检索结果-南通市图书馆

基于滤波结构的宽带Doherty功率放大器的设计

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

微波学报 2024年

作者：王坤程知群贾民仕朱浙鸣钟保全李冰鑫杨正好杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室南京信息工程大学电子与信息工程学院

本文提出了一种具有高效集成滤波特性的宽带高效率Doherty功率放大器的设计。载波功率放大器采用扩展连续F类设计，耦合微带线滤波器结构用于后匹配设计。这种滤波结构的终端由级联在一起的微带线组成，以增强带外抑制效果。这种结构不... 详细信息

本文提出了一种具有高效集成滤波特性的宽带高效率Doherty功率放大器的设计。载波功率放大器采用扩展连续F类设计，耦合微带线滤波器结构用于后匹配设计。这种滤波结构的终端由级联在一起的微带线组成，以增强带外抑制效果。这种结构不仅提高了效率，而且拓宽了带宽。使用10W GaN HEMT器件设计和实现了Doherty功放，验证了其宽带特性。在1.6～2.4 GHz频段内，实现了7.7～9.9 dB的饱和增益和43.1～44.7 dBm的饱和功率，在功率回退6 dB和饱和功率时的漏极效率分别为50.1%～58.8%和59.9%～73.3%。

关键词：宽带扩展连续F类 Doherty功率放大器带通滤波后匹配网络

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

超宽带微波固态功率放大器研究

超宽带微波固态功率放大器研究

作者：贾民仕杭州电子科技大学

学位级别：硕士

本文基于GaN HEMT设计了S-C波段的超宽带功率放大器。介绍了最近几年的宽带功率放大器的研究状况以及功率放大器设计的种类指标参数的定义,介绍了目前宽带功率放大器实现的方法,并设计制作了加电时序电路。共设计制作了三款宽带功率放... 详细信息

本文基于GaN HEMT设计了S-C波段的超宽带功率放大器。介绍了最近几年的宽带功率放大器的研究状况以及功率放大器设计的种类指标参数的定义,介绍了目前宽带功率放大器实现的方法,并设计制作了加电时序电路。共设计制作了三款宽带功率放大器模块,其中两个3-8GHz中功率的宽带功率放大器模块(中级)和一个大功率(末级)的宽带功率放大器模块。前者最大输出功率为38.5dBm,后者输出功率为45dBm。首先本文查阅了九十年代以来国内外对超宽带射频功率放大器研究的成果和进展状况。意识到了实现宽带大功率放大器的紧迫性。通过对当前国内外成果的调查,分析出了国内外对宽带功率放大器已经研究的内容和未来发展的方向。然后简单的讨论和分析了射频功率放大器的分类以及各自应用的特点。介绍了功率放大器中基本的设计指标和参数,说明了在设计过程中应该注意那些问题。强调了“零”点电容的作用,介绍了基于GaN的新型负反馈电路结构以及微带线理论,分析了微带线在匹配过程中应该注意的问题。介绍了屏蔽腔体设计过程注意的事项以及整个设计要具有工程性。强调了设计初始要了解整个微组装的流程。最后仿真并制作了三个不同的3-8GHz的宽带功率放大器模块,驱动级最大输出功率为38.5dBm,末级输出功率为45d Bm。利用ADS分别对放大器的芯片进行了建模,并且对金丝键合线在HFSS中和ADS中的仿真模型进行了对比。本文对设计的功率放大器进行了加工制作和测试并对仿真结果和测试结果进行对比与分析。另外还制作了加电时序电路,并进行了测试。本文采用的TriQuint公司的GaN HEMT芯片TGF2023-02和TGF2023-20两种裸片,分别用于驱动级和末级的设计。设计中采用自己项目组建立的芯片模型,并使用键合线进行连接微带线和芯片。设计的功率放大器工作在AB类,末级设计的3-8GHz宽带功率放大器,输出功率为45dBm。从目前检索的文献来看这是在国内外非常罕见的。

关键词： GaN HEMT 宽带键合线建模功率放大器负反馈电路

Solid-state wideband GaN HEMT power amplifier with a novel negative feedback structure

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2014年第12期35卷 79-82页

作者：程知群贾民仕栾雅连心想 Key Laboratory of RF Circuit and System Education MinistryHangzhou Dianzi University

The design and fabrication of an ultra-broadband power amplifier based on a GaN HEMT, which operates in the frequency range from 3 to 8 GHz, is presented in this paper. A TGF2023-02 GaN HEMT chip from Tri Quint is adopted and modeled. A novel negative feedback structure is applied in the circuit. The measured results show that the amplifier module has a wide range frequency response that is almost consistent with those of simulation at frequencies from 3 to 6.5 GHz. The measured power gain is greater than 7 dB between 3 and 6.5 *** saturated output power is 38.5 dBm under DC bias of Vds =D28 V, Vgs D =-3：5 V at the frequency of 5.5 GHz.

关键词： GaN HEMT modeling power amplifier wideband negative feedback

维普期刊数据库

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高二次谐波抑制度UHF波段功率放大器

杭州电子科技大学学报（自然科学版） 2014年第5期34卷 65-68页

作者：程知群栾雅贾民仕郭红梅杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室浙江杭州310018

设计了一款470~510 MHz波段的功率放大器电路,给出了功率放大器的设计方法和过程,使用负反馈技术提高电路的稳定性并改善了电路部分性能,采用集总元件及微带传输线混合方式实现了电路匹配。使用ADS对电路进行了仿真,对电路加工后进行测... 详细信息

设计了一款470~510 MHz波段的功率放大器电路,给出了功率放大器的设计方法和过程,使用负反馈技术提高电路的稳定性并改善了电路部分性能,采用集总元件及微带传输线混合方式实现了电路匹配。使用ADS对电路进行了仿真,对电路加工后进行测试,测试结果表明增益大于11.2 dB,二次谐波抑制能力优于-24 dB,P1dB输出功率大于11 dBm,测试结果与仿真结果接近。

关键词：功率放大器二次谐波抑制负反馈技术

维普期刊数据库