,在驱动电压为5V的情况下,Pt/BiFeO3/Pt电容器的电滞回线具有良好的对称性,漏电流密度小于10-4A/cm2,研究发现BiFeO3薄膜log(J)/log(E)关系满足空间电荷限制电流传导机制。

关键词：铁酸铋薄膜溶胶-凝胶法铁电性能漏电流

退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3铁电电容器结构和性能影响的研究

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人工晶体学报 2010年第1期39卷 62-66,71页

作者：郭颖楠刘保亭赵敬伟王宽冒王玉强孙杰陈剑辉河北大学物理科学与技术学院保定071002 河北大学电子信息工程学院保定071002

应用非晶的Ti-Al薄膜为导电阻挡层,采用射频磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3/Ti-Al/Si(LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si)异质结,研究了550℃常规退火(CTA)和快速退火(RTA)工艺对LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si结构和性能的影响。实验发现非晶Ti-Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6min的样品具有较好的物理性能。在418kV/cm的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度和矫顽电场强度分别为22μC/cm2和83kV/cm。LSCO/PZT/LSCO电容器的漏电行为不依赖于退火工艺,当电场强度低于46.7kV/cm时为欧姆导电,高于46.7kV/cm时为肖特基导电机制。

关键词：退火工艺 PZT 磁控溅射法溶胶-凝胶法

紫外激发的LiCaPO_4:Eu^(2+)蓝色发光粉的发光特性

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发光学报 2010年第2期31卷 181-184页

作者：杨志平王凤和郭颖楠李旭马欣闻建伟河北大学物理科学与技术学院发光与显示研究所河北保定071002 河北大学电子信息工程学院河北保定071002

采用高温固相法合成了LiCaPO4:Eu2+蓝色发光粉,并对其发光特性进行了研究。该发光粉发射峰值位于470nm,属于Eu2+的4f65d1→4f的特征跃迁发射,与结构相似的LiSrPO4:Eu2+和NaBaPO4:Eu2+相比其峰值有明显红移。Eu2+在LiCaPO4晶体中可被250... 详细信息

采用高温固相法合成了LiCaPO4:Eu2+蓝色发光粉,并对其发光特性进行了研究。该发光粉发射峰值位于470nm,属于Eu2+的4f65d1→4f的特征跃迁发射,与结构相似的LiSrPO4:Eu2+和NaBaPO4:Eu2+相比其峰值有明显红移。Eu2+在LiCaPO4晶体中可被250～440nm光有效激发,这与紫外发光二极管的发射光谱(350～410nm)匹配。考察了Eu2+的掺杂浓度对发光强度的影响,最佳掺杂摩尔分数为5%,摩尔分数超过5%后发生猝灭现象。浓度猝灭机理为电多极-电多极的交互作用。LiCaPO4:Eu2+是适合UV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度蓝色发光粉。

关键词：白光LED 发光粉磷酸盐 Eu2+

沉积温度对磁控溅射法制备La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜微结构和导电性能的影响

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机械工程材料 2009年第4期33卷 18-21页

作者：付跃举刘保亭郭颖楠傅广生河北大学物理科学与技术学院铁性材料与器件研究所河北保定071002

采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜,研究了沉积温度对La0.5Sr0.5CoO3薄膜微结构和导电性能的影响。结果表明:沉积温度低于400℃时,薄膜以非晶状态存在,未发生外延生长,沉积温度为550℃和650℃时,薄膜在基... 详细信息

采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜,研究了沉积温度对La0.5Sr0.5CoO3薄膜微结构和导电性能的影响。结果表明:沉积温度低于400℃时,薄膜以非晶状态存在,未发生外延生长,沉积温度为550℃和650℃时,薄膜在基片上实现了外延生长;随着沉积温度的升高薄膜表面粗糙度呈现规律性的变化;薄膜的电阻率随沉积温度的升高单调下降,650℃沉积薄膜的电阻率最小为1.63μΩ.cm。

关键词： La0.5Sr0.5CoO3薄膜射频磁控溅射外延生长