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改进SF6锥形绝（纟元）子电场计祘精确度的一个方法

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华北电力大学学报(自然科学版) 1980年第1期 74-76页

作者：邵汉光 ,姚撫城 ,仲浙东

用有限元素法计祘静电场时,需将场域划分为三角形元素,然后按规定的格式对节点和元素进行编号、计祘电位的插值、求泛函等[1].准备好数据后,即可上机计祘。在求泛函时,除元素的三顶点外,元素中的电位函数是按线性插值方法构成的,求得的... 详细信息

用有限元素法计祘静电场时,需将场域划分为三角形元素,然后按规定的格式对节点和元素进行编号、计祘电位的插值、求泛函等[1].准备好数据后,即可上机计祘。在求泛函时,除元素的三顶点外,元素中的电位函数是按线性插值方法构成的,求得的电场强度是元素中的平均电场强度,而不是元素中最大的场强[2]。用元素的平均场强来校核介质强度时,将会发生误差,特别是元素的面积较大时,误差更为显著.例如,计祘图1

关键词：场强顶点不均匀系数电场强度锥形绝缘子电场电磁场

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我市多措推进工业企业有序生产

我市多措推进工业企业有序生产

连云港日报

作者：周莹姚邵庄贺成东

本报讯（记者周莹通讯员连工信姚邵庄贺成东）昨日，赣榆区镔鑫特钢生产现场，高速棒材生产线上，一条条钢筋正有序地在轧机间穿梭。镔鑫特钢相关负责人陈禹介绍：“依托5G+工业互联网，镔钢集团正在全面推进智慧生产和智能制造，... 详细信息

本报讯（记者周莹通讯员连工信姚邵庄贺成东）昨日，赣榆区镔鑫特钢生产现场，高速棒材生产线上，一条条钢筋正有序地在轧机间穿梭。镔鑫特钢相关负责人陈禹介绍：“依托5G+工业互联网，镔钢集团正在全面推进智慧生产和智能制造，借助高清监控、数据大屏、操作终端、无线......

关键词：疫情防控

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利用随机去耦合推演谐振子的传播子

Chinese Journal of Chemical Physics 2024年第2期37卷 192-198,I0102页

作者：邵久书北京师范大学化学学院高等量子研究中心北京100875

本文采用随机去耦合方法,将谐振子的量子演化转化为虚拟的两部分,它们分别由随机产生算符和随机灭算符确定讨论了两种解析虚拟算符的手段,一种基于相干态表示,另一种则基于位置和动量分解后的动量表示:联合两个虚拟传播子并对涉及的噪... 详细信息

本文采用随机去耦合方法,将谐振子的量子演化转化为虚拟的两部分,它们分别由随机产生算符和随机灭算符确定讨论了两种解析虚拟算符的手段,一种基于相干态表示,另一种则基于位置和动量分解后的动量表示:联合两个虚拟传播子并对涉及的噪声求统计评价就得到谐振子的量子传播子.整个过程的主要数学处理为求算高斯积分.

关键词：量子演化传播子谐振子随机去耦合

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赣榆1143家私企党建全覆盖 A09

连云港日报

作者：陶莎赵同钱入磊姚邵庄

本报讯（记者陶莎通讯员赵同钱入磊姚邵庄）近日，连云港富娃床垫厂党支部赞助的城头镇“富娃杯”广场舞大赛在城头镇中心小学落下帷幕，参加比赛的群众对企业党支部丰富农村群众文化生活的做法交口称赞。近年来，赣榆区切实加大...

本报讯（记者陶莎通讯员赵同钱入磊姚邵庄）近日，连云港富娃床垫厂党支部赞助的城头镇“富娃杯”广场舞大赛在城头镇中心小学落下帷幕，参加比赛的群众对企业党支部丰富农村群众文化生活的做法交口称赞。近年来，赣榆区切实加大私营企业党建工作力度，截至目前，该区1143

关键词：

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微型计算机在快速扫描测量中的应用

航天制造技术 1984年第S2期 107-112页

作者：潘赞斌邵姚定施薇薇周莉珠荣若飞

新型正交相BN单层半导体有毒气体吸附性能及电输运性能的理论研究

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物理学报 2024年第12期73卷 338-349页

作者：赵俊姚璨曾晖南京邮电大学理学院南京210023 南京理工大学微电子学院南京210094

低维材料表面的有毒气体吸附一直是分子传感器领域的研究热点.最近的新型正交相二维BN单层半导体材料引起了学者的广泛关注.基于第一性原理计算,本文研究了有毒气体分子(CO,H_(2)S,NH_(3),NO,NO_(2)和S02)在二维正交相BN单层表面的吸附... 详细信息

低维材料表面的有毒气体吸附一直是分子传感器领域的研究热点.最近的新型正交相二维BN单层半导体材料引起了学者的广泛关注.基于第一性原理计算,本文研究了有毒气体分子(CO,H_(2)S,NH_(3),NO,NO_(2)和S02)在二维正交相BN单层表面的吸附特性.吸附能计算表明,正交相BN材料对所有气体的吸附均是能量有利的放热过程.NO_(2)和NH_(3)为化学吸附,其他体系均为物理吸附,且NO吸附后体系具有自旋极化的电子能带结构.态密度计算结果显示,NO_(2)和SO_(2)的吸附对费米能级附近的电子占据有显著影响.NO_(2)吸附后,体系的功函数和电子结构特性均明显改变,表明BN单层半导体材料对NO_(2)分子具有良好的吸附选择性和探测灵敏度.采用第一性原理结合非平衡格林函数方法计算了纳米电子器件的输运性能.在1 V偏压下,NO_(2)分子的吸附可使体系电流增大到6500 nA,显著增强了BN单层半导体器件的电输运性能,因此二维BN单层对NO_(2)气体吸附具有优异的探测敏感度.此外,轴向应力能够有效调控体系的吸附性能.研究表明,正交相BN单层材料对有毒气体具有优异的吸附性能,在新型有毒气体传感探测器件领域有较大的应用潜力.

关键词：吸附正交相BN 第一性原理电输运气体传感器

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一岛两侧站与单岛站十字换乘方案设计研究

隧道建设（中英文） 2024年第5期44卷 1068-1076页

作者：姚显贵中铁第六勘察设计院集团有限公司天津300308

为解决两线十字交叉换乘站设计中换乘易拥堵、建设地下大空间投资大以及施工期交通组织与管线迁改困难等问题,通过吸取前人研究成果,结合自身设计实践,提出采用一岛两侧站台、增加楼扶梯数量及点位、扩大站厅十字交叉区域面积、优化换... 详细信息

为解决两线十字交叉换乘站设计中换乘易拥堵、建设地下大空间投资大以及施工期交通组织与管线迁改困难等问题,通过吸取前人研究成果,结合自身设计实践,提出采用一岛两侧站台、增加楼扶梯数量及点位、扩大站厅十字交叉区域面积、优化换乘路径等方式,使上下车乘客流线分离、换乘客流单向循环,最大程度减少客流交叉、加大缓冲区域,有效缓解换乘便捷与拥堵的矛盾;同时,借助客流仿真进行优化设计,达到大客流车站换乘的最佳效果;针对常规十字换乘站地下空间压抑、视线不通透的问题,在节点区域采用组合结构,实现大跨度、大层高设计,改善空间尺度和乘客舒适性。在节点区域采用小埋深、大空间,是在提高换乘功能、空间效果的基础上节约投资的有效途径。在十字路口下方的节点区采用盖挖逆作法,可提高深基坑的安全性,显著减小工程建设对道路交通、市政管线等外部环境的影响,并可节约大量混凝土支撑等临时结构,是一种安全、环保的建造方法。研究和实践表明:针对城市核心区的两线十字交叉大客流换乘站,综合利用一岛两侧站台、组合结构、盖挖逆作法等方法,可以达到车站设计综合效果最优的目的。

关键词：地铁车站一岛两侧十字换乘地下大空间缓冲区域客流仿真

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多频共振发生的条件及性质

中南大学学报（自然科学版） 2024年第6期55卷 2187-2197页

作者：姚彻魏晓军中南大学土木工程学院湖南长沙410075

对结构能否发生多频共振及发生多频共振的种数进行理论分析,并给出分析步骤。在非线性情况下通过作图对多频共振发生区域的几何性质进行分析,并从力学角度对其物理意义进行阐述,最后通过实例对多频共振发生的条件及性质理论进行验证。... 详细信息

对结构能否发生多频共振及发生多频共振的种数进行理论分析,并给出分析步骤。在非线性情况下通过作图对多频共振发生区域的几何性质进行分析,并从力学角度对其物理意义进行阐述,最后通过实例对多频共振发生的条件及性质理论进行验证。研究结果表明:在线性情况下,可精确判断出所选频率间是“不存在多频共振”、“存在一种多频共振”还是“存在无穷多种多频共振”;在非线性情况下,发现在大的共振区域越能形成大的非共振区域;在结构含有3个频率(其中包括固有频率及外荷载频率)时,以2组频率比为横、纵坐标绘图,发现当图中点的2个坐标分量的最简公分母很小时,该点附近以及此类点连线附近会存在较大的多频共振区域;在结构含有2个频率且当截断数为n时,增大非线性耦合强度K,最晚发生多频共振的频率比为截断数为n+1时最早发生多频共振的频率比,因此,在非线性动力学研究中,需谨慎考虑内共振可能出现的情形。

关键词：多频共振非线性区域

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无电荷层InGaAs/Si雪崩光电探测器的优化设计

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光学学报 2024年第5期44卷 19-28页

作者：张娟姚儿柯少颖闽南师范大学物理与信息工程学院光场调控及其系统集成应用福建省高校重点实验室福建漳州363000

目前,在近红外波段中普遍采用InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD),但这类APD存在增益带宽积小和等效噪声高等问题,而InGaAs/Si APD采用电子、空穴离化系数极低的Si材料作为倍增层,在一定程度解决了上述问题,但其制造过程涉及Si电荷层的离子... 详细信息

目前,在近红外波段中普遍采用InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD),但这类APD存在增益带宽积小和等效噪声高等问题,而InGaAs/Si APD采用电子、空穴离化系数极低的Si材料作为倍增层,在一定程度解决了上述问题,但其制造过程涉及Si电荷层的离子注入和高温退火激活,该过程工艺复杂、杂质分布不均匀、成本高。因此,本研究采用刻蚀技术在Si倍增层内制备凹槽环,并在凹槽环内填充不同介质对InGaAs层及Si层内的电场进行调控,构建无电荷层InGaAs/Si APD器件模型。结果表明,在凹槽环内填充空气或SiO2可获得高性能的InGaAs/Si APD。该研究结果可为后续研制工艺简单、性能稳定、低噪声的InGaAs/Si APD提供理论指导。

关键词：探测器雪崩光电二极管增益带宽积电荷层凹槽环