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压电与声光 2005年第3期27卷 254-256页

作者：刘良芳林廷芬蹇胜勇四川压电与声光技术研究所重庆400060

利用低机电耦合系数的压电陶瓷,制作一种低频窄带陶瓷滤波器。这种梯形陶瓷滤波器中心频率为140kHz,具有低插损、高阻带、高选择的特点。为了改进其可靠性,还为这种滤波器设计了一种新颖的组装结构。

关键词：低频窄带压电陶瓷滤波器可靠性

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低频窄带压电陶瓷滤波器材料的研究

压电与声光 2008年第2期30卷 199-201页

作者：蹇胜勇杨莉刘光聪刘相果四川压电与声光技术研究所重庆400060

采用传统的压电陶瓷制备方法,研究锆钛比(r(Zr/Ti)、掺杂、烧成工艺对低频窄带Pb(Zn1/3Nb2/3)x(Sn1/3Nb2/3)yTiAZrBO3四元系压电陶瓷性能的影响,并研究压电振子的杂波抑制方法。结果表明,r(Zr/Ti)为0.71,w(MnO2)=0.5%时,材料的性能达到... 详细信息

采用传统的压电陶瓷制备方法,研究锆钛比(r(Zr/Ti)、掺杂、烧成工艺对低频窄带Pb(Zn1/3Nb2/3)x(Sn1/3Nb2/3)yTiAZrBO3四元系压电陶瓷性能的影响,并研究压电振子的杂波抑制方法。结果表明,r(Zr/Ti)为0.71,w(MnO2)=0.5%时,材料的性能达到最佳:机械品质因数Qm=2 600,机电耦合系数k15=0.43,频率温度系数τf=29×10-6/℃;倒去振子两对角的棱角,可以有效地抑制低频厚度切变振动模式的杂波。

关键词：铌锌-铌锡-锆钛酸铅压电陶瓷厚度切变振动低频窄带

十字交叉型压电陶瓷致动器的制备方法及性能研究

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压电与声光 2011年第6期33卷 958-960页

作者：刘相果蹇胜勇刘光聪中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

该文主要设计了一种适应高频响应、高压电性能、低电容的压电陶瓷致动器,并研究了工艺参数对性能的影响。结果表明,6.4mm×6.4mm×64mm(厚度0.5mm)的十字交叉型压电陶瓷致动器具有滞后性、回零性、对称性好的特点,其电容为27.3nF,200V... 详细信息

该文主要设计了一种适应高频响应、高压电性能、低电容的压电陶瓷致动器,并研究了工艺参数对性能的影响。结果表明,6.4mm×6.4mm×64mm(厚度0.5mm)的十字交叉型压电陶瓷致动器具有滞后性、回零性、对称性好的特点,其电容为27.3nF,200V位移约为8μm;富氧去应力退火可降低材料的微缺陷组织,减少应力集中现象的发生,提高压电材料的压电特性;电镀电极或热蒸发电极的压电特性明显好于烧结银电极,原因是烧结银电极过程发生一定的渗银现象,并形成一定数量的低温共熔体,从而降低厚膜压电材料的压电特性。

关键词：压电陶瓷致动器十字交叉型富氧退火

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低温共烧PSN-PZT压电陶瓷的研究

压电与声光 2008年第1期30卷 26-28,32页

作者：刘相果刘光聪曾祥明蹇胜勇四川压电与声光技术研究所重庆400060

以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备PSN-PZT压电陶瓷,并研究PSN含量、B位离子Nb缺位量、ZrO2的减少量、微量添加元素、烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响。结果表明:PSN的加入使PZT的准同型相界点向富钛方向移动,当PSN的摩尔分数... 详细信息

以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备PSN-PZT压电陶瓷,并研究PSN含量、B位离子Nb缺位量、ZrO2的减少量、微量添加元素、烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响。结果表明:PSN的加入使PZT的准同型相界点向富钛方向移动,当PSN的摩尔分数为3%,材料的最佳锆钛比r(Zr/Ti)=1.04。B位离子Nb的缺位可大幅度降低材料的烧结温度,在Nb缺位量为10%时,可使材料的烧结温度降低到(1 110±20)℃,同时保持优异的压电性能:居里温度TC=339℃,压电常数d33=427 pC/N,介电常数3εT3/0ε=1 750,机电耦合系数kp=0.72,介电损耗tanδ=0.014。

关键词： PSN-PZT 压电陶瓷低温烧结压电性能

BaO·Nd_2O_3·TiO_2-(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4复合系统微波介质材料的研究

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压电与声光 2006年第6期28卷 686-689页

作者：刘相果刘光聪彭晓东蹇胜勇四川压电与声光技术研究所重庆400060 重庆大学机械工程学院重庆400044

研究了BaO·Nd2O3·TiO2-（Zr0.8Sn0.2）TiO4复合体系的烧结性能、微观结构、相组成和微波介电性能。结果表明，BaO·Nd2O3·TiO2-（Zr0.8Sn0.2）TiO4复合体系可在1200～1260℃范围内烧结出致密的微波介质陶瓷材料，其相组成由BaO·Nd2O... 详细信息

研究了BaO·Nd2O3·TiO2-（Zr0.8Sn0.2）TiO4复合体系的烧结性能、微观结构、相组成和微波介电性能。结果表明，BaO·Nd2O3·TiO2-（Zr0.8Sn0.2）TiO4复合体系可在1200～1260℃范围内烧结出致密的微波介质陶瓷材料，其相组成由BaO·Nd2O3·4TiO2、BaO·Nd2O3·5TiO2、Nd2Ti2O7、（Zr0.8Sn0.2）TiO4及未知新相组成，而（Zr0.8Sn0.2）TiO4由单一晶相组成；复合体系的介电常数、介电损耗、频率温度系数同复合系统各相的配比有关，其中介电常数、频率温度系数基本符合理论计算值而介电损耗则高于理论值；复合系统中出现未知相具有高介电常数、高介电损耗的特征。

关键词：微波介质陶瓷烧结性能微观结构介电性能

A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响

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压电与声光 2014年第1期36卷 100-102页

作者：冯小东蹇胜勇刘相果中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。

关键词： Pb(Zn1 3Nb2 3)O3-Pb(Ni1 3 Nb2 3) O3-Pb (ZrTi) O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷高介电常数高压电常数

基于PZT陶瓷谐振技术的光纤相位调制器研究

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压电与声光 2011年第5期33卷 699-701页

作者：刘相果蹇胜勇蒋洪平刘光聪中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

分析影响了基于压电陶瓷谐振换能器的光纤相位调节的主要参数,并根据参数研制出一种满足性能要求的压电陶瓷光纤相位调制器。结果表明,光纤伸长位移量与光纤直径、压电常数、工作电压及陶瓷直径有关,与压电陶瓷的厚度无关;压电陶瓷光纤... 详细信息

分析影响了基于压电陶瓷谐振换能器的光纤相位调节的主要参数,并根据参数研制出一种满足性能要求的压电陶瓷光纤相位调制器。结果表明,光纤伸长位移量与光纤直径、压电常数、工作电压及陶瓷直径有关,与压电陶瓷的厚度无关;压电陶瓷光纤相位调制器的具有工作频率高(100kHz以上),驱动电压低(2～3V),电容小,介电损耗小,自滤波谐振等特点。

关键词：压电陶瓷光纤相位调制器谐振器

Na_2O对PNN-PZN-PZT的微观组织与性能的影响

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压电与声光 2011年第1期33卷 105-107页

作者：刘相果冯小东蹇胜勇曾祥明中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备PNN-PZN-PZT压电陶瓷,并研究微量添加Na2O对烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响。结果表明,Na2O的添加对材料的成型工艺要求严格,否则易造成成分偏析现象;Na2O的添加使材料的烧成温度范围变窄,... 详细信息

以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备PNN-PZN-PZT压电陶瓷,并研究微量添加Na2O对烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响。结果表明,Na2O的添加对材料的成型工艺要求严格,否则易造成成分偏析现象;Na2O的添加使材料的烧成温度范围变窄,陶瓷的压电常数降低约15%,含1%的Na2O的最佳烧结温度约为910℃,其介电常数εr=3 200,压电常数d33=487 pC/N,机电耦合系数kp=0.60,介电损耗tanδ=2%;Na+分布不均匀,在晶界的含量明显高于晶粒内部。

关键词：压电陶瓷 PNN-PZN-PZT 低温烧结成分偏析

(Bi_2O_3、ZnO)对(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4介电性能的影响

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压电与声光 2009年第1期31卷 77-79页

作者：刘相果刘光聪曾祥明蹇胜勇四川压电与声光技术研究所重庆400060

采用常规固相合成工艺研究了添加剂Bi2O3、ZnO等对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,陶瓷的烧结温度随着Bi2O3含量的增大而降低,而陶瓷的最大烧结密度随着Bi2O3的增大而增大;当w(Bi2O3)>3%时,其烧... 详细信息

采用常规固相合成工艺研究了添加剂Bi2O3、ZnO等对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,陶瓷的烧结温度随着Bi2O3含量的增大而降低,而陶瓷的最大烧结密度随着Bi2O3的增大而增大;当w(Bi2O3)>3%时,其烧结可降低至1175℃;各种材料配方均能烧结出致密的陶瓷。陶瓷的介电常数随着Bi2O3含量的增大而略有增大,但增加幅度较小;而材料的介电损耗则随Bi2O3含量的增大而增加,且增大幅度较大。当w(ZnO)=1%、w(Bi2O3)=3%时,可在1190℃获得致密的陶瓷,在测试频率1 MHz下,介电常数约41,介电损耗为1.5×10-4,其综合微波介电性能最佳。

关键词： (Zr0.8Sn0. 2)TiO4 添加剂烧结性能微观结构介电性能

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压电复合元件耦合振动模态分析

压电与声光 2010年第4期32卷 588-590,600页

作者：刘振华刘华巍曾祥君刘相果蹇胜勇四川压电与声光技术研究所重庆400060 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

一种用于单波束的压电复合元件,采用整体切割灌注的方法制备,由压电陶瓷和聚合物两种不同材质组成。为进一步提高压电复合元件基元的一致性,利用有限元分析软件ANSYS10.0对单波束压电复合元件进行耦合模态的特性分析,得出了耦合频率与... 详细信息

一种用于单波束的压电复合元件,采用整体切割灌注的方法制备,由压电陶瓷和聚合物两种不同材质组成。为进一步提高压电复合元件基元的一致性,利用有限元分析软件ANSYS10.0对单波束压电复合元件进行耦合模态的特性分析,得出了耦合频率与聚合物密度、泊松比和基元结构之间的关系。实验结果表明,通过调整边缘基元的外形尺寸,可有效提高边缘基元的耦合频率,从而达到与中心基元一致。

关键词：压电陶瓷耦合复合材料