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喇曼散射光极值法定闪锌矿结构薄层的晶向

Journal of Semiconductors 1990年第7期11卷 500-507页

作者：吴华生邬建根屈逢源复旦大学物理系

测定金刚石结构薄层晶体的喇曼散射光极值法被推广到测定闪锌矿结构薄层晶体的晶向。导出了闪锌矿结构晶体LO和TO声子的喇曼散射光强和晶体的方位及入射光偏振方向间的函数关系。由函数的极值可以确定簿层的晶向。对GaP晶片比较了本方... 详细信息

测定金刚石结构薄层晶体的喇曼散射光极值法被推广到测定闪锌矿结构薄层晶体的晶向。导出了闪锌矿结构晶体LO和TO声子的喇曼散射光强和晶体的方位及入射光偏振方向间的函数关系。由函数的极值可以确定簿层的晶向。对GaP晶片比较了本方法得到的结果和X射线衍射法得到的结果。

关键词：锌矿晶体晶向喇曼散射光极值

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凝聚态光学性质的研究和进展八 1

1996年

作者：陈良尧褚君浩邬建根编

全国凝聚态光学性质学术会议是由中国物理学会主办的，每两年一次的全国性学术会议。第八届会议于1996年 9月23一27日在杭州举行。本届会议由复旦大学、中国科学院上海技术物理研究所、浙江省物理学会和上海应用物理研究中心联合承办‘，

ISBN: (纸本)7309017919

关键词：凝聚态

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现场光热光谱法研究银电极行为

化学学报 1992年第4期50卷 372-377页

作者：江志裕向阳王江涛邬建根时炳文沈寿彭复旦大学化学系上海200433 中国科学院上海有机化学研究所上海200032

利用聚偏二氟乙烯(PVDF)热释电膜作为热传感器,本文首次独立设计了现场光热光谱研究用的电解池,对电解池的光热信息进行了理论分析,并用该法研究了碱性溶液中银电极表面氧化层的性质。从光谱的变化证实:Ag表面Ag_2O层的生成与循环伏安... 详细信息

利用聚偏二氟乙烯(PVDF)热释电膜作为热传感器,本文首次独立设计了现场光热光谱研究用的电解池,对电解池的光热信息进行了理论分析,并用该法研究了碱性溶液中银电极表面氧化层的性质。从光谱的变化证实:Ag表面Ag_2O层的生成与循环伏安曲线上阳极电流增长(约0.22V)同步。类似情况亦发生在AgO层的生成过程。

关键词：银电极氧化层现场光热光谱

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灯光退火装置及其均匀性

固体电子学研究与进展 1990年第4期10卷 374-378页

作者：朱景兵邬建根屈逢源复旦大学物理系

设计制造了快速灯光退火装置,对灯光退火装置的退火均匀性作了理论计算,将灯光退火均匀性的计算结果与作者自行设计的装置所得的实验结果进行比较.结果表明,作者应用自己提出的计算方法设计制造的灯光通火装置各项指标都达到设计要求.... 详细信息

设计制造了快速灯光退火装置,对灯光退火装置的退火均匀性作了理论计算,将灯光退火均匀性的计算结果与作者自行设计的装置所得的实验结果进行比较.结果表明,作者应用自己提出的计算方法设计制造的灯光通火装置各项指标都达到设计要求.此装置能快速、均匀、有效地对半导体中由于离子注入造成的晶格损伤进行退火,并能用于其他半导体热处理工艺.

关键词：集成电路离子注入灯光退火装置

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含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究

红外与毫米波学报 1991年第5期10卷 327-331页

作者：胡灿明黄叶肖叶红娟沈学础祁明维邬建根李晓雷中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083 中国科学院上海冶金研究所上海200050 复旦大学物理系上海200433

报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表... 详细信息

报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。

关键词：直拉硅复合浅施主光热电离谱硅

部分完美晶体器件工艺的改进和pn结反向电流的降低

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固体电子学研究与进展 1991年第4期11卷 307-312页

作者：郑国祥周寿通屈逢源邬建根郑凯复旦大学物理系上海200433 上海无线电十七厂 200010

为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向电流.

关键词：导体器件工艺 Pn结反向电流

高纯真空区熔硅单晶在快速热退火下的红外吸收

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稀有金属 1991年第3期15卷 187-189页

作者：张继昌邬建根马碧兰屈逢源朱景兵同济大学复旦大学中国科学院红外物理国家实验室

高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm^(-1)的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO_2层中氧的恒定表面浓度扩散近似,得到样品中氧的计算值和实验值... 详细信息

高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm^(-1)的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO_2层中氧的恒定表面浓度扩散近似,得到样品中氧的计算值和实验值大致相符。

关键词：硅晶体快速热退火红外吸收

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硅中载流子浓度的红外自由载流子吸收测定法

稀有金属 1991年第6期15卷 465-467页

作者：马碧兰邬建根屈逢源朱景兵张继昌复旦大学中国科学院上海技术物理研究所同济大学

硅材料和硅器件的许多性质和性能都与载流子浓度有直接依赖关系。测定硅中载流子浓度已发展有许多方法,如四探针法、霍耳系数法,C-V法、光致荧光法、杂质吸收法等等。1958年吴仲墀等人利用室温下10.6μm处自由载流子的吸收系数α测定硅... 详细信息

硅材料和硅器件的许多性质和性能都与载流子浓度有直接依赖关系。测定硅中载流子浓度已发展有许多方法,如四探针法、霍耳系数法,C-V法、光致荧光法、杂质吸收法等等。1958年吴仲墀等人利用室温下10.6μm处自由载流子的吸收系数α测定硅中载流子浓度,作者则采用在500～3500cm-1红外波段内测量的吸收系数α,得到了载流子浓度N。

关键词：硅载流子浓度载流子吸收法

快速热退火铝合金降低硅p^+-n结的漏电流

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固体电子学研究与进展 1990年第4期10卷 369-373页

作者：郭慧邬建根沈孝良屈逢源金辅政张建平朱景兵复旦大学物理系上海无线电十七厂中国科学院上海技术物理研究所

快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P^+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.

关键词：热退火铝合金 P-n结漏电流硅