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换热器网络优化设计

上海机械学院学报 1994年第1期16卷 95-100,110页

作者：郭维琳张越民黄为民上海机械学院动力工程学院

本文采用了ＢＬｉｎｎｈｏｆ等提出的“窄点技术”，编制了不同于问题表格法的直接求解窄点位置的程序，并且运用组合曲线法及温焓图，编制ＦＯＲＴＲＡＮ７７计算程序对换热器网络进行优化设计．

关键词：窄点技术换热器网络组合曲线

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利用连续流电化学发展新型氧化不对称催化

有机化学 2024年第5期44卷 1695-1696页

作者：高学壮郭维斯青岛科技大学化学与分子工程学院山东青岛266061

不对称催化是合成手性物质的有效方法,广泛应用于合成天然产物和生物活性分子^([1]).在该领域中,氧化不对称催化鲜有研究,主要是难于找到合适的化学氧化剂以解决与催化剂的相容性问题^([2]).有机电合成作为一种公认的绿色合成技术,利用... 详细信息

不对称催化是合成手性物质的有效方法,广泛应用于合成天然产物和生物活性分子^([1]).在该领域中,氧化不对称催化鲜有研究,主要是难于找到合适的化学氧化剂以解决与催化剂的相容性问题^([2]).有机电合成作为一种公认的绿色合成技术,利用无痕电子代替化学氧化还原剂来促进反应^([3]),能够实现传统方法较难实现的氧化不对称催化.

关键词：不对称催化有机电合成天然产物相容性问题生物活性分子氧化还原剂电化学化学氧化剂

电化学促进未活化C(sp^(3))—H官能团化研究进展

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有机化学 2024年第3期44卷 892-902页

作者：高瑞林文丽荣郭维斯青岛科技大学化学与分子工程学院山东青岛266042

有机电合成以无痕电子代替传统的化学氧化剂或还原剂,具有绿色易放大等优势.未活化C(sp^(3))—H键的官能团化可以将目标官能团直接引入分子中进行修饰,避免预官能团化,兼具原子经济性和步骤经济性.随着有机电合成发展的日益成熟,电化学... 详细信息

有机电合成以无痕电子代替传统的化学氧化剂或还原剂,具有绿色易放大等优势.未活化C(sp^(3))—H键的官能团化可以将目标官能团直接引入分子中进行修饰,避免预官能团化,兼具原子经济性和步骤经济性.随着有机电合成发展的日益成熟,电化学促进未活化C(sp^(3))—H官能团化成为了有机合成的研究热点之一.根据官能团类型对反应进行分类,总结了近年来涉及未活化C(sp^(3))—H官能化的研究成果,重点分析了反应优势、底物特点以及反应机理,最后展望了面临的挑战及未来的发展趋势.

关键词：有机电合成未活化C(sp^(3))—H键官能团化

电缆终端应力锥错位缺陷对界面温度及应力分布的影响

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电工技术学报 2024年第1期39卷 65-75页

作者：祝贺何峻旭郑亚松曹煜锋郭维东北电力大学输电工程安全技术工程实验室吉林132000

电缆终端内部缺陷会造成终端内部电场分布不均、局部温度升高与应力分布变化,可能引发局部放电造成绝缘击穿。为研究终端应力锥错位缺陷对电缆界面温度及应力分布的影响,分别建立了电缆终端安装不足与安装过盈情况下的电缆终端错位缺陷... 详细信息

电缆终端内部缺陷会造成终端内部电场分布不均、局部温度升高与应力分布变化,可能引发局部放电造成绝缘击穿。为研究终端应力锥错位缺陷对电缆界面温度及应力分布的影响,分别建立了电缆终端安装不足与安装过盈情况下的电缆终端错位缺陷模型,并进行电-热-力多物理场耦合仿真分析。结果表明:电缆终端绝缘屏蔽层截断处是电缆终端的薄弱部位,终端界面温度和界面压力都会在绝缘屏蔽层截断处发生突变。当电缆终端存在安装不足缺陷时,终端屏蔽层截断处与应力锥根部之间会出现电场升高区域,在安装位置为-7.5 mm时界面温度最高,绝缘界面压力值升高,且安装位置为-2.5mm时绝缘承受的压力值最大;当电缆终端存在安装过盈缺陷时,绝缘屏蔽层截断处会发生电场畸变,电场突变量随着偏移量的增加而增大,在安装位置为+5.0mm时绝缘界面压力值最大,且界面压力突变量增加发生畸变。因此,在电缆终端实际设计安装与运行维护中,额外注意应力锥错位缺陷对终端内部应力分布的影响十分必要。

关键词：电缆终端应力锥错位缺陷电缆界面应力电-热-力多物理场耦合

基于二维切削的SiCp/Al复合材料表面损伤形成机制研究

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表面技术 2024年第8期53卷 145-155页

作者：毋宇超郭淼现郭维诚周金强上海理工大学机械工程学院上海200093 上海航天设备制造总厂有限公司上海200245

目的研究SiCp/Al复合材料切削过程中的表面损伤形成机制。方法以SiCp/Al复合材料为研究对象,展开基于二维切削的仿真和实验研究,建立了包含铝合金2A14、SiC增强颗粒以及界面特性的SiCp/Al切削仿真模型,对作用于不同SiC颗粒部位的材料表... 详细信息

目的研究SiCp/Al复合材料切削过程中的表面损伤形成机制。方法以SiCp/Al复合材料为研究对象,展开基于二维切削的仿真和实验研究,建立了包含铝合金2A14、SiC增强颗粒以及界面特性的SiCp/Al切削仿真模型,对作用于不同SiC颗粒部位的材料表面缺陷进行分析;接着利用高速直线电机搭建能映射二维切削条件的实验平台,在不同材料去除条件下,利用扫描电子显微镜和白光干涉仪对切削表面形貌进行测试,分析和验证切削表面损伤形成条件。结果SiCp/Al复合材料切削表面损伤机理取决于SiC颗粒相对刀具切削路径的位置:当刀尖作用在SiC颗粒的顶部时,表面损伤主要为基体撕裂、颗粒破碎;当刀尖作用在SiC颗粒的中部时,表面损伤为颗粒破碎导致的裂纹和凹坑;当刀尖作用在SiC颗粒的底部时,表面损伤为颗粒拔出导致的凹坑。随着切削深度的增大,凹坑逐渐增多,表面粗糙度随之增大。结论利用二维切削模型仿真方法和高速直线电机实验,可以有效研究复合材料切削损伤形成机制。SiC颗粒相对刀具切削路径的位置不同会导致切削损伤不同;SiCp/Al复合材料表面质量会随着切削速度的提升而有所提高。

关键词： SiCp/Al复合材料高速直线电机切削仿真表面损伤去除机制表面质量

2000—2020年中国耕地旱改水空间格局演变及其适应性管理

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农业工程学报 2024年第4期40卷 292-303页

作者：郭维红蒋非非马静朱新华陈浮中国矿业大学公共管理学院徐州221116 河海大学公共管理学院南京211100

灌溉农业对粮食高产稳定至关重要。近20年中国大力推行旱改水型农田整治,但旱改水的空间格局不清、旱改水转换适宜性不明,限制了旱改水适应性管理及耕地科学保护和永续利用。为此,利用2000—2020年5期30 m×30 m遥感数据,揭示中国耕地... 详细信息

灌溉农业对粮食高产稳定至关重要。近20年中国大力推行旱改水型农田整治,但旱改水的空间格局不清、旱改水转换适宜性不明,限制了旱改水适应性管理及耕地科学保护和永续利用。为此,利用2000—2020年5期30 m×30 m遥感数据,揭示中国耕地旱改水空间格局及其转换特征,并构建地形、气候、土壤与耕作4个维度的适宜性评价体系,评估旱改水工程实施的空间匹配效果,探索适应性管理分区与策略。结果表明:1)2000—2020年全国旱改水耕地面积达1297.04万hm^(2),占耕地总面积的7.31%,主要分布于黑龙江东部、河南中部、四川东部和江苏中部;2)2000—2020年全国旱改水耕地中17.70%为勉强匹配,11.54%为不匹配,旱改水工程实施的总体效果不佳;3)未来应划分不同的旱改水适应性管理分区,按适宜性优先级制定针对规划、利用和服务的差异化旱改水整治策略,研究可为耕地保护、国土空间生态保护和修复规划及两区划定等提供科学依据。

关键词：土地整治耕地灌溉旱改水保护适宜性评价适应性管理

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法向表面力形式的热驱动力

上海机械学院学报 1993年第4期15卷 14-22页

作者：黄为民郭维琳动力工程学院

本文对热驱动力的法向表面力形式及其在流动中起作用的条件作了分析,对这种热驱动流问题作了界定.利用热驱动力的概念对几种受热过程影响的流动作了定性的讨论.对热阻力及其与热驱动力的关系作了阐述.

关键词：法向表面力热驱动力热驱动流问题

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近20年国耕地转入时空格局变化及影响因素

长江流域资源与环境 2024年第08期 1793-1804页

作者：陈浮刘俊娜郭维红马静杨斌朱新华河海大学公共管理学院中国矿业大学公共管理学院

厘清中国耕地转入时空格局特征及影响因素，对科学评估耕地转入的生态成本、耕地占补平衡政策实施成效和优化耕地空间分布格局等至关重要。研究基于2000～2020年土地利用和社会经济数据，采用重心迁移分析、空间自相关分析和多元线性回... 详细信息

厘清中国耕地转入时空格局特征及影响因素，对科学评估耕地转入的生态成本、耕地占补平衡政策实施成效和优化耕地空间分布格局等至关重要。研究基于2000～2020年土地利用和社会经济数据，采用重心迁移分析、空间自相关分析和多元线性回归分析等方法，揭示近20年国耕地转入时空分异特征与重心变化，探索不同地区耕地转入来源差异及关键影响因素。研究发现：（1）2000～2020年中国耕地转入面积为2 125.2万hm2,总体上呈“东北—西北高、南部少”的空间格局，其重心逐渐向西北方向迁移，西部地区一直是我国耕地转入最重要区域；（2）近20年国耕地转入主要来源是林地和草地，占耕地转入总面积的73.5%。但不同时段耕地转入来源呈显著的空间不均衡特征；（3）中国耕地转入受自然条件（气温、坡度）、社会经济（农业机械总动力、第二产业增加值、路网密度）和区域政策（林业增加值、建设用地增加量）的综合影响，但不同区域关键影响因子有显著差异。研究结果对有效管控耕地转入类型、优化耕地保护政策和制度创新等具有指导意义。

关键词：耕地转入时空格局重心迁移耕地保护粮食安全

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高性能自研处理器物理设计频率提升方法

计算机研究与发展 2024年第6期61卷 1429-1435页

作者：何小威乐大珩郭维隋兵才邓全国防科技大学计算机学院长沙410073 先进微处理器芯片与系统重点实验室(国防科技大学) 长沙410073

提升处理器核的频率是提升处理器性能的重要手段.传统的物理设计流程难以实现高主频的处理器核.基于业界主流的布局布线工具,通过嵌入手工定制部件的网表、逻辑和物理设计协同优化、优化定制布线规则、优化物理设计方法学等组合策略.在... 详细信息

提升处理器核的频率是提升处理器性能的重要手段.传统的物理设计流程难以实现高主频的处理器核.基于业界主流的布局布线工具,通过嵌入手工定制部件的网表、逻辑和物理设计协同优化、优化定制布线规则、优化物理设计方法学等组合策略.在相同工艺、面积、功耗对等条件下,达到流片签核要求时,自研处理器核物理设计频率比原始设计可提升约30%.

关键词：布局布线协同优化物理设计签核频率