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BaSi_2晶体结构及X射线衍射谱的研究
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功能材料 2010年 第10期41卷 1816-1819页
作者: 郝正同 谢泉 杨子义 贵州大学理学院 新型光电子材料与技术研究所贵州贵阳550025 绵阳师范学院物理与电子工程学院 四川绵阳621000
基于汤姆逊弹性散射理论导出了计算衍射峰强度的具体表达式,计算并得到了BaSi2粉晶的X射线衍射谱图,研究了影响粉晶X射线衍射谱线位置、强度和形状的因素。给出了校验及修粉晶衍射谱图的可靠方法。
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一维方势阱中束缚态粒子波函数和能级的求解
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大学物理 2011年 第2期30卷 25-27页
作者: 郝正同 绵阳师范学院物理与电子工程学院 四川绵阳621000
采用矩阵方程表述的方法解出了一维方势阱的波函数和能级,借助计算机软件图示了解的特征.
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应用闭环算法车辆转向机构最优控制系统分析
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机械设计与制造 2024年
作者: 河南警察学院
四轮车辆转向时,前后车轮的转向中心为一点时,视为车辆的理论最优转向,也是最优控制的目标。针对常用的多连杆转向系统,根据结构特点和转角关系,对系统控制进行分析;基于闭环控制算法,依据目标路径与参数反馈获取的转向控制量,... 详细信息
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交相BaSi_2薄膜的制备及结晶研究
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材料导报 2014年 第10期28卷 38-41页
作者: 杨子义 郝正同 徐虎 贵阳学院电子与通信工程学院 贵阳550005 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 贵阳550025
室温下采用磁控溅射的方法在p-Si(111)衬底上沉积Ba膜,然后置入高真空退火炉中在400~850℃退火12 h生成Ba的硅化物薄膜,对退火后的Ba-Si化合物进行了晶体结构、表面形貌、透射光谱及电学性质的测试分析,研究了退火温度对薄膜结晶的... 详细信息
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Ba_3Si_4的制备及电子结构的研究
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材料导报 2010年 第20期24卷 1-4页
作者: 杨子义 郝正同 谢泉 贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所 贵阳550025 贵阳学院物理与电子信息科学系 贵阳550005
采用磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了Ba单层膜,研究了退火温度对Ba-Si化合物生成的影响。X射线衍射表明,在真空中退火12h后出现了Ba3Si4(202)和Ba3Si4(221)衍射峰,表现出择优取向,700℃是理想的退火温度。采用第一性原理对Ba3Si4的能... 详细信息
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新型半导体材料BaSi_2的研究进展
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材料导报 2009年 第19期23卷 28-31,40页
作者: 郝正同 杨子义 谢泉 贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所 贵阳550025 绵阳师范学院物理与电子工程学院 绵阳621000
交相BaSi2是一种新型高效的环境友好半导体材料,在光电、热电方面有着极为广阔的应用前景。详细介绍了交相BaSi2的结构、光电性质、热电性质及其制备技术,并对目前存在的问题及未来的研究动向作了简要讨论。
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交相BaSi_2粉晶X射线衍射谱的计算
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材料导报 2010年 第4期24卷 72-74,89页
作者: 杨子义 郝正同 谢泉 贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所 贵阳550025 贵阳学院物电系 贵阳550005
交相BaSi2晶胞原子的分数坐标和散射因子计算出其粉晶X射线衍射谱,结果与PDF卡片的数据相当一致。该计算方法既可用于新材料PDF卡片的计算,也可用于校验实验方法得到的PDF卡片的可靠性。
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亲锌聚阴离子交联聚合物薄膜与铜刻蚀协稳定锌负极
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化学学报 2024年 第4期82卷 416-425页
作者: 再涛 赵健飞 李慧 李展 潘朗 李江 长安大学材料科学与工程学院 西安710061
可充电水系锌基电池具有高容量、高能量密度、低氧化还原电位、低成本、安全性好等优点,被认为是一种可替代的能源存储器件.然而,在镀锌/剥离过程中,锌金属负极不可控的枝晶生长和复杂的副反应极大地降低了库伦效率,其可逆性较差,阻碍... 详细信息
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基于自旋轨道耦合效应的能带分裂机理
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绵阳师范学院学报 2012年 第5期31卷 25-27页
作者: 郝正同 绵阳师范学院物理与电子工程学院
从理论上导出了自旋与p轨道耦合效应使能带分裂的具体表达式,阐明了能带分裂的物理机理,讨论了自旋轨道耦合效应使价带顶分裂后能带结构的特征。其结果有助于更深刻的理解自旋轨道耦合引起能带分裂的机理,对研究半导体光学选择定择、输... 详细信息
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MSi(M=Na,K)电子结构的第一性原理研究
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绵阳师范学院学报 2010年 第5期29卷 18-21页
作者: 郝正同 绵阳师范学院物理与电子工程学院 四川绵阳621000 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 贵州贵阳550025
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对NaSi和KSi的电子结构进行了理论计算,能带结构计算表明NaSi是一种间接带隙半导体,禁带宽度为1.32eV;KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42eV;并详细讨论了NaSi和KSi在费米面附... 详细信息
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