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检索条件"作者=郑耀宗"
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金属—氮氧化硅—硅电容在本征击穿前的漏电特性
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电子学报 1993年 第11期21卷 91-94页
作者: 杨炳良 王曦 郑耀宗 华南理工大学应用物理系 广州510641 香港城市理工学院
本文的实验结果表明,从6MV/cm到14MV/cm的外加电场范围内,在氮氧化硅膜的漏电机理与常规方法生长的氧化硅的不同。氮氧化硅膜漏电机理可分为三种。当电场小于8MV/cm时,漏电是由于注入电子的直接隧穿填充绝缘体中的浅陷阱而引起的。在高... 详细信息
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文化创意产业园区转型升级路径研究——基于协同理论与上海实践
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企业经济 2016年 第6期35卷 146-150页
作者: 郑耀宗 上海社会科学院部门经济研究所
文化创意产业园区体系的发展以打造创意环境吸引文化创意企业为起点,经由集聚动力机制的推动来提高园区中各种创意资源的集聚。通过反馈动力机制,借由创意资源的集聚,改善园区的创意氛围,增强园区的创意辐射能力。在内层系统和外层系统... 详细信息
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21世纪高等教育——香港大学的发展趋向
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上海高教研究 1997年 第5期17卷 13-15页
作者: 郑耀宗 香港大学
21世纪高等教育——香港大学的发展趋向□郑耀宗21世纪将是一个以经济发展为主导的时代;经济发展的竞争会非常激烈,人力资源必将是一个决定性的因素。高等教育的发展,必须配合社会的需求作用。不过,当大学都着眼于经济成就时,... 详细信息
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基于孪生平行交互网络和视觉—语言学习的目标跟踪算法研究
基于孪生平行交互网络和视觉—语言学习的目标跟踪算法研究
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作者: 郑耀宗 华侨大学
学位级别:硕士
近几年来,视觉目标跟踪依托于高质量的大规模数据集和先进的算法设计思想,取得了里程碑式的发展。这有望加速推进算法的落地应用,并拓展推进多模态跟踪和分割、视频理解分析等相关学科领域的研究。一个可靠的视觉跟踪算法对目标对象的... 详细信息
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基于深度学习的动态场景视觉SLAM研究
基于深度学习的动态场景视觉SLAM研究
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作者: 郑耀宗 浙江师范大学
学位级别:硕士
随着科学技术的发展,机器人在人类社会中扮演着越来越重要的角色。同时定位与建图(Simultaneous Localization and Mapping,SLAM)是实现机器人智能化与自主化的关键技术。当机器人使用的传感器为视觉传感器时,该项技术被称为视觉SLAM。... 详细信息
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习近平“生命共同体”理念研究
习近平“生命共同体”理念研究
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作者: 郑耀宗 云南财经大学
学位级别:硕士
人是自然界发展到一定阶段的产物,既是一种物质实体,又是一种关系实在。人从来没有也不可能脱离关系尤其是与自然的关系而存在。但人与自然的关系并非是一成不变的,而是一个处在动态发展过程中的“关系实在”。它随着人类实践活动的历... 详细信息
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SiO_xN_y薄膜高场电子陷阱和释放特性的研究
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物理学报 1991年 第11期40卷 1855-1861页
作者: 杨炳良 刘百勇 郑耀宗 王曦 华南理工大学应用物理系 广州510641 香港城市理工学院
本文研究热氮氧化硅(SiO_xN_y)薄膜在高场下的电子陷阱和被陷电子的释放。发现:当样品被氮化的程度较轻时,膜中的有效电子陷阱表面浓度随着样品被氮化时间的增加而迅速增加,被陷电子的释放率近于零,与样品被短路的时间及外加反向电场的... 详细信息
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溅射铜膜的闪烁噪声和表面粗糙度的关系
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电子学报 1990年 第6期18卷 104-106页
作者: 王曦 郑耀宗 阮刚 王建伟 香港大学电机电子工程系 复旦大学电子工程系
本文首次采用了金属膜的表面特征来研究金属膜的闪烁噪声。结果表明在二氧化硅和蓝宝石衬底上溅射的铜膜的表面特征及噪声行为都很不相同。粗糙不规则的表面对金属薄膜的闪烁噪声起重要作用。这种噪声的物理模型与MOS器件闪烁噪声的机... 详细信息
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三氯乙烯氧化硅膜推迟破坏性击穿的机理研究
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物理学报 1991年 第11期40卷 1846-1854页
作者: 李观启 黄美浅 刘百勇 郑耀宗 华南理工大学应用物理系 广州510641 香港大学
本文对三氯乙烯(TCE)氧化推迟SiO_2膜的破坏性击穿及其机理进行了研究。结果表明,随着TCE流量的增大、处理时间的增加、温度的升高和氧分压的降低,SiO_2膜的击穿电流耐量增大。但过大的TCE流量和过长的处理时间,将使击穿特性变坏。结果... 详细信息
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150快速热氮化SiO_2膜的击穿特性
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物理学报 1991年 第1期40卷 154-160页
作者: 刘志宏 陈蒲生 刘百勇 郑耀宗 香港大学电机与电子工程系 华南理工大学物理系 广州510641 香港城市理工学院电子工程系
对具有器件质量的150A厚SiO_2膜经传统的长时间热氮化和高温快速热氮化后,研究了其击穿特性及其在高场强下的耐久力。研究结果表明,氮化后击穿场强的分布变窄,对栅电极面积的依赖性减弱,最大击穿场强略微下降。热氮化对高电场下SiO_2/S... 详细信息
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