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炭分子筛的结构和表面性质对其吸附分离CH_4/N_2和CO_2/N_2的影响

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功能材料 2012年第20期43卷 2858-2862页

作者：张薄辜敏鲜学福重庆大学煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室重庆400044 重庆大学复杂煤气层瓦斯抽采国家地方联合工程实验室重庆400044

对日本Takeda(CMS-1)、Kuraray(CMS-2)和德国BF(CMS-3)3种炭分子筛(CMS)的孔结构和表面官能团进行了表征,分析了它们对CH4/N2和CO2/N2的吸附平衡和吸附动力学分离性能,以及CMS的结构与表面性质对吸附性能的影响。结果表明,CMS-1和CMS-2... 详细信息

对日本Takeda(CMS-1)、Kuraray(CMS-2)和德国BF(CMS-3)3种炭分子筛(CMS)的孔结构和表面官能团进行了表征,分析了它们对CH4/N2和CO2/N2的吸附平衡和吸附动力学分离性能,以及CMS的结构与表面性质对吸附性能的影响。结果表明,CMS-1和CMS-2可实现CH4/N2的动力学分离,还可实现N2/CO2的平衡分离;CMS-3平衡分离CH4/N2和CO2/N2的效果要优于动力学分离。孔结构是影响炭分子筛分离性能的直接因素,孔径分布的差异使CMS-1和CMS-2对CH4/N2的位阻-动力学分离效应表现得更为明显;表面含氧官能团有利于提高炭分子筛的吸附分离性能。

关键词：炭分子筛 CH4 CO2 N2 分离

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抽放煤层气变压吸附过程的数学模拟

煤炭学报 2001年第3期26卷 323-326页

作者：辜敏陈昌国鲜学福汕头大学化学系广东汕头515063 重庆大学采矿工程系重庆400044

建立了变压吸附过程的非等速、非线性等温平衡模型 ,并对浓缩抽放煤层气中CH4 的变压吸附过程循环进行了数值模拟 ,理论计算结果与实测数据相符 ,表明本模型是适用的 .利用该模型详细讨论了吸附柱内CH4

关键词：抽放煤层气变压吸附数学模拟甲烷 PSA法气体分离技术

阴极直接制备铜氧化物-SiO_(2)复合薄膜及其电化学形成机理

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材料导报 2023年第5期37卷 27-32页

作者：辜敏吴亚珍重庆大学煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室重庆400044 重庆大学资源及安全工程学院重庆400044

以室温下制备出的n_(Cu)^(2+)∶n_(Cit)^(3-)=2∶1的透明稳定的Cu(Ⅱ)-Cit^(3-)-SiO_(2)复合溶胶为电解液,直接在氧化铟锡导电玻璃(ITO)阴极上电沉积得到铜氧化物-SiO_(2)复合薄膜。循环伏安(CV)和X射线衍射(XRD)结果表明,溶胶中Cu^(2+... 详细信息

以室温下制备出的n_(Cu)^(2+)∶n_(Cit)^(3-)=2∶1的透明稳定的Cu(Ⅱ)-Cit^(3-)-SiO_(2)复合溶胶为电解液,直接在氧化铟锡导电玻璃(ITO)阴极上电沉积得到铜氧化物-SiO_(2)复合薄膜。循环伏安(CV)和X射线衍射(XRD)结果表明,溶胶中Cu^(2+)与吸附在电极上的SiO_(2)溶胶共电沉积形成Cu_(2)O-SiO_(2)凝胶薄膜,XRD和计时安培(CA)结果表明,薄膜中的SiO_(2)量随过电位升高而减少。X射线光电子能谱(XPS)、XRD和能量色散X射线(EDX)结果表明,高过电位下,SiO_(2)和Cu(Ⅱ)借助析氢生成的OH-共沉积,得到CuO/Cu_(2)O-SiO_(2)薄膜,这与扫描电子显微镜(SEM)图片显示的所得薄膜具有两种不同形貌的颗粒的结果一致。

关键词：氧化亚铜-二氧化硅氧化铜/氧化亚铜-二氧化硅复合薄膜复合溶胶电化学形成

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高择优取向铜镀层的电化学形成及其表面形貌

物理化学学报 2002年第11期18卷 973-978页

作者：辜敏杨防祖黄令姚士冰周绍民汕头大学化学系 2厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室物理化学研究所厦门361005

采用电化学方法在H2SO4-CuSO4电解液中获得高择优取向的Cu电沉积层.XRD结果表明,在1.0～6.0和15.0A·dm-2的电流密度下可分别获得(220)和(111)晶面高择优取向的Cu镀层.在同一电流密度下获得的Cu电沉积层织构度随镀层厚度增大而提高.SEM... 详细信息

采用电化学方法在H2SO4-CuSO4电解液中获得高择优取向的Cu电沉积层.XRD结果表明,在1.0～6.0和15.0A·dm-2的电流密度下可分别获得(220)和(111)晶面高择优取向的Cu镀层.在同一电流密度下获得的Cu电沉积层织构度随镀层厚度增大而提高.SEM结果表明,在4.0和15.0A·dm-2的电流密度下可分别获得(220)和(111)织构Cu沉积层,其表面形貌在(220)晶面取向时呈现为细长晶粒连结成的网状,在(111)取向时则呈六棱锥状.提出了可能的机理,认为电流密度变化引起的Cu镀层择优取向晶面的转化归因于电结晶晶面生长方向及生长速度竞争的结果.

关键词：择优取向铜镀层电化学形成电沉积表面形貌镀铜

添加剂3-巯基-1-丙烷磺酸钠对铜电沉积影响的研究

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化学学报 2010年第17期68卷 1707-1712页

作者：钟琴辜敏李强重庆大学资源及环境科学学院西南资源开发与环境灾害控制工程教育部重点实验室重庆400044

采用循环伏安(CV)、线性电位扫描(LSV)、计时安培(CA)和交流阻抗(AC impedance)电化学方法结合扫描电镜(SEM)研究了不同浓度的3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)对CuSO4-H2SO4体系中铜在玻碳电极(GCE)上的电沉积过程的影响.CV,LSV和AC impedanc... 详细信息

采用循环伏安(CV)、线性电位扫描(LSV)、计时安培(CA)和交流阻抗(AC impedance)电化学方法结合扫描电镜(SEM)研究了不同浓度的3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)对CuSO4-H2SO4体系中铜在玻碳电极(GCE)上的电沉积过程的影响.CV,LSV和AC impedance实验结果一致表明MPS阻化铜的电沉积,并且随着MPS浓度的增加,其阻化作用增强.但是MPS对Cu的电结晶过程表现为促进作用,CA与SEM研究结果一致表明,MPS不改变Cu的电结晶成核机理,仍然按瞬时成核和三维生长方式进行,并且成核数目随着MPS浓度的增大而增加.

关键词： MPS 铜电沉积电结晶

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混合气体的吸附特征

天然气工业 2001年第4期21卷 91-94页

作者：辜敏陈昌国鲜学福汕头大学重庆大学

我国煤层气资源十分丰富 ,但其利用率极低 ,这主要是因为抽放煤层气中的有效成分甲烷浓度低。因此对煤层气中甲烷的分离提纯极为重要。混合气中各组分在共同吸附时具有竞争性 ,这在变压吸附过程中直接影响到混合气中各组分的吸附和解吸... 详细信息

我国煤层气资源十分丰富 ,但其利用率极低 ,这主要是因为抽放煤层气中的有效成分甲烷浓度低。因此对煤层气中甲烷的分离提纯极为重要。混合气中各组分在共同吸附时具有竞争性 ,这在变压吸附过程中直接影响到混合气中各组分的吸附和解吸。文章通过模拟煤层气 (CH4 /N2 )的吸附过程 ,从理论上分析了混合气体吸附过程中各组分在游离相和吸附相的浓度变化特征及其对变压吸附分离的影响。最后讨论了抽放煤层气中其他组分对所要提纯组分CH4

关键词：混合气体煤成气成分气体吸附吸附分离

Te/TeO_2-SiO_2复合薄膜的吸收和非线性光学特性研究

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物理学报 2013年第7期62卷 434-441页

作者：甘平辜敏卿胜兰鲜晓东重庆大学煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室复杂煤气层瓦斯抽采国家地方联合工程实验室重庆400044 重庆大学通信工程学院重庆400044 重庆大学自动化学院重庆400044

应用分光光度计测量Te/TeO2-SiO2复合薄膜的透射光谱和吸收光谱,在480nm附近观察到Te颗粒引起的等离子体共振吸收峰;采用Z扫描技术研究了共振(激发波长为532nm)和非共振情况下(激发波长1064nm)不同电位制备薄膜的Te颗粒状态与复合薄膜... 详细信息

应用分光光度计测量Te/TeO2-SiO2复合薄膜的透射光谱和吸收光谱,在480nm附近观察到Te颗粒引起的等离子体共振吸收峰;采用Z扫描技术研究了共振(激发波长为532nm)和非共振情况下(激发波长1064nm)不同电位制备薄膜的Te颗粒状态与复合薄膜的三阶非线性极化率的关系.基于有效介质理论对复合薄膜的三阶非线性效应进行分析,研究Te颗粒大小对Te/TeO2-SiO2复合薄膜的非线性光学性质的影响及其产生机理.结果表明薄膜制备过电位增大,Te的粒径减小,颗粒数量多,颗粒分布趋于均匀,使得金属颗粒的表面等离子体共振峰红移,吸收强度增强,导致三阶非线性光学效应增强,χ(3)由1064nm的5.12×10-7esu增大为532nm的8.11×10-7esu.

关键词：碲二氧化碲复合薄膜三阶非线性

不同nCu^2＋∶nCit^3-的Cu(Ⅱ)-Cit^3-SiO2溶胶中电沉积制备CuxO-SiO2复合薄膜

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无机化学学报 2016年第4期32卷 617-624页

作者：吴亚珍辜敏重庆大学煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室重庆大学资源及环境科学学院重庆400044

以醋酸铜(Cu(Ac)2)和正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,柠檬酸钠(Na_3Cit)为配合剂,在室温下制备出物质的量之比n_(Cu^(2+))∶n_(Cit^(3-)) 为1∶1和1∶2的2种透明稳定的Cu(Ⅱ)-Cit^(3-)-SiO_2复合溶胶。以此为电解液,采用恒电位方法,在ITO阴... 详细信息

以醋酸铜(Cu(Ac)2)和正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,柠檬酸钠(Na_3Cit)为配合剂,在室温下制备出物质的量之比n_(Cu^(2+))∶n_(Cit^(3-)) 为1∶1和1∶2的2种透明稳定的Cu(Ⅱ)-Cit^(3-)-SiO_2复合溶胶。以此为电解液,采用恒电位方法,在ITO阴极上直接制备出了Cu_xO-SiO_2复合薄膜。CV(循环伏安)和XRD(X射线衍射)结果表明,在低过电位和高过电位分别得到Cu2_O-SiO_2和Cu/Cu_2O-SiO_2薄膜。XRD和EDX(X射线散射能谱)结果表明,相同沉积条件下,n_(Cu^(2+))∶n_(Cit^(3-)) 为1∶1溶胶中得到的薄膜中Cu含量较1∶2溶胶中的高。薄膜在2种溶胶中的电化学形成机理不同,其原因在于溶胶中Cu(Ⅱ)存在的形式不同。CA(计时安培)和SEM(扫描电镜)结果一致表明,Cu和Cu_2O在2种溶胶中的成核机理与电位有关,随着过电位增大,成核机理从三维连续成核逐渐转向瞬时成核。

关键词： Cu/Cu2O-SiO2 复合薄膜复合溶胶电化学沉积成核机理

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碲基复合薄膜在纳米尺度下的电学特性研究

功能材料 2012年第11期43卷 1455-1458页

分别采用AFM和原子力/扫描探针显微镜(AFM/SPM)在纳米尺度下对碲基复合(Te/TeO2-SiO2)薄膜的表面电势、电容梯度等电学特性进行测量。测试结果表明控制电压为-0.8V,反应时间为200s条件下制备的碲基复合薄膜的表面电势差达到700mV,相对... 详细信息

分别采用AFM和原子力/扫描探针显微镜(AFM/SPM)在纳米尺度下对碲基复合(Te/TeO2-SiO2)薄膜的表面电势、电容梯度等电学特性进行测量。测试结果表明控制电压为-0.8V,反应时间为200s条件下制备的碲基复合薄膜的表面电势差达到700mV,相对介电常数小于以硅为主要成分的衬底相对介电常数。利用光谱分析,碲基复合薄膜的禁带宽度约为3.14eV。

关键词：碲基复合薄膜原子力/扫描探针显微镜表面电势电容梯度