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非磁性/磁性掺杂剂对SnO体系的性能调控

四川大学学报(自然科学版) 2023年 164-177页

作者：高禹郭华忠四川大学物理学院

本文通过第一性原理计算在GGA+U框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质.计算得到的形成能结果表明,V元素单掺杂体系比L... 详细信息

本文通过第一性原理计算在GGA+U框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质.计算得到的形成能结果表明,V元素单掺杂体系比Li元素单掺杂体系更稳定.其中,VO存在的掺杂体系稳定性更高,而VSn对掺杂体系的稳定性不利.磁性分析表明,Li掺杂体系的磁矩大于V掺杂体系的磁矩.当有点缺陷存在时,VSn的加入显著提高了掺杂体系的磁性,而VO对非磁性金属元素/磁性金属元素掺杂体系的磁性影响不同:当VO存在于Li掺杂体系时,Li原子周围的O原子自旋极化减少,因此导致磁矩降低;当V掺杂体系中有VO存在,磁性不仅来源于V原子的自旋极化,同时来源于VO周围的O原子的自旋极化,因此磁矩增大.结合电子结构分析可知,Li掺杂体系的磁性是由O-p和Li-p轨道之间的双交换作用产生的,V掺杂体系的磁性是由O-p和V-d轨道之间的双交换作用产生的.键合分析发现VO的存在可以提高两种金属掺杂体系键(Li-O和V-O)的共价性.在可见光区域内,Sn15LiO32和Sn15VO32具有较高的光学透明度.以上这些结果为非磁性金属元素(Li)和磁性金属元素(V)及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2在自旋电子器件中的应用提供了新的思路.

关键词：第一性原理掺杂剂点缺陷电子结构磁性光学性质

非磁性/磁性掺杂剂对SnO_(2)体系的性能调控

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四川大学学报:自然科学版 2023年第5期60卷 157-170页

作者：高禹郭华忠四川大学物理学院成都610065

本文通过第一性原理计算在GGA+U框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(V_(O)/V_(Sn))掺杂SnO_(2)基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质.计算得到的形成能结果表明,V元素单... 详细信息

本文通过第一性原理计算在GGA+U框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(V_(O)/V_(Sn))掺杂SnO_(2)基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质.计算得到的形成能结果表明,V元素单掺杂体系比Li元素单掺杂体系更稳定.其中,V_(O)存在的掺杂体系稳定性更高,而VSn对掺杂体系的稳定性不利.磁性分析表明,Li掺杂体系的磁矩大于V掺杂体系的磁矩.当有点缺陷存在时,VSn的加入显著提高了掺杂体系的磁性,而V_(O)对非磁性金属元素/磁性金属元素掺杂体系的磁性影响不同:当V_(O)存在于Li掺杂体系时,Li原子周围的O原子自旋极化减少,因此导致磁矩降低;当V掺杂体系中有V_(O)存在,磁性不仅来源于V原子的自旋极化,同时来源于V_(O)周围的O原子的自旋极化,因此磁矩增大.结合电子结构分析可知,Li掺杂体系的磁性是由O-p和Li-p轨道之间的双交换作用产生的,V掺杂体系的磁性是由O-p和V-d轨道之间的双交换作用产生的.键合分析发现V_(O)的存在可以提高两种金属掺杂体系键(Li-O和V-O)的共价性.在可见光区域内,Sn_(15)LiO_(32)和Sn_(15)VO_(32)具有较高的光学透明度.以上这些结果为非磁性金属元素(Li)和磁性金属元素(V)及相应的点缺陷(V_(O)/VSn)掺杂SnO_(2)在自旋电子器件中的应用提供了新的思路.

关键词：第一性原理掺杂剂点缺陷电子结构磁性光学性质

声表面波单电子输运器件中量子线的电学特性研究

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物理学报 2008年第9期57卷 5863-5868页

作者：李宏郭华忠路川李玲高洁四川大学物理科学与技术学院成都610064 中国测试技术研究院成都610021 四川师范大学物理与电子工程学院成都610068

通过在AlxGa1-xAs/GaAs异质结表面制作一对分裂门,获得了用于实现声表面波单电子输运的准一维量子线.实验研究了0.3 K时电子沿该量子线的输运性质.通过自洽求解二维薛定谔方程和泊松方程,分析了该量子线的导带能量和电子浓度的分布,并... 详细信息

通过在AlxGa1-xAs/GaAs异质结表面制作一对分裂门,获得了用于实现声表面波单电子输运的准一维量子线.实验研究了0.3 K时电子沿该量子线的输运性质.通过自洽求解二维薛定谔方程和泊松方程,分析了该量子线的导带能量和电子浓度的分布,并讨论了量子线宽度对分裂门方向形成限制势的影响.特别是对其线性电子浓度随温度及分裂门电压的变化关系进行了数值模拟,所得到的钳断电压与实验测量值符合较好.

关键词：量子线分裂门线性电子浓度钳断电压

钢板-砖砌体组合结构在砖混房屋大空间改造中的应用

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工程抗震与加固改造 2009年第5期31卷 130-133页

作者：郭华忠敬登虎江阴瑞鑫建筑特种技术工程有限公司江苏江阴214400 东南大学土木工程学院江苏南京210096

既有砖混结构房屋在进行大空间改造时需要对部分砖砌体承重墙体进行拆除,使得局部砖墙承重结构体系转换为梁、柱承重的框架结构体系,导致了原有结构的传力路径发生了变化,此时必须采取有效的加固措施形成可靠的承重梁和柱子。本文结合... 详细信息

既有砖混结构房屋在进行大空间改造时需要对部分砖砌体承重墙体进行拆除,使得局部砖墙承重结构体系转换为梁、柱承重的框架结构体系,导致了原有结构的传力路径发生了变化,此时必须采取有效的加固措施形成可靠的承重梁和柱子。本文结合江阴市某三层砖混房屋改造为大空间使用功能超市的工程实例,介绍了钢板-砖砌体组合结构的托换技术在承重砖墙托换拆除中的优点,组合梁、柱承载能力设计的简化算法,以及概念设计和构造处理方法。可供类似工程参考。

关键词：钢板砖砌体组合结构改造

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单电子输运器件中的动态电子传输

四川大学学报（自然科学版） 2012年第2期49卷 391-396页

作者：董清郭华忠四川大学物理科学与技术学院成都610065

在基于GaAs/AlGaAs异质结二维电子气的声表面波单电子输运器件中,利用声表面波诱发的动态量子点依次通过由串联的三对刻蚀门电极各自所形成的准一维通道,成功实现了电子的量子化动态输运,并对输运特性进行了分析.通过提出局域态杂质模... 详细信息

在基于GaAs/AlGaAs异质结二维电子气的声表面波单电子输运器件中,利用声表面波诱发的动态量子点依次通过由串联的三对刻蚀门电极各自所形成的准一维通道,成功实现了电子的量子化动态输运,并对输运特性进行了分析.通过提出局域态杂质模型和电子的屏蔽效应,解释了实验中观测到的双峰声电电流现象.

关键词： GaAs/AlGaAs异质结声表面波单电子器件局域态杂质

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多量子点接触中静电势对电子输运的调制

四川大学学报（自然科学版） 2014年第6期51卷 1223-1228页

作者：吴海强郭华忠四川大学物理科学与技术学院成都610064

本文对动态量子点驱动的通过三个量子点接触的电子输运的静电调制效应进行了研究.通过对栅极施加不同电压形成不同的量子点接触静电势,从而改变动态量子点的形状.随着栅极电压的改变,电子库中的费米能也会随之改变,同时,影响下一个量子... 详细信息

本文对动态量子点驱动的通过三个量子点接触的电子输运的静电调制效应进行了研究.通过对栅极施加不同电压形成不同的量子点接触静电势,从而改变动态量子点的形状.随着栅极电压的改变,电子库中的费米能也会随之改变,同时,影响下一个量子点接触的静电势垒的梯度.实验证明,量子点接触的电势并不总是阻碍电子输运.电势的调制能够帮助我们了解电子与电子之间的库伦阻塞效应.

关键词：量子点量子点接触声电电流声表面波

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多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运

四川大学学报（自然科学版） 2013年第3期50卷 561-565页

作者：吕倩华郭华忠四川大学物理科学与技术学院成都610064

本文研究了多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运的声电电流特性.改变每个量子点接触的栅电压用以实现不同高度的静态势垒,从而调节声电电流.并用电子泵模型解释了不同势垒之间的耦合对于电流的影响,根据此模型得到的模拟结果与实验... 详细信息

本文研究了多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运的声电电流特性.改变每个量子点接触的栅电压用以实现不同高度的静态势垒,从而调节声电电流.并用电子泵模型解释了不同势垒之间的耦合对于电流的影响,根据此模型得到的模拟结果与实验吻合.

关键词：声表面波量子点接触声电电流势垒

GaAs相变和热力学性质的密度泛函理论研究(英文)

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原子与分子物理学报 2005年第1期22卷 175-178页

作者：逯来玉程艳王海燕郭华忠四川大学原子与分子物理研究所成都610065

利用平面波赝势密度泛函方法 ,对GaAs从闪锌矿结构到CsCl结构的相变进行了理论研究。通过Birch Murnaghan状态方程拟合闪锌矿结构GaAs的能量和体积 ,得到了GaAs的热力学性质。我们发现对GaAs来说 ,闪锌矿结构通常比CsCl结构稳定 ,由闪... 详细信息

利用平面波赝势密度泛函方法 ,对GaAs从闪锌矿结构到CsCl结构的相变进行了理论研究。通过Birch Murnaghan状态方程拟合闪锌矿结构GaAs的能量和体积 ,得到了GaAs的热力学性质。我们发现对GaAs来说 ,闪锌矿结构通常比CsCl结构稳定 ,由闪锌矿结构到CsCl结构的相变压力在 37.0 1 9GPa左右。计算所得到的晶格常数。

关键词：相变热力学性质 GaAs

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地球大数据缘起和进展

科学通报 2024年第1期69卷 58-67页

作者：郭华东梁栋可持续发展大数据国际研究中心北京100094 中国科学院空天信息创新研究院北京100094 中国科学院大学北京101408

进入信息时代以来,数据总量呈爆炸式增长,数据的类型、结构、维度也更加复杂多样,远远超出了传统数据库的管理和处理能力,逐渐向“大数据”方向转变.大数据是用于描述超出常规处理能力的数据集术语,其内涵不仅包含海量的数据本身,也包... 详细信息

进入信息时代以来,数据总量呈爆炸式增长,数据的类型、结构、维度也更加复杂多样,远远超出了传统数据库的管理和处理能力,逐渐向“大数据”方向转变.大数据是用于描述超出常规处理能力的数据集术语,其内涵不仅包含海量的数据本身,也包含对这些数据集的存储、处理与分析方法.当前,大数据已经成为国家信息主权的体现,并已在人类社会发展中发挥重要作用^([1,2]).

关键词：大数据传统数据库数据集人类社会发展数据总量处理与分析信息时代常规处理