检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电化学沉积法制备ZnO厚膜工艺研究

人工晶体学报 2024年第6期53卷 1069-1077页

作者：李岗归黄丹阳赵小龙蔡亚辉贺永宁西安交通大学微电子学院西安710049 西安交通大学微纳电子与系统集成重点实验室西安710049

X射线具有较高的光子能量,这使得其在ZnO材料中具有大的穿透深度,因此为了更有效地探测X射线,需要制备出微米甚至百微米厚度的ZnO膜。本文采用电化学沉积法快速制备14.85μm厚的ZnO膜。实验结果表明,沉积电势和电极材料会显著影响ZnO膜... 详细信息

X射线具有较高的光子能量,这使得其在ZnO材料中具有大的穿透深度,因此为了更有效地探测X射线,需要制备出微米甚至百微米厚度的ZnO膜。本文采用电化学沉积法快速制备14.85μm厚的ZnO膜。实验结果表明,沉积电势和电极材料会显著影响ZnO膜的沉积速率与表面形貌。随着沉积电势的升高,ZnO形貌由六角柱状结构变为片状结构,当电势过大时会有大量氢气生成,导致薄膜孔洞增加而无法成膜。使用金属Pt为阳极电极时,溶液会逐渐酸化,导致ZnO在沉积的同时也会溶解,当二者速率相一致时,ZnO膜厚便不再增加,因此不适合生长ZnO厚膜。而使用金属Zn为阳极电极时,溶液的pH值基本保持不变,更适合生长ZnO厚膜。使用金属Zn作为阳极电极,沉积电势为0.65 V,电解液浓度为0.4 mol/L时,实现了1 h生长14.85μm的ZnO厚膜。在5 V偏压下,基于ZnO厚膜的探测器对加速电压为40 kV的X射线的响应度可达66.8μC·Gy^(-1)·cm^(-2)。

关键词： ZnO厚膜电化学沉积法 X射线探测器沉积电势 Zn电极沉积速率

基于Back-n白光中子实验装置的SRAM翻转截面测量

同方期刊数据库博看期刊评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

现代应用物理 2024年第2期15卷 103-107页

作者：刘毓萱秋妍妍谭志新易晗贺永宁赵小龙樊瑞睿散裂中子源科学中心广东东莞523803 西安交通大学微电子学院西安710049 中国科学院高能物理研究所北京100049 粒子探测与电子学国家重点实验室北京100049

本文主要研究静态随机存取存储器(static random-access memory,SRAM)的单粒子效应翻转截面的测量方法。基于宽能谱白光中子束流,采用了一种操作更方便的SRAM翻转截面测量方法。在SRAM前面放置聚乙烯中子慢化材料改变入射到SRAM表面上... 详细信息

本文主要研究静态随机存取存储器(static random-access memory,SRAM)的单粒子效应翻转截面的测量方法。基于宽能谱白光中子束流,采用了一种操作更方便的SRAM翻转截面测量方法。在SRAM前面放置聚乙烯中子慢化材料改变入射到SRAM表面上的中子能谱,利用模拟计算得到改变后的中子能谱。利用奇异值分解法求解翻转率的矩阵方程得到SRAM的翻转截面。结果表明在4~15 MeV的能量范围内,使用反角白光中子源测试的SRAM翻转截面信息和参考文献中使用单能中子源测试拟合的SRAM翻转截面信息基本吻合。

关键词：中子能谱准单能中子源单粒子效应 SRAM翻转截面奇异值分解

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子束辐照诱导介质表面带电演化过程

科学通报 2022年第2期67卷 212-220页

作者：王丹蔡亚辉茅张松贺永宁西安交通大学微电子学院西安710049 西安交通大学信息与通信工程学院西安710049 西安市微纳电子与系统集成重点实验室西安710049

空间环境中航天器介质表面的充放电现象是在轨航天器工作中面临的重要可靠性问题,开展介质表面充放电动态过程研究对于揭示带电机理、开展带电防护研究至关重要.本文推导了介质表面电子发射行为对表面带电类型和带电水平的影响规律,通... 详细信息

空间环境中航天器介质表面的充放电现象是在轨航天器工作中面临的重要可靠性问题,开展介质表面充放电动态过程研究对于揭示带电机理、开展带电防护研究至关重要.本文推导了介质表面电子发射行为对表面带电类型和带电水平的影响规律,通过仿真建模模拟了恒定能量电子束辐照介质时的表面电荷积累过程,获得了氧化镁、氧化铝、高阻氧化锌3种介质表面电位演化过程的动态规律.结果表明,如果电子束能量低于二次电子产额曲线中第二临界能量,则辐照诱发的表面负带电或正带电的平衡电位较低,仅为几十伏;而高于第二临界能量的电子束辐照诱发的表面负带电水平可达上万伏;具有高第二临界能量的介质材料的负带电水平相对较低且充电速率较为缓慢,是减缓介质表面充电过程、实现带电防护的理想材料.本研究详尽论述了单一能量电子束辐照下介质表面电位演化过程的动态规律,对于进一步开展介质表面带电水平分析和抑制带电研究具有重要意义.

关键词：介质带电表面电位平衡电位二次电子发射电子束辐照

PTFE-SiO_(2)复合涂层电子发射特性及抑制放电

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

表面技术 2023年第6期52卷 369-376页

作者：蔡亚辉王丹张雯贺永宁西安交通大学电子与信息学部微电子学院西安710049 西安交通大学、西安市微纳电子与系统集成重点实验室西安710049 西安交通大学理学院西安710049

目的调控空间电子器件有机介质聚四氟乙烯(PTFE)表面的二次电子发射系数(SEY)接近1,以降低表面电荷沉积速率,减少静电放电(ESD)的发生。方法通过磁力搅拌将PTFE分散液和SiO_(2)粉末混合均匀,制备不同浓度配比的PTFE-SiO_(2)混合溶液,将... 详细信息

目的调控空间电子器件有机介质聚四氟乙烯(PTFE)表面的二次电子发射系数(SEY)接近1,以降低表面电荷沉积速率,减少静电放电(ESD)的发生。方法通过磁力搅拌将PTFE分散液和SiO_(2)粉末混合均匀,制备不同浓度配比的PTFE-SiO_(2)混合溶液,将混合溶液旋涂在覆铜板表面,在80℃烘箱中加热4h得到复合涂层。利用扫描电子显微镜(SEM)对涂层表面形貌进行观察,采用局域漏电流法对复合涂层的二次电子发射系数进行测试,通过MATLAB对表面电势进行仿真计算,在SEM中对复合涂层放电特性进行测试。结果从SEM图可以看出,随着SiO_(2)浓度的增大,复合涂层表面SiO_(2)颗粒变得密集。从SEY测试结果可以看出,在SEY>1的能量区间内,复合涂层的SEY随SiO_(2)浓度的增大而逐渐降低,当SiO_(2)质量分数大于15%后,涂层的SEY基本保持不变;在SEY<1的能量区间内,当SiO_(2)浓度为15%时,复合涂层的SEY达到最大值。表面电势仿真计算结果及放电测试结果显示,复合涂层能有效降低表面电荷沉积速率及增大放电阈值。结论当SiO_(2)颗粒质量分数为15%时,复合涂层SEY的调控效果最显著,SEY最大值从2.0变化到1.6,10keV能量下的SEY从0.6变化到0.8。当SiO_(2)颗粒质量分数大于15%时,复合涂层能有效降低真空器件PTFE表面电荷沉积速率,提高放电阈值,减少静电放电的发生。因此,这是一种有效提高航天器电子器件可靠性和工作时间的表面处理方法。

关键词：空间电子器件静电放电 SiO_(2) PTFE 复合涂层二次电子发射系数

一种ZnO单晶肖特基结X射线探测器及其特性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

西安交通大学学报 2022年第9期56卷 169-175页

作者：黄丹阳赵小龙贺永宁彭文博西安交通大学电子与信息学部西安710049 西安市微纳电子与系统集成重点实验室西安710049

针对传统的硅基辐射探测器在极端环境应用中表现出抗辐照和耐高温能力差的问题,提出并实现了一种采用ZnO单晶制备的肖特基结X射线探测器,并对其各项电学特性进行了测试分析。利用磁控溅射法在ZnO单晶的两面分别制备了Au电极和Al电极;在... 详细信息

针对传统的硅基辐射探测器在极端环境应用中表现出抗辐照和耐高温能力差的问题,提出并实现了一种采用ZnO单晶制备的肖特基结X射线探测器,并对其各项电学特性进行了测试分析。利用磁控溅射法在ZnO单晶的两面分别制备了Au电极和Al电极;在400℃下退火使得Au-ZnO形成肖特基接触,Al-ZnO形成欧姆接触。常温暗场条件下电流特性测试结果表明:器件的反向电流与温度的倒数成指数关系;在-10 V反向偏置电压下的器件电流为15μA,10 V正向偏置电压下的电流为100μA;在偏置电压为-10 V时测量器件对X射线的响应,发现响应电流随射线电子束流的增加而增加;当加速电压为30 keV、入射X射线电子束流在1~10μA范围内时器件有较高的能量分辨率;在偏置电压为-10 V条件下对器件施加以周期性光照时,器件上升时间和下降时间分别为0.04 s和3.59 s,响应速度快且重复性好。该研究结果表明,基于ZnO单晶的Au/ZnO/Al结构的肖特基结探测器件在X射线探测领域具有较好的应用前景。

关键词： ZnO单晶肖特基结 X射线探测半导体探测器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于扫描电子显微镜的二次电子发射系数测量

真空科学与技术学报 2022年第9期42卷 654-657页

作者：蔡亚辉王丹贺永宁西安交通大学电子与信息学部微电子学院西安710049 西安市微纳电子与系统集成重点实验室西安710049

二次电子发射特性对许多领域的真空器件有着重要的影响,准确测量二次电子发射系数至关重要。本文介绍了一种基于扫描电子显微镜的二次电子发射系数的测量方法。利用扫描电子显微镜电子束流的高稳定性和电子能量的宽范围可调的特性,引入... 详细信息

二次电子发射特性对许多领域的真空器件有着重要的影响,准确测量二次电子发射系数至关重要。本文介绍了一种基于扫描电子显微镜的二次电子发射系数的测量方法。利用扫描电子显微镜电子束流的高稳定性和电子能量的宽范围可调的特性,引入法拉第杯样品台,通过改变电子束扫描速度,放大倍数及聚焦状态等电镜参数,对平滑Ag的二次电子发射系数进行测量。结果显示,平滑Ag的二次电子发射系数不受电镜参数影响,且与参考文献测量结果相符合。本测试方法对于研究材料宽电子能量范围的二次电子发射特性具有重要的参考意义。

关键词：二次电子发射二次电子发射系数测量扫描电子显微镜真空系统宽电子能量范围

微波谐振腔低气压放电等离子体反应动力学过程

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2022年第24期71卷 136-145页

作者：陈泽煜彭玉彬王瑞贺永宁崔万照中国空间技术研究院西安分院空间微波技术重点实验室西安710000 西安交通大学微电子学院西安710049

低气压放电是制约航天器微波部件向大功率、小型化方向发展的重要问题.针对航天器微波部件低气压放电机理尚不明确的关键问题,本文搭建了低气压射频放电等离子体发射光谱诊断平台,对微波腔体谐振器低气压射频放电的等离子体反应动力学过... 详细信息

低气压放电是制约航天器微波部件向大功率、小型化方向发展的重要问题.针对航天器微波部件低气压放电机理尚不明确的关键问题,本文搭建了低气压射频放电等离子体发射光谱诊断平台,对微波腔体谐振器低气压射频放电的等离子体反应动力学过程,及放电对于微波部件的破坏效应进行研究.获取不同气体压强条件下谐振器内放电等离子体的发射光谱,发现等离子体内羟基OH(A-X)、激发态氮分子N(C-B)及氧原子O(3p^(5)P→3s^(5)S^(0))的密度随气压升高呈现先上升后下降的变化趋势.对这一现象所蕴含的等离子体反应动力学机理进行了分析,发现气体压强可通过改变粒子生成与消耗路径及等离子体平均电子温度的方式对等离子体中各粒子的浓度大小产生影响.研究了等离子体发射光谱随输入功率的变化规律,发现了不同气压条件下粒子浓度随输入功率的增大呈线性增长的趋势.本研究为探明低气压射频放电机理及航天器微波部件的可靠性设计提供了参考依据.

关键词：航天器微波部件射频低气压放电等离子体发射光谱

PTFE-SiO复合涂层电子发射特性及抑制放电

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

表面技术 2022年

作者：蔡亚辉王丹张雯贺永宁西安交通大学电子与信息学部微电子学院西安交通大学理学院西安市微纳电子与系统集成重点实验室

目的调控空间电子器件有机介质聚四氟乙烯(PTFE)表面的二次电子发射系数(SEY)接近1，降低表面电荷沉积速率，减少静电放电(ESD)的发生。方法通过磁力搅拌将PTFE分散液和SiO粉末混合均匀，制备不同浓度配比的PTFE-SiO混合溶液，将混合...

目的调控空间电子器件有机介质聚四氟乙烯(PTFE)表面的二次电子发射系数(SEY)接近1，降低表面电荷沉积速率，减少静电放电(ESD)的发生。方法通过磁力搅拌将PTFE分散液和SiO粉末混合均匀，制备不同浓度配比的PTFE-SiO混合溶液，将混合溶液旋涂在覆铜板表面，在烘箱中80℃加热4小时得到复合涂层。利用扫描电子显微镜(SEM)对涂层表面形貌进行观察，采用局域漏电流法对复合涂层的二次电子发射系数进行测试，用MATLAB对表面电势进行仿真计算，在SEM中对复合涂层放电特性进行测试。结果从SEM图可以看出，随着SiO浓度的增加，复合涂层表面SiO颗粒越密集。SEY的测试结果可以看出，在SEY大于1的能量区间内，复合涂层的SEY随SiO浓度的增加逐渐降低，当SiO浓度大于15%后，涂层的SEY基本保持不变；在SEY小于1的能量区间内，当SiO浓度为15%时，复合涂层的SEY达到最大值。表面电势仿真计算结果及放电测试结果显示，复合涂层能有效的降低表面电荷沉积速率及增大放电阈值。结论当SiO颗粒浓度为15%时，复合涂层SEY的调控效果最显著，SEY最大值从2.0变化到1.6，10 keV能量下的SEY从0.6变化到0.8。当SiO颗粒浓度大于15%时，复合涂层能有效降低真空器件PTFE表面电荷沉积速率，提升放电阈值，减少静电放电的发生。因此这是一种有效提高航天器电子器件可靠性和工作时间的表面处理方法。

关键词：

氩气辅助激发大气压微波冷等离子体射流的研究

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

高电压技术 2023年第9期49卷 3856-3863页

作者：胥钧埕周昱赵佩芝彭玉彬贺永宁西安市微纳电子与系统集成重点实验室(西安交通大学) 西安710049 西安交通大学人居环境与建筑工程学院西安710049

微波同轴谐振器已被广泛用作大气压等离子体射流的发生装置,其产生的等离子体射流已用于生物医学、材料表面处理等众多领域,大气压条件下微波放电等离子体源的功率阈值是影响其能否广泛应用的关键问题。文中设计的微波等离子体射流源工... 详细信息

微波同轴谐振器已被广泛用作大气压等离子体射流的发生装置,其产生的等离子体射流已用于生物医学、材料表面处理等众多领域,大气压条件下微波放电等离子体源的功率阈值是影响其能否广泛应用的关键问题。文中设计的微波等离子体射流源工作频率2.6 GHz,回波损耗13.99 dB,工作气体为Ar气,大气压条件下产生紫色的丝状射流,击穿功率41.1 dBm(12.9 W),维持功率仅20 dBm(0.1 W)。结合实验观察和ANSYS Fluent流体力学仿真方法探究了等离子体射流长度与气体体积流量、输入功率的关系,发现层流状态下射流长度随气体体积流量增大而伸长,湍流状态下则反之,但不同气体体积流量下射流长度均随着输入功率单调增大。同时,实验发现关断Ar气后等离子体并未熄灭,而是诱发了同轴尖端附近位置的空气等离子体维持状态。在此基础上提出以Ar气或He气为先导气体,将其电离击穿后辅助激发难电离气体产生冷等离子体射流,在不需要提供高微波功率条件下实现了CO_(2)、N_(2)、O_(2)等冷等离子体射流。

关键词：微波同轴谐振器大气压冷等离子体射流氩气射流长度等离子体球低击穿功率阈值