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电子-声子相互作用对柱形量子线中光学克尔效应的影响(英文)

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光子学报 2006年第2期35卷 180-183页

作者：郭康贤陈传誉广州大学物理系广州510405

本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应,重点讨论了电子-声子相互作用对其的影响,并以GaAs量子线为例进行了数值计算。结果显示,随着量子线半径R0的减小,光学克尔效应会逐渐增强;考虑了电子-声子相互作用时的光学克尔... 详细信息

本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应,重点讨论了电子-声子相互作用对其的影响,并以GaAs量子线为例进行了数值计算。结果显示,随着量子线半径R0的减小,光学克尔效应会逐渐增强;考虑了电子-声子相互作用时的光学克尔效应比未考虑电子-声子相互作用时的大20%多;量子线半径R0越小,峰越尖锐,峰值越强;当量子线半径R0大于40nm时,峰会逐渐消失.

关键词：光学克尔效应量子线电子-声子相互作用

加偏置电场的双曲线量子阱中的光整流效应(英文)

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光子学报 2007年第5期36卷 812-815页

作者：谭鹏郭康贤路洪佛山科学技术学院理学院物理系广东佛山528000 广州大学理学院物理系广州510405

用量子力学中密度矩阵算符理论导出了加偏置电场的双曲线量子阱中光整流系数的解析表达式.并以典型的GaAs双曲线量子阱为例进行了数值计算。研究结果表明,该势阱中的光整流系数与势阱的形状和偏置电场的强度有关。通过调节势阱参量a以... 详细信息

用量子力学中密度矩阵算符理论导出了加偏置电场的双曲线量子阱中光整流系数的解析表达式.并以典型的GaAs双曲线量子阱为例进行了数值计算。研究结果表明,该势阱中的光整流系数与势阱的形状和偏置电场的强度有关。通过调节势阱参量a以及外加偏置电场,在该势阱中可获得一个大的光整流系数.

关键词：非线性光学双曲线量子阱密度矩阵方法光整流效应

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有限深V型势阱中总折射率的改变(英文)

光子学报 2006年第7期35卷 1001-1004页

作者：陆志恩郭康贤广州大学物理系广州510405

研究了有限深V型势阱折射率改变,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法导出了一次,三次谐波极化率系数·最后,以GaAs有限深V型势阱为例作了数值计算·数值结果表明,减少入射光强度,或增加电子浓度使总折射率改变变大·

关键词：有限V型势阱光折射率谐波产生

Pschl-Teller势阱中的光整流效应

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光子学报 2001年第2期30卷 170-173页

作者：谭鹏郭康贤陈传誉广州师范学院物理系广州510405

本文用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了 Po　¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的解析表达式 .考虑到在 Po　¨ schl- Teller势阱中存在两个可调参量 k和 λ,并且势阱的形状随着 k和 λ取值的不同而明显不同 ,从而其光整流系数也... 详细信息

本文用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了 Po　¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的解析表达式 .考虑到在 Po　¨ schl- Teller势阱中存在两个可调参量 k和 λ,并且势阱的形状随着 k和 λ取值的不同而明显不同 ,从而其光整流系数也发生相应的变化 .因此我们可以通过调节 k和 λ的取值而获得 Po　¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的变化规律 ,并找到其最大值。

关键词： Poeschl-Teller势阱光整流效应密度矩阵算符量子力学非线性光学

Electron-Phonon Interactions on the Optical Kerr Effect in a Quantum Disc

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Chinese Physics Letters 2005年第11期22卷 2953-2956页

作者：郭康贤 Department of Physics School of Physics and Electronic Engineering Guangzhou University Guangzhou 510405

在一个量磁盘的光克尔效果与 thedensity 矩阵途径被调查，大多数强调在 opticalKerr 效果上被奉献给电子声子相互作用。数字结果与一个 GaAs 量磁盘的典型参数被介绍。光克尔效果增加比这样声子在光克尔效果上作为圆盘厚度 D decreases... 详细信息

在一个量磁盘的光克尔效果与 thedensity 矩阵途径被调查，大多数强调在 opticalKerr 效果上被奉献给电子声子相互作用。数字结果与一个 GaAs 量磁盘的典型参数被介绍。光克尔效果增加比这样声子在光克尔效果上作为圆盘厚度 D decreases.LO 声子强加更大的影响，这被显示出。越小圆盘厚度 D，越 sharper，并且越多更大山峰山峰紧张。当圆盘厚度比 30 大时，山峰将逐渐地消失。

关键词：量子圆盘 Kerr效应光学性质光子密度函数声子

AlGaN基紫外LED外延结构及其光学性能研究

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广州大学学报（自然科学版） 2023年第1期22卷 63-77页

作者：程权炜郭康贤庞海萍广州大学物理与材料科学学院广东广州510006 宁夏荣光电节能科技实业有限公司宁夏银川750299

氮化铝(AlN)作为一种宽带隙半导体,具有优异的物理和化学性能,在紫外发光二极管(Light Emitting Diode,LED)领域有着广泛的应用。同样,发展较为成熟的氮化镓(GaN)在该领域也有着不可替代的作用。而高性能的器件需要有良好的外延层。AlGa... 详细信息

氮化铝(AlN)作为一种宽带隙半导体,具有优异的物理和化学性能,在紫外发光二极管(Light Emitting Diode,LED)领域有着广泛的应用。同样,发展较为成熟的氮化镓(GaN)在该领域也有着不可替代的作用。而高性能的器件需要有良好的外延层。AlGaN基紫外LED外延层的传统制备方法是采用金属有机化学气相沉积法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD),但是由于该方法中存在着强烈的预反应和Al原子本身迁移速率慢等原因,导致外延层中出现大量缺陷,使得紫外LED器件的性能降低。此外,由于不同材料以及材料与空气的折射率存在差异,使得光难以逃逸到外界,大部分光被局域在芯片内部,从而降低光提取效率以及光强。为了提高器件的光学性能,一种新的紫外LED结构被提出,文章采用时域有限差分模拟(Finite Difference Time Domain,FDTD)软件对该外延结构的光提取效率和出光强度进行了仿真。研究发现,与传统的LED结构相比,新型紫外LED结构的横磁波(TM)光模式和横电波(TE)光模式的光提取效率分别提高了19.1%和29.3%,最大出光强度分别提高了42.78%和47.18%,对器件的光学性能有着显著的改善。另外,文章还研究了新型紫外LED外延层的结构参数对器件整体光学性能的影响,在光源、物理模型尺寸和仿真条件等因素不变的情况下,获得了光学性能最佳的结构参数。

关键词：新型紫外LED结构 AlN刻蚀层蓝宝石刻蚀层出光强度光提取效率

非对称量子阱中线性和三阶非线性光吸收系数的研究

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量子电子学报 2004年第4期21卷 429-433页

作者：王光辉郭康贤郭旗华南师范大学量子电子学研究所广东广州510631 广州大学物理系广东广州510405

主要研究了一个特殊非对称量子阱中的线性和三阶非线性光吸收系数。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了线性和三阶非线性光吸收系数的表达式,然后以典型的非对称量子阱GaAs/AlGaAs材料为例作了数值计算。数值结果表... 详细信息

主要研究了一个特殊非对称量子阱中的线性和三阶非线性光吸收系数。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了线性和三阶非线性光吸收系数的表达式,然后以典型的非对称量子阱GaAs/AlGaAs材料为例作了数值计算。数值结果表明,入射光强以及系统的非对称性对总的光吸收系数有比较大的影响,从而为实验研究提供理论依据。

关键词：非线性光学非线性光吸收系数非对称量子阱密度矩阵方法

Morse势阱中线性和三阶非线性光折射率的改变

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发光学报 2005年第5期26卷 569-574页

作者：于凤梅郭康贤王克强仲恺农业技术学院计算机与电子工程学院广东广州510225 广州大学桂花岗校区物理系广东广州510405

利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势... 详细信息

利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势阱参数a的增大,总的折射率改变将减小;而随着载流子浓度的增加,总的折射率改变将增加。结果表明要获得较大的折射率改变,则需选取较小的入射光强度,较小的参数a,较大的载流子浓度,从而为实验研究提供理论依据。

关键词：非线性光学光折射率改变 Morse势阱密度矩阵方法

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非对称量子阱中非线性光学吸收系数的计算

发光学报 2006年第3期27卷 303-307页

作者：谭鹏郭康贤路洪佛山大学物理系广东佛山528000 广州大学物理系广东广州510405

非对称量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起人们的广泛关注,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器件具有重要的理论指导意义。以P schl-Teller势阱为例研究了影响非对称量子阱中的非线性光学吸收系数的因... 详细信息

非对称量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起人们的广泛关注,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器件具有重要的理论指导意义。以P schl-Teller势阱为例研究了影响非对称量子阱中的非线性光学吸收系数的因素。考虑到带间的电子弛豫,用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了P schl-Teller势阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式。因该势阱中有两个可调参数,通过调节系统的参数,发现该系统的非线性光学吸收系数呈规律性的变化。以典型的GaAs/A lGaAs非对称量子阱为例作了数值计算,通过调节系统的参数,数值计算结果表明,入射光强以及系统的非对称性对量子阱的非线性光学吸收系数有较大的影响,从而为实验上研究非对称量子阱的非线性光学效应提供了必要的理论依据。

关键词：非对称量子阱非线性光学吸收密度矩阵方法