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Ar气氛中退火对Zn_(0.66)Co_(0.34)O薄膜性能的影响

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功能材料 2007年第7期38卷 1089-1092页

作者：刘谱成邱东江浙江大学物理系浙江杭州310027

采用电子束反应蒸发生长Zn0.66Co0.34O薄膜,生长温度仅为250℃,尔后在Ar气氛中500℃退火1h。场发射扫描电镜测量显示薄膜由粒径约10～20nm的晶粒所构成。X射线衍射测量表明薄膜在退火前后均呈类ZnO的六方纤锌矿结构。振动样品磁场计测... 详细信息

采用电子束反应蒸发生长Zn0.66Co0.34O薄膜,生长温度仅为250℃,尔后在Ar气氛中500℃退火1h。场发射扫描电镜测量显示薄膜由粒径约10～20nm的晶粒所构成。X射线衍射测量表明薄膜在退火前后均呈类ZnO的六方纤锌矿结构。振动样品磁场计测量室温下薄膜的M-H曲线,结果显示退火前薄膜呈超顺磁性,退火后则为铁磁、超顺磁混合态,这表明退火提供了足够能量使得薄膜中一部分磁性Zn0.66Co0.34O小晶粒融合成大晶粒,新晶粒的尺寸超过了Zn0.66Co0.34O材料的超顺磁临界半径而表现出铁磁性,但由于另有部分晶粒仍表现为超顺磁性,故薄膜呈铁磁性与超顺磁性的混合态。

关键词： Zn0.66Co0.34O薄膜退火微结构磁特性

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RF-HFCVD生长高质量纳米金刚石薄膜

红外与毫米波学报 2002年第3期21卷 167-170页

作者：邱东江吴惠桢陈奶波石成儒浙江大学物理系浙江杭州310028 浙江大学中心实验室浙江杭州310028

采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W .在... 详细信息

采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W .在该条件下金刚石成核密度达 10 11cm-2 ,经 1h生长即获得连续薄膜 ,其平均晶粒尺寸为 2 5nm ,表面粗糙度仅为 5 5 ,在近红外区域 (80 0nm处 )的光透过率达 90 % .

关键词： RF-HFCVD 生长纳米金刚石薄膜射频等离子体增强热丝化学气相沉积光透过率

白宝石衬底上生长的Mg_xZn_(1-x)O晶体薄膜的结构和光学性能

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物理学报 2004年第1期53卷 311-315页

作者：陈奶波吴惠桢邱东江浙江大学物理系杭州31002

在白宝石 (sapphire)衬底上低温外延生长出了MgxZn1 -xO晶体薄膜 .x射线衍射 (XRD)及能量色散x射线 (EDX)分析表明 ,MgxZn1 -xO薄膜的晶体结构依赖于薄膜中Mg的组分x,随着Mg组分的增大 ,MgxZn1 -xO薄膜的结构从与ZnO晶体一致的六方结构... 详细信息

在白宝石 (sapphire)衬底上低温外延生长出了MgxZn1 -xO晶体薄膜 .x射线衍射 (XRD)及能量色散x射线 (EDX)分析表明 ,MgxZn1 -xO薄膜的晶体结构依赖于薄膜中Mg的组分x,随着Mg组分的增大 ,MgxZn1 -xO薄膜的结构从与ZnO晶体一致的六方结构转变为与MgO晶体一致的立方结构 .对MgxZn1 -xO薄膜的紫外透射光谱及紫外光致荧光谱 (UVPL)的分析表明 ,随着Mg组分的增大 ,光学吸收边产生明显的蓝移 ,表明MgxZn1 -xO晶体薄膜的带隙增大 ,且带隙连续可调 .吸收光谱和XRD测量显示 ,带隙高达 5 6 5eV的MgxZn1 -xO晶体薄膜与MgO之间的晶格失配仅为0 16 % .

关键词：晶体薄膜能量色散电子束蒸发反应结构性能光学性能紫外透射光谱紫外光致荧光谱晶格失配

MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较

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红外与毫米波学报 2003年第5期22卷 349-352页

作者：陈奶波邱东江吴惠桢张寒洁鲍世宁何丕模浙江大学物理系浙江杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝... 详细信息

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝移至 373nm ,这可能与MgZnO的带隙变宽有关 .对ZnO薄膜的研究还发现 ,生长过程中充O2 与否对ZnO发光特性的影响显著 ,不充O2 时样品的紫外荧光峰较之充O2

关键词：紫外光致荧光谱 X射线光电子能谱晶体薄膜氧化锌电子束蒸发反应沉积法光谱蓝移光谱红移带隙

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新概念学生百科知识世界历史奇闻

热丝碳化促进CVD金刚石成核增强的物理机制

丛书名：新概念学生百科知识

2005年

作者：邱东江潘淑芸编

2202010801

ISBN: (纸本)720407971X

2202010801

关键词：科学知识

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功能材料 2002年第1期33卷 46-48页

作者：邱东江吴惠桢石成儒徐晓玲郝天亮浙江大学物理系浙江杭州310028 浙江大学中心实验室浙江杭州310028

采用扫描电镜、Ｘ射线衍射及喇曼光谱等手段研究了ＨＦＣＶＤ过程中热丝碳化对金刚石成核特性的影响。热丝经充分碳化后能发射出更多热电子，进而从反应气体中激发出更多原子Ｈ和ＣＨ３＋，使金刚石晶核的孕育期大为缩短，３ｍｉｎ内即... 详细信息

采用扫描电镜、Ｘ射线衍射及喇曼光谱等手段研究了ＨＦＣＶＤ过程中热丝碳化对金刚石成核特性的影响。热丝经充分碳化后能发射出更多热电子，进而从反应气体中激发出更多原子Ｈ和ＣＨ３＋，使金刚石晶核的孕育期大为缩短，３ｍｉｎ内即可在未经表面预处理的Ｓｉ衬底上获得１０１０ｃｍ－２以上的高晶核密度。

关键词：热丝碳化金刚石成核 CVD 金刚石膜

退火对Mn和N共掺杂的Zn_(0.88)Mn_(0.12)O:N薄膜特性的影响

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物理学报 2008年第8期57卷 5249-5255页

作者：邱东江王俊丁扣宝施红军郏寅浙江大学物理系杭州310027 浙江大学信息与电子工程学系杭州310027

以NH3为掺N源,采用电子束反应蒸发技术生长了Mn和N共掺杂的Zn1-xMnxO:N薄膜,生长温度为300℃,然后在O2气氛中400℃退火0.5h.X射线衍射测量表明,Zn0.88Mn0.12O(Mn掺杂)薄膜或Zn0.88Mn0.12O:N(Mn和N共掺杂)薄膜仍具有单一晶相纤锌矿结构,... 详细信息

以NH3为掺N源,采用电子束反应蒸发技术生长了Mn和N共掺杂的Zn1-xMnxO:N薄膜,生长温度为300℃,然后在O2气氛中400℃退火0.5h.X射线衍射测量表明,Zn0.88Mn0.12O(Mn掺杂)薄膜或Zn0.88Mn0.12O:N(Mn和N共掺杂)薄膜仍具有单一晶相纤锌矿结构,未检测到杂质相.与不掺N的Zn0.88Mn0.12O薄膜相比,Zn0.88Mn0.12O:N薄膜的(002)晶面衍射峰向小角度方向偏移且半高宽变宽.Hall效应测量结果显示,Zn0.88Mn0.12O:N薄膜由退火前的n型导电转变为退火后的p型导电.室温磁特性测量结果表明,虽然原生Zn0.88Mn0.12O:N薄膜呈铁磁性,但其饱和磁化强度Ms折算到每个Mn2+仅为约0.20μB,且稳定性不理想,在大气中放置30d后Ms降低到原来的3%左右.退火处理不仅使Zn0.88Mn0.12O:N薄膜的室温Ms增大到每个Mn2+约为0.70μB,且在大气中放置30d后其Ms几乎不变.分析了Zn0.88Mn0.12O:N薄膜的铁磁性起源及退火导致其铁磁性增强并稳定的机理.

关键词： ZnO薄膜 Mn和N共掺杂电学特性磁特性

Si(111)衬底上生长的立方Mg_xZn_(1-x)晶体薄膜

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无机材料学报 2003年第6期18卷 1385-1388页

作者：邱东江吴惠桢陈奶波田维坚浙江大学物理系杭州310028 中国科学院西安精密光学机械研究所西安710068

在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了Mg_xZn(1-x)O晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方Mg_xZn(... 详细信息

在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了Mg_xZn(1-x)O晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方Mg_xZn(1-x)O薄膜,温度过高时得到多晶薄膜.对高度(200)取向的立方Mg_xZn(1-x)O薄膜的光荧光激发谱(PLE)分析表明其光学带隙为4.20eV,相对于MgO的带隙红移量为3.50eV.XRD分析还表明立方Mg_xZn(1-x)O薄膜与MgO衬底之间的晶格失配仅为0.16％.这使得高质量立方Mg_xZn(1-x)O/MgO多量子阱材料的制备成为可能.

关键词：电子束反应蒸镀立方MgxZn1-xO薄膜

低温生长Zn_(1-x)Co_xO(x=0．33)薄膜的微结构和磁性

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材料研究学报 2007年第2期21卷 171-176页

作者：邱东江刘谱成冯春木冯爱明余萍丁丽浙江大学物理系杭州310027 浙江大学分析测试中心杭州310028 中国计量学院计量工程学院杭州310018

用电子束反应蒸镀法在低温生长了Zn1-xCoxO薄膜．Co含量x高达0．33的Zn1-xCoxO薄膜仍具有类ZnO的纤锌矿结构,没有杂质相,Co的化合价为+2．场冷和零场冷M-T及M-H曲线表明,Zn1-xCoxO(x=0．33)薄膜在低温下具有铁磁性;随着温度的升高,其剩... 详细信息

用电子束反应蒸镀法在低温生长了Zn1-xCoxO薄膜．Co含量x高达0．33的Zn1-xCoxO薄膜仍具有类ZnO的纤锌矿结构,没有杂质相,Co的化合价为+2．场冷和零场冷M-T及M-H曲线表明,Zn1-xCoxO(x=0．33)薄膜在低温下具有铁磁性;随着温度的升高,其剩磁和矫顽力均逐渐下降,在65 K以上趋于零,显示出超顺磁性．Zn1-xCoxO薄膜的低温铁磁性起源于Co2+离子之间的双交换相互作用及载流子诱导的sp-d交换耦合作用,而从低温(65 K)超顺磁态的转变可归因于薄膜的纳米晶小尺寸效应．

关键词：无机非金属材料 Zn1-xCoxO薄膜电子束反应蒸发微结构磁特性