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单周期结构极化晶体同时产生二倍频和三倍频光场研究

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量子光学学报 2023年第3期29卷 37-43页

作者：付祯玮张超霞王宇郝景晨杨荣国山西大学物理电子工程学院山西太原030006 量子光学与光量子器件国家重点实验室山西大学光电研究所山西太原030006

二阶非线性光学参量过程的上转换和下转换过程是扩展激光波长范围的一种手段,其中上转换过程中的倍频与和频可以有效产生短波长激光。本文提出利用1 438.9 nm的基频光场注入内置一块单周期结构的极化铌酸锂晶体(PPLN)的双端光学腔,在极... 详细信息

二阶非线性光学参量过程的上转换和下转换过程是扩展激光波长范围的一种手段,其中上转换过程中的倍频与和频可以有效产生短波长激光。本文提出利用1 438.9 nm的基频光场注入内置一块单周期结构的极化铌酸锂晶体(PPLN)的双端光学腔,在极化晶体的同一周期内,产生719.45 nm的二倍频光场和479.63 nm的三倍频光场,得到的两束光场分别从双端倍频腔两端输出。研究设计了晶体的周期结构,使得二倍频和三倍频的两个非线性光学过程在PPLN晶体的同一极化周期内同时性满足准相位匹配条件,实现二倍频和三倍频光场同时产生。并计算分析晶体极化周期,基频光波长和温度三个参数之间的关系,得到的结论可为单激光在单周期结构极化晶体中产生双波长激光提供理论参考价值。

关键词：非线性光学周期极化晶体准相位匹配倍频和频

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ULSI制备中铜布线的两步抛光技术

Journal of Semiconductors 2003年第4期24卷 433-437页

作者：王弘英刘玉岭郝景晨魏碧华中国电子科技集团电子第十三所石家庄050051 河北工业大学微电子研究所天津300130

在超大规模集成电路 (U L SI)铜布线工艺中 ,采用阻挡层来提高铜与衬底的粘附性 ,主要是为了防止铜原子向介质或衬底中扩散 .为了达到全局平面化 ,就需要克服阻挡层金属与布线金属铜因化学和物理性质的不同而导致其化学机械抛光 (CMP)... 详细信息

在超大规模集成电路 (U L SI)铜布线工艺中 ,采用阻挡层来提高铜与衬底的粘附性 ,主要是为了防止铜原子向介质或衬底中扩散 .为了达到全局平面化 ,就需要克服阻挡层金属与布线金属铜因化学和物理性质的不同而导致其化学机械抛光 (CMP)速率的不同 .通过研究和一系列试验 ,采用两步抛光 ,初抛中采用高化学作用 ,终抛中采用高机械作用 ,达到较好的全局平面化效果 ,并提出了初抛的 CMP模型 .

关键词： ULSI 铜布丝抛光技术阻挡层多层布线超大规模集成电路制造工艺

盐冻融条件下环氧沥青混凝土多尺度疲劳开裂特性

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建筑材料学报 2024年

作者：闫景晨马苗苗张威高宏彬内蒙古工业大学土木工程学院

为获得积雪冰冻地区环氧沥青混凝土疲劳开裂特性，以环氧沥青混凝土（EMA）及对照组SBS改性沥青混凝土（SBSMA）为试验研究对象，通过小梁三点弯曲重复加载实验结合数字图像相关技术（DIC）及扫描电镜（SEM），从宏观、细观、微观三个... 详细信息

为获得积雪冰冻地区环氧沥青混凝土疲劳开裂特性，以环氧沥青混凝土（EMA）及对照组SBS改性沥青混凝土（SBSMA）为试验研究对象，通过小梁三点弯曲重复加载实验结合数字图像相关技术（DIC）及扫描电镜（SEM），从宏观、细观、微观三个尺度层面对冻融盐冻融条件下的EMA及SBSMA试件疲劳加载全寿命周期内裂纹的萌生、扩展、加速破坏进行分析. 结果表明：通过细观实验DIC特征云图验证的基于宏观实验损伤因子拟合曲线的导数曲线所得分界点划分的疲劳损伤阶段是一种正确可行的新方法；EMA的宏观裂纹起裂点以及微裂纹扩展点均优于同条件下的SBSMA，EMA比SBSMA拥有更好的抵抗材料损伤的能力. 积雪冰冻地区使用CH3COOK替代常用的氯盐类融雪剂可减轻对路面疲劳损伤的影响；微观层面EMA断裂面处的微观形貌表征优于同条件下的SBSMA.

关键词：环氧沥青混凝土冻融及盐冻融循环三点弯曲重复加载试验数字图像相关技术扫描电子显微镜

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基于听说知识融合网络的多模态对话情绪识别

控制与决策 2024年第6期39卷 2031-2040页

作者：刘琴谢珺胡勇郝戍峰郝雅卉太原理工大学信息与计算机学院太原030024 北京航空航天大学新媒体艺术与设计学院北京100191 太原理工大学大数据学院太原030024

多模态对话情绪识别旨在根据多模态对话语境判别出目标话语所表达的情绪类别,是构建共情对话系统的基础任务.现有工作中大多数方法仅考虑多模态对话本身信息,忽略了对话中与倾听者和说话者相关的知识信息,从而限制了目标话语情绪特征的... 详细信息

多模态对话情绪识别旨在根据多模态对话语境判别出目标话语所表达的情绪类别,是构建共情对话系统的基础任务.现有工作中大多数方法仅考虑多模态对话本身信息,忽略了对话中与倾听者和说话者相关的知识信息,从而限制了目标话语情绪特征的捕捉.为解决该问题,提出一种基于听说知识融合网络的多模态对话情绪识别模型(LSKFN),引入与倾听者和说话者相关的外部常识知识,实现多模态上下文信息和知识信息的有机融合.LSKFN包含多模态上下文感知、听说知识融合、情绪信息汇总和情绪决策4个阶段,分别用于提取多模态上下文特征、融入听说知识特征、消除冗余特征和预测情绪分布.在两个公开数据集上的实验结果表明,与其他基准模型相比,LSKFN能够为目标话语提取到更加丰富的情绪特征,并且获得较好的对话情绪识别效果.

关键词：情感计算对话情绪识别多模态特征外部常识知识上下文语义知识特征融合

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SZ541和SZ551型GaAs高速分频器

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半导体情报 1992年第2期29卷 40-47,34页

作者：马振昌郝景晨郭书卫机电部第13研究所石家庄050051

本文叙述了SZ541和SZ551分频器工作原理、电路设计和制作工艺技术。电路采用全离子注入平面工艺,L_g为0.6～0.8μ***541GaAs静态分频器可从DC到3GHz工作。SZ551GaAs动态分频器工作带宽为0.5～4.5GHz。

关键词：砷化镓集成电路分频器

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现代光伏发电企业营销管理制度体系研究

中文科技期刊数据库（文摘版）社会科学

中文科技期刊数据库（文摘版）社会科学 2024年第1期 108-111页

作者：景晨山西潞安太阳能科技有限责任公司山西长治046000

市场营销是光伏发电公司最重要的一环,是光伏发电公司进行产品规划与设计时必须重视的一个环节,也是推动光伏发电公司又快又稳发展的一项重要措施。光伏发电企业在开展营销活动时,应该将电能生产与市场战略作为重点,充分运用营销战略与... 详细信息

市场营销是光伏发电公司最重要的一环,是光伏发电公司进行产品规划与设计时必须重视的一个环节,也是推动光伏发电公司又快又稳发展的一项重要措施。光伏发电企业在开展营销活动时,应该将电能生产与市场战略作为重点,充分运用营销战略与管理手段,提高自身的市场占有率,营销活动还可以强化光伏发电公司的内部控制机制,保证光伏发电公司在成长的道路上走上更科学、更有效、更合理的道路。与此同时,在实施营销战略的同时,营销管理者也要注意防范风险,防止不恰当的营销战略给光伏发电公司带来负面影响。

关键词：光伏发电企业企业营销管理制度

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市场经济下光电企业市场营销的创新策略

中文科技期刊数据库（全文版）经济管理 2024年第1期 49-52页

作者：景晨山西潞安太阳能科技有限责任公司山西长治046000

在市场经济条件下,为客户提供更专业化、差异化的服务,需要不断创新。为了满足用户多样化的需求,供电公司必须提高服务质量。光电企业可以藉由引进先进的服务理念与技术策略,提升服务水准,满足客户多元化需求。为此,在市场经济下,电力... 详细信息

在市场经济条件下,为客户提供更专业化、差异化的服务,需要不断创新。为了满足用户多样化的需求,供电公司必须提高服务质量。光电企业可以藉由引进先进的服务理念与技术策略,提升服务水准,满足客户多元化需求。为此,在市场经济下,电力企业市场营销的创新以及发展,成为目前电力行业在新时期经济建设发展过程中一项主要工作。

关键词：广电企业市场经济市场营销

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克泥效在盾构下穿工程中应用效果的研究

特种结构 2024年第2期41卷 87-92页

作者：景晨钟上海市政工程设计研究总院(集团)有限公司上海水业设计工程有限公司

盾构穿越特级、一级风险工程时,忽略开挖间隙的影响难以达到沉降的控制要求,克泥效是一种能够补强开挖间隙并减小盾构推进摩擦力的填充材料。本文采用试验研究和数值模拟的方法,分析了克泥效在盾构下穿施工过程中的应用效果,并和工程实... 详细信息

盾构穿越特级、一级风险工程时,忽略开挖间隙的影响难以达到沉降的控制要求,克泥效是一种能够补强开挖间隙并减小盾构推进摩擦力的填充材料。本文采用试验研究和数值模拟的方法,分析了克泥效在盾构下穿施工过程中的应用效果,并和工程实际的监测数据进行对比,结果表明:采用克泥效填充开挖间隙可以有效减小盾构施工造成的土体沉降,适用于沉降控制要求较高的下穿工程。

关键词：盾构开挖间隙克泥效沉降控制

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P埋层技术研究

半导体情报 1994年第6期31卷 12-15页

作者：廉亚光郝景晨郑晓光 CaAsIC国家重点实验室

介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大... 详细信息

介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。

关键词： P埋层砷化镓增强型耗尽型场效应晶体管