检索结果-南通市图书馆

功能材料 2012年第3期43卷 331-333页

作者：刘立柱赵超亮翁凌杨旭赫兟哈尔滨理工大学材料科学与工程学院黑龙江哈尔滨150080 哈尔滨理工大学工程电介质及其应用教育部重点实验室黑龙江哈尔滨150080 哈尔滨电机厂有限责任公司黑龙江哈尔滨150040

采用无机纳米氮化铝粉体填充改性环氧树脂,获得所需的高导热云母胶。针对氮化铝粉体的表面改性、粉体掺杂方式对云母胶导热系数的影响进行了系统分析。经导热系数测试,确定了粉体的表面改性工艺,得到了最佳的粉体分散工艺。

关键词：高导热云母胶填料

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材料科学基础课程线上线下混合式教学实践

高教学刊 2023年第24期9卷 124-127页

作者：王金晓梁玮李伟赵超亮许昌学院化工与材料学院河南许昌461000

材料科学基础课程针对传统课堂存在内容多、授课时间少,讲授多、交流互动少,知识多、应用拓展少,统一多、分层教学少的问题,进行线上线下混合式教学实践。针对该课程提出“四位一体”混合式课程体系;构建“一心四阶”框架体系,突出学生... 详细信息

材料科学基础课程针对传统课堂存在内容多、授课时间少,讲授多、交流互动少,知识多、应用拓展少,统一多、分层教学少的问题,进行线上线下混合式教学实践。针对该课程提出“四位一体”混合式课程体系;构建“一心四阶”框架体系,突出学生系统能力和爱国情感的培养;依据BOPPPS模型设计混合式教学流程,融入线上线下混合式教学方法;紧贴科技前沿,以实践促教、促学,强化学生工程素养的锤炼,使学生树立材料科学创新强国的信心和决心,培养学生勇于担当的责任感和爱国主义精神。

关键词：材料科学基础线上线下混合教学实践 BOPPPS模型多元化评价

室温制备高度(111)择优取向和光电性能显著增强的γ-CuxAg1-xI薄膜

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室温制备高度(111)择优取向和光电性能显著增强的γ-CuxAg1-xI薄膜

第九届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会

作者：董佩哲赵超亮武四新郑直许昌学院化工与材料学院表面微纳材料研究所河南大学特种功能材料重点实验室

薄膜的晶体学取向对其光电性能中起着至关重要的作用。本研究通过磁控溅射法和室温单质直接反应法制备了γ-CuAgI薄膜(0.1≤x≤0.9),其带隙可根据Cu成分的变化而连续可调。瞬态表面光电压(TSPV)表明CuAgI(0.6≤x≤0.9)表现出比贫铜(0.1... 详细信息

薄膜的晶体学取向对其光电性能中起着至关重要的作用。本研究通过磁控溅射法和室温单质直接反应法制备了γ-CuAgI薄膜(0.1≤x≤0.9),其带隙可根据Cu成分的变化而连续可调。瞬态表面光电压(TSPV)表明CuAgI(0.6≤x≤0.9)表现出比贫铜(0.1≤x≤0.4)样品具有更快的电荷载流子传输速率和更慢的复合速率。这是由于富铜样品具有高度(111)优先取向和较大的颗粒,从而显著降低光生载流子复合。扫描电子显微镜电子通道对比成像(SEM SCCI)表明富铜薄膜以(111)取向的棱柱为基本单元,并且采取阶梯流模式生长。值得关注的是,富铜样品都具有大晶粒的贯穿晶形貌。本研究通过直接金属表面元素反应的简单途径制备初具有可调带隙的CuAgI薄膜,可应用于薄膜太阳能电池中的空穴传输层或缓冲层以实现更高的效率。

关键词： CuxAg1-xI 择优取向瞬态表面光电压（TSPV）

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多胶云母带用高导热粘合剂研究

多胶云母带用高导热粘合剂研究

作者：赵超亮哈尔滨理工大学

学位级别：硕士

本文选择桐马酸酐-环氧体系制备多胶云母带用粘合剂。实验采用桐油、顺丁烯二酸酐、双马来酰亚胺与6101环氧树脂合成云母带用粘合剂。选取三氧化二铝、二氧化硅、氮化硼、氮化铝作为导热填料,经过一定的物理、化学方法对导热填料进行表... 详细信息

本文选择桐马酸酐-环氧体系制备多胶云母带用粘合剂。实验采用桐油、顺丁烯二酸酐、双马来酰亚胺与6101环氧树脂合成云母带用粘合剂。选取三氧化二铝、二氧化硅、氮化硼、氮化铝作为导热填料,经过一定的物理、化学方法对导热填料进行表面改性,通过溶液共混法制备了高导热云母胶。研究了云母胶胶化时间的影响因素,结果表明,当固化促进剂与环氧树脂的比例为1：300时满足要求,云母胶胶化时间随着贮存时间呈现先缩短后延长的趋势。分析了导热填料是否改性对云母胶导热系数的影响,实验结果表明,掺杂经改性的填料后,云母胶的导热系数明显高于掺杂未改性的粉体的云母胶。分析了偶联剂的种类及用量对填料的改性效果,得出了最佳偶联剂为DB560,最佳用量为3 wt%;分析了影响高导热云母胶导热系数的工艺因素,最佳的混胶方式为方式B、BN粉体应采用粉体加入方式A,Al2O3、SiO2、A1N应采用粉体加入方式B、最佳的粉体分散方式为方式B。制备了单一粉体掺杂的高导热云母胶,分析了不同导热填料用量、形态、晶型及种类对云母胶导热系数及电气性能的影响,实验结果表明,填料最佳用量为32vo1%;在SiO2两种形状中,掺杂球形SiO2的云母胶综合性能较优;粉体粒径越大,对云母胶的导热系数提高越大;在Al2O3两种晶型中,掺杂α-Al2O3的云母胶综合性能较优;通过比较掺杂同一含量下不同种类的试样,发现30nmα-Al2O3和5μmBN对导热提升最大。选取不同导热填料,制备了两种及三种粉体混合掺杂的高导热云母胶,并对导热系数与电气性能进行了分析。实验结果表明,以α-Al2O3为主的两种粉体混合掺杂方案优于以BN为主的两种粉体混合掺杂方案;在三种粉体混合掺杂方案中,掺杂了28 vol%30nmα-A1203. 4 vol%70nmBN、0.8 vol%10nm微孔形SiO2的云母胶具有最高的导热系数,达到了0.287 W/m·K.

关键词：云母带高导热粘合剂

真空异质结退火改善CZTSSe太阳能电池Voc

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真空异质结退火改善CZTSSe太阳能电池Voc

第九届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会

作者：王梦阳赵超亮武四新郑直许昌学院化工与材料学院

锌黄锡矿铜锌锡硫硒(CZTSSe)太阳能电池,因带隙在1.0～1.5 eV内可调、组成元素丰度高且无毒等优势受到研究人员的广泛关注。由于CZTSSe太阳能电池Cu与Zn离子半径相近,容易产生富集在吸收层表面的Cu反位缺陷[1],从而引起CZTSSe/CdS界面... 详细信息

锌黄锡矿铜锌锡硫硒(CZTSSe)太阳能电池,因带隙在1.0～1.5 eV内可调、组成元素丰度高且无毒等优势受到研究人员的广泛关注。由于CZTSSe太阳能电池Cu与Zn离子半径相近,容易产生富集在吸收层表面的Cu反位缺陷[1],从而引起CZTSSe/CdS界面处的非辐射复合与电荷传输损耗,导致CZTSSe太阳能电池产生较大的开路电压亏损(V, V=Eg/q-V),限制其效率提升[2]。在这个工作中,对CZTSSe/CdS异质结在真空状态下进行热退火,促使Cd向吸收层表面扩散,可以有效钝化Cu反位缺陷。同时,在真空状态下还可限制氧气对吸收层的氧化。经过系统性地优化退火温度和退火时间,CZTSSe电池开路电压(V)从0.456 V提升至0.495V,光电转换效率(PCE)由8.20%提升到9.34%。综上所述,真空异质结退火可同时钝化CZTSSe/CdS界面和吸收层体相缺陷,从而降低V,有助于提高CZTSSe电池器件性能。

关键词： CZTSSe 开路电压 CuZn反位缺陷真空异质结退火

三步硒化对CZTSSe太阳能电池光伏性能的影响

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三步硒化对CZTSSe太阳能电池光伏性能的影响

第十届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会

作者：王梦阳赵超亮武四新郑直许昌学院

近几年,溶液法制备的CuZnSn(S,Se) (CZTSSe)太阳能电池光电转换效率(PCE)不断取得突破,目前已达到13.8%。然而较大的开路电压亏缺(V,d)限制器件性能进一步提高,造成高Voc,def的原因有许多,如带隙和静电势波动、带尾态、有害缺陷、界面...

近几年,溶液法制备的CuZnSn(S,Se) (CZTSSe)太阳能电池光电转换效率(PCE)不断取得突破,目前已达到13.8%。然而较大的开路电压亏缺(V,d)限制器件性能进一步提高,造成高Voc,def的原因有许多,如带隙和静电势波动、带尾态、有害缺陷、界面复合和二次相等。这些因素都与硒化过程的CZTS到CZTSSe的相转变和晶体生长有着紧密的关系。因此,优化硒化策略是提高CZTSSe光伏性能重要的环节之一。在硒化过程中,表面晶体率先生长完成,随着硒化时间的延长,表面晶体会发生一定程度的分解,导致高V,d。基于此,提出三步硒化,表面晶体生长至理想状态后,降低硒化温度,减缓表面晶体分解,同时底部晶体继续生长。经过系统的优化硒化参数,器件的V提高到0.512 V,PCE达到12.32%,图1所示。

关键词：

基于DMF体系的CZTSSe吸收层形貌调控及器件光伏性能研究

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基于DMF体系的CZTSSe吸收层形貌调控及器件光伏性能研究

第九届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会

作者：崔宇博王梦阳赵超亮范丽波武四新郑直许昌学院化工与材料学院表面微纳材料研究所河南理工大学材料科学与工程学院河南大学特种功能材料重点实验室

单层贯穿的大尺寸吸收层晶粒结构可以有效提高溶液法制备的铜锌锡硫硒(CuZnSn(S,Se),CZTSSe)太阳能电池的光伏性能,但由于复杂的配位、反应和结晶过程,贯穿晶形貌的吸收层制备在技术上存在困难[1]。二甲基甲酰胺(DMF)是一种有希望制备高... 详细信息

单层贯穿的大尺寸吸收层晶粒结构可以有效提高溶液法制备的铜锌锡硫硒(CuZnSn(S,Se),CZTSSe)太阳能电池的光伏性能,但由于复杂的配位、反应和结晶过程,贯穿晶形貌的吸收层制备在技术上存在困难[1]。二甲基甲酰胺(DMF)是一种有希望制备高效CZTSSe太阳能电池的溶液[2],但目前基于DMF溶液体系制备的CZTSSe吸收层都不具备贯穿晶形貌。本文首次提出了一种借助Cu与Sn氧化还原反应和预退火温度协同优化的手段,来有效可控的制备CZTSSe贯穿晶。研究了不同预退火温度对吸收层结晶性和成膜质量的影响,确定了最佳预退火温度为430℃,并基于不同预退火温度对Cu与Sn氧化还原反应速率和Mo/CZTSSe界面晶体生成量的显著影响,提出了三种不同的吸收层生长模式和一个温度临界点的概念(图1)。器件性能测试结果显示,贯穿晶吸收层可以显著提升器件光生载流子的浓度并抑制载流子的非辐射复合。改善了所制备的CZTSSe太阳能电池器件的并联电阻(R)和载流子复合电阻(R),获得了开路电压(V)为501 m V且光电转化效率(PCE)为11.76%的高效器件,这是目前已报道的基于DMF溶液体系Voc和PCE最高的五元CZTSSe太阳能电池。

关键词：太阳能电池铜锌锡硫硒协同优化形貌调控

改善硒化策略以提升CZTSSe太阳能电池效率

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改善硒化策略以提升CZTSSe太阳能电池效率

第十届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会

作者：赵善恒王梦阳赵利洁赵超亮武四新郑直许昌学院

在CZTSSe的传统硒化过程中,由于金属元素的易挥发,硒的扩散不均匀,容易造成空隙、小晶粒层等不良结构,阻碍着CZTSSe器件效率的进一步提升。针对上述问题,本工作基于DMF溶剂体系,采用二价铜盐和二价锡盐为原料制备CZTS前驱体膜。首先优...

在CZTSSe的传统硒化过程中,由于金属元素的易挥发,硒的扩散不均匀,容易造成空隙、小晶粒层等不良结构,阻碍着CZTSSe器件效率的进一步提升。针对上述问题,本工作基于DMF溶剂体系,采用二价铜盐和二价锡盐为原料制备CZTS前驱体膜。首先优化了石墨盒空载工艺,结果显示550℃保温900s为最佳空载工艺。然后,对比了一步硒化(540°硒化1140s)和两步硒化工艺(300s保温300s,550°硒化900 s)的形貌,结果发现两步硒化容易在吸收层顶部和底部产生大量空隙,而一步硒化可以获得大晶粒吸收层。CZTSSe太阳能电池的能量转换效率最终由11.99%提升到12.15%。此外,由于良好的结晶性,吸收层的非辐射复合显著降低,从外量子效率(EQE)曲线可以看出器件在500-800 nm范围的光吸收能力显著增强。

关键词：

《材料科学基础》线上线下混合式教学设计和实践探索

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广州化工 2022年第19期50卷 232-234页

作者：王金晓陈益峰梁玮赵超亮李伟许昌学院化工与材料学院河南许昌461000

线上线下混合式教学将传统课堂与信息化技术相融合,极大推动了教学模式的转变和发展。以新工科为背景,我们坚持“以学生为中心”,结合《材料科学基础》课程特点,通过对教情和学情的分析,从激发学生的学习兴趣、建立工程思维方式、培养... 详细信息

线上线下混合式教学将传统课堂与信息化技术相融合,极大推动了教学模式的转变和发展。以新工科为背景,我们坚持“以学生为中心”,结合《材料科学基础》课程特点,通过对教情和学情的分析,从激发学生的学习兴趣、建立工程思维方式、培养学生的创新能力和强化学生的责任感等方面出发,对本课程进行了线上线下教学设计和实践探索,以期有效提高课程质量。

关键词：材料科学基础线上线下混合式教学实践探索

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氮化铝晶体生长技术的研究进展

材料导报 2012年第9期26卷 11-14,26页

作者：赵超亮宋波张幸红韩杰才哈尔滨工业大学特种环境复合材料技术国防科技重点实验室哈尔滨150001 哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院哈尔滨150001

氮化铝(AlN)是一种重要的宽带隙(6.2eV)半导体材料,在高温、高频、大功率电子器件、光电子器件、激光器件等半导体器件中有着良好的应用前景。物理气相传输法(PVT)是制备AlN体单晶最有效的途径之一,目前,美国Crystal IS公司、俄罗斯N-Cr... 详细信息

氮化铝(AlN)是一种重要的宽带隙(6.2eV)半导体材料,在高温、高频、大功率电子器件、光电子器件、激光器件等半导体器件中有着良好的应用前景。物理气相传输法(PVT)是制备AlN体单晶最有效的途径之一,目前,美国Crystal IS公司、俄罗斯N-Crystals公司在该领域处于领先地位,可以制备出直径为2inch(5.08cm)的体单晶。为了获得大尺寸、高质量的AlN晶体,需要不断寻找合适的籽晶材料。从最早的SiC籽晶,发展到近年来的AlN籽晶、SiC/AlN复合籽晶,加上不断改进的PVT工艺条件,少数研究机构已经可以获得直径跨度大、缺陷密度低的AlN晶体。近两年,高品质的AlN晶体也已成功应用于紫外LED的研制。

关键词：氮化铝物理气相传输籽晶