检索结果-南通市图书馆

Single event soft error in advanced integrated circuit

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Journal of Semiconductors 2015年第11期36卷 1-14页

作者：赵元富岳素格赵馨远陆时进边强王亮孙永姝 Beijing Microelectronics Technology Institute Beijing University of Aeronautics & Astronautics

As technology feature size decreases, single event upset（SEU）, and single event transient（SET） dominate the radiation response of microcircuits. Multiple bit upset（MBU）（or multi cell upset） effects, digital single event transient（DSET） and analogue single event transient（ASET） cause serious problems for advanced integrated circuits（ICs） applied in a radiation environment and have become a pressing issue. To face this challenge, a lot of work has been put into the single event soft error mechanism and mitigation schemes. This paper presents a review of SEU and SET, including： a brief historical overview, which summarizes the historical development of the SEU and SET since their first observation in the 1970＇s; effects prominent in advanced technology, which reviews the effects such as MBU, MSET as well as SET broadening and quenching with the influence of temperature, device structure etc.; the present understanding of single event soft error mechanisms, which review the basic mechanism of single event generation including various component of charge collection; and a discussion of various SEU and SET mitigation schemes divided as circuit hardening and layout hardening that could help the designer meet his goals.

关键词： SET SEU MCU advanced technology

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注F场氧介质总剂量辐照的研究

Journal of Semiconductors 1997年第6期18卷 466-469页

作者：张国强余学锋郭旗任迪远严荣良赵元富胡浴红中国科学院新疆物理所乌鲁木齐830011 西安微电子技术研究所临潼710600

分析研究了注F场氧MOSFET的辐射响应特性，结果表明，由于F离子具有负电中心、替换部分弱键和应力健等的作用，导致含F场氧介质具有很强的抑制电离辐射损伤的特性。场氧厚度与辐射损伤直接相关连，而沟道宽度对辐射损伤的影响不大。

关键词： MOS器件注F场氧介质 MOSFET 总剂量辐照

多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响

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Journal of Semiconductors 1995年第9期16卷 695-699页

作者：张国强严荣良余学锋罗来会任迪远赵元富胡浴红中国科学院新疆物理研究所西安微电子技术研究所

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉ（ｄｓ）－Ｖ（ｇｓ）亚阈特性的辐射影响应．结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制... 详细信息

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉ（ｄｓ）－Ｖ（ｇｓ）亚阈特性的辐射影响应．结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力．其辐射敏感性的降低可能归结为ＳｉＯ２栅介质和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近Ｆ的浓度相对较大以及栅场介质中Ｆ注入缺陷相对较少所致．

关键词： MOS器件辐照特性多晶硅栅光刻氟

高压编移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

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Journal of Semiconductors 1994年第9期15卷 617-622页

作者：严荣良高文钰张国强余学锋罗来会任迪远赵元富李荫波中国科学院新疆物理研究所骊山微电子公司

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ６０－γ，辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系．结果表明：击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、漂移区长度、场板长度以及漏区结构有关．另外，γ辐照导致导通电阻增加．结果证实... 详细信息

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ６０－γ，辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系．结果表明：击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、漂移区长度、场板长度以及漏区结构有关．另外，γ辐照导致导通电阻增加．结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制．对实验现象给出了比较圆满的解释．结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用．

关键词： MOSFET 电离辐射高压偏移栅

XPS STUDIES OF IRRADIATED HARD AND SOFT Si—SiO_2

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Nuclear Science and Techniques 1993年第3期4卷 181-185页

作者：刘昶时赵元富王忠燕陈萦刘芬赵汝权 Xinjiang Institute of Physics Academia Sinica Urumqi 830011 China Lishan Institute of Microelectronics Aero- Space Industry Ministry Xian 710600 China Beijing Centre of Physical and Chemical Analysis Beijing 100081 China

The interracial structure of hard and soft oxides grown by dry oxidation on n-type silicon substrates is examined using high resolution mild X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) before and after irradiation. Substantial differences in silicon of silica state (B.E. 103.4 eV), silicon of transitional state (B.E. 101.5 eV), surplus oxygen (B.E. 529.6 eV) and negative two-valence oxygen (B.E. 531.4 eV) are observed between the two kinds of samples. The XPS spectra strongly depend on the conditions of irradiation for soft samples, but do not as remarkablely as soft samples for hard samples. The effects of irradiation doses on XPS are greater than that of irradiation bias fields. Some viewpoints of irradiation induced hole electron pair are proposed to explain the results.

关键词： XPS Radiation hard Radiation soft Si-SiO_2 Bias field Radiation dose

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高压LDMOS总剂量辐射效应研究

微电子学与计算机 2015年第10期32卷 82-86页

作者：王丹辉赵元富岳素格边强莫艳图北京微电子技术研究所北京100076

在太空环境中,辐射会造成电源管理电路严重漏电和性能下降.LDMOS相比于CMOS,具有更高的工作电压,作为大尺寸的功率管被广泛应用于电源管理电路中.针对一种0.25μm BCD工艺LDMOS进行总剂量辐射效应研究.实验表明,总剂量辐射会造成LDMOS... 详细信息

在太空环境中,辐射会造成电源管理电路严重漏电和性能下降.LDMOS相比于CMOS,具有更高的工作电压,作为大尺寸的功率管被广泛应用于电源管理电路中.针对一种0.25μm BCD工艺LDMOS进行总剂量辐射效应研究.实验表明,总剂量辐射会造成LDMOS的阈值电压漂移,以及N沟道直栅LDMOS的较大漏电流.同时也观察和记录到总剂量辐射导致P沟道直栅LDMOS的漏电.环栅加固方法能有效抑制总剂量辐射引起的N沟道直栅LDMOS的边缘漏电.在100krad(Si)辐照剂量时,N沟道环栅LDMOS和P沟道直栅LDMOS的阈值电压漂移分别为0.02V和-0.02V.

关键词： LDMOS 总剂量辐射环栅加固边缘漏电阈值电压漂移

Radiation effects on scientific CMOS image sensor

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Journal of Semiconductors 2015年第11期36卷 53-57页

作者：赵元富刘丽艳刘晓会晋孝峰李想 Beijing Microelectronics Technology Institute

A systemic solution for radiation hardened design is presented. Besides, a series of experiments have been carried out on the samples, and then the photoelectric response characteristic and spectral characteristic before and after the experiments have been comprehensively analyzed. The performance of the CMOS image sensor with the radiation hardened design technique realized total-dose resilience up to 300 krad（Si） and resilience to singleevent latch up for LET up to110 Me V cm^2/mg.

关键词： CMOS image sensor(APS) dark current dark signal response non-uniformity total dose effects single event effects

0.18μm工艺下单粒子加固锁存器的设计与仿真

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微电子学与计算机 2007年第12期24卷 66-69页

作者：李玉红赵元富岳素格梁国朕林任北京微电子技术研究所北京100076

在近年国际上出现的两种记忆单元DICE(Dual Interlocked storagecell)和GDICE(DICE with guardgates)基础上,设计了两种抗单粒子加固锁存器,称为DICE锁存器和GDICE锁存器,加工工艺为0.18μm。对这两种锁存器的改进减少了晶体管数量,降... 详细信息

在近年国际上出现的两种记忆单元DICE(Dual Interlocked storagecell)和GDICE(DICE with guardgates)基础上,设计了两种抗单粒子加固锁存器,称为DICE锁存器和GDICE锁存器,加工工艺为0.18μm。对这两种锁存器的改进减少了晶体管数量,降低了功耗,增强了抗单粒子瞬态(single event transient,SET)能力。分别对比了两种锁存器的优缺点。建立了一种单粒子瞬态仿真模型,将该模型连接到锁存器的敏感点,仿真测试了这两种锁存器的抗单粒子翻转(single event upset,SEU)能力,得到一些对版图设计有意义的建议。通过比较得知:如果没有特殊版图设计,在单个敏感点被打翻时,DICE锁存器和GDICE锁存器的抗单粒子翻转能力比较强;而在两个敏感点同时被打翻时,抗单粒子翻转能力将比较弱。但如果考虑了特殊版图设计,那么这两种锁存器抗单粒子翻转的优秀能力就能体现出来。

关键词：单粒子锁存器低功耗敏感点

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一种新型的抽取滤波器设计

计算机工程与应用 2005年第32期41卷 25-27页

作者：陈雷赵元富高德远文武王宗民朱小飞彭和平西北工业大学航空微电子中心西安710072 北京微电子技术研究所北京100076

文章基于面积和功耗方面考虑提出了一种低功耗多相变级数非递归梳状滤波器结构,这种滤波器适合高阶过采样sigmadeltaA/D转换器。抽取滤波器采用Top-down方法设计,用0.6-μmCMOS标准单元实现,相比同样速度下的标准的非递归结构抽取滤波... 详细信息

文章基于面积和功耗方面考虑提出了一种低功耗多相变级数非递归梳状滤波器结构,这种滤波器适合高阶过采样sigmadeltaA/D转换器。抽取滤波器采用Top-down方法设计,用0.6-μmCMOS标准单元实现,相比同样速度下的标准的非递归结构抽取滤波器节省了约1/3面积和功耗。

关键词：抽取滤波器梳状滤波器多相变级数非递归梳状滤波器