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增强和抑制GhDWF4基因对棉花生长发育的影响

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增强和抑制GhDWF4基因对棉花生长发育的影响

基于时序InSAR的山西大同煤田地表沉降监测及时空演化分析

全国植物分子育种学术研讨会

作者：胡明瑜谭琨岭陈魁君廖鹏侯磊李先碧肖月华裴炎罗明西南大学农业部生物技术与作物品质改良重点开放实验室生物技术中心

棉花是一种重要的经济作物,改良棉花纤维的品质和产量是棉花育种的焦点。了解棉花纤维发育的分子机制,可以通过基因工程有目的地改良棉花纤维品质和产量。然而到目前为止,纤维发育

关键词： GhDWF4基因表达棉花生长农杆菌介导法组织化学染色遗传转化

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中国地质 2024年第1期51卷 170-183页

作者：仝云霄杨俊泉王雪谭琨中国地质调查局天津地质调查中心天津300170 华北地质科技创新中心天津300170 华东师范大学地理科学学院上海200241 华东师范大学地理信息科学教育部重点实验室上海200241

[研究目的]地表沉降作为煤矿区主要地质灾害之一,严重影响矿区经济的可持续发展和居民生活的安全稳定,有必要对矿区地表沉降进行快速高效监测。[研究方法]以大同煤田为例,研究使用2020年1月至2021年12月共31景Sentinel-1影像,基于短基... 详细信息

[研究目的]地表沉降作为煤矿区主要地质灾害之一,严重影响矿区经济的可持续发展和居民生活的安全稳定,有必要对矿区地表沉降进行快速高效监测。[研究方法]以大同煤田为例,研究使用2020年1月至2021年12月共31景Sentinel-1影像,基于短基线集干涉测量技术(Small Baseline Subset InSAR,SBAS-InSAR)对地表沉降进行监测,获取大同煤田地表沉降速率和累计沉降结果,使用已有研究成果对监测结果的可靠性进行验证,并分析了沉降时空变化特征及演化规律。[研究结果]大同煤田地表沉降分布较广,沉降总体分布趋势与大同煤田矿业管理数据的走向基本一致。沉降主要分布在大同市南郊区西部以及大同市、怀仁市和山阴县交界处,其中塔山矿地表沉降最为严重,大同煤田最大沉降速率为168.03 mm/a,最大累计沉降量为329.12 mm,总沉降面积为270.95 km^(2),且沉降呈现持续增加的趋势,根据沉降趋势推断需要较长时间才能实现地表活动相对稳定。[结论]研究表明了InSAR技术在煤矿区沉降监测的可行性,可为矿产资源管理工作提供新的技术方法,研究结果可为煤矿区沉降监测预警、灾害防控及资源合理开发利用提供科学依据。

关键词：大同煤田 SBAS-InSAR 矿区沉降地表形变监测时空演化环境地质调查工程

棉花GhBR6OX2基因的克隆、表达分析和功能鉴定

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棉花GhBR6OX2基因的克隆、表达分析和功能鉴定

资产管理公司参与高风险中小金融机构风险化解的思考

全国植物分子育种学术研讨会

作者：陈魁君胡明瑜李先碧肖月华侯磊李德谋谭琨岭廖鹏裴炎罗明西南大学农业部生物技术与作物品质改良重点开放实验室生物技术中心

棉花是最重要的天然纤维作物,在我国国民经济中占有重要地位。近年来我国棉花产量和品质育种进展迟缓,主要原因是棉花纤维品质与产量性状基因存在负连,以及优良品质基因主要存在远

关键词：

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财经界 2024年第26期 75-77页

作者：谭琨四川发展资产管理有限公司

发现并处置单体金融机构风险，对防范系统性金融风险，促进区域经济金融稳定发展具有十分重要的意义。金融资产管理公司和地方资产管理公司具有逆周期调节和金融救助功能和职责，应当积极参与单体高风险机构的风险化解。本文初步探讨了... 详细信息

发现并处置单体金融机构风险，对防范系统性金融风险，促进区域经济金融稳定发展具有十分重要的意义。金融资产管理公司和地方资产管理公司具有逆周期调节和金融救助功能和职责，应当积极参与单体高风险机构的风险化解。本文初步探讨了资产管理公司介入高风险机构风险化解的优势、思路、路径方法，对下一步资产管理公司充分发挥职能作用，有效化解金融体系风险提出了相关建议。

关键词：资产管理公司高风险机构救助性金融服务

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“特精评品”:况周颐词学的品藻特色

学术界 2024年第4期 125-134页

作者：杨柏岭安徽师范大学中国诗学研究中心安徽芜湖241000

品藻作为中国文艺批评及创作的特殊方式,在词学中有着鲜明的体现。“特精评品”的况周颐便擅长此道。其词论无论用语、思路、趣味还是内容,均浸染着鲜明的人物品藻特点。其咏物词仍坚守托物言志、借物抒怀的传统,然物之品性并使之人性... 详细信息

品藻作为中国文艺批评及创作的特殊方式,在词学中有着鲜明的体现。“特精评品”的况周颐便擅长此道。其词论无论用语、思路、趣味还是内容,均浸染着鲜明的人物品藻特点。其咏物词仍坚守托物言志、借物抒怀的传统,然物之品性并使之人性化、伦理化,始终是他品题自然风物的焦点。在关涉自己人生经历及精神生活的词作中,亦不忘对自我性格、操行的品评。通过人物品藻、自然风物品题及性格自我品评,可进一步探知况周颐的词学特点及审美观念。

关键词：况周颐词学品藻人物风物性格

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铁电材料催化抗菌研究进展

工程科学学报 2024年第9期46卷 1702-1712页

作者：张妍车俊岭贾艳敏西安邮电大学理学院西安710121 陕西师范大学物理与信息技术学院西安710062

研究和发展抗菌技术对保障人类的生命健康至关重要.铁电材料是具有自发极化,且自发极化能够被外电场所转向的一类材料.在外加场的刺激下,铁电材料内部电偶极子的有序排列被打破,表面的束缚电荷重新分布,被释放的正负电荷与周围介质中的... 详细信息

研究和发展抗菌技术对保障人类的生命健康至关重要.铁电材料是具有自发极化,且自发极化能够被外电场所转向的一类材料.在外加场的刺激下,铁电材料内部电偶极子的有序排列被打破,表面的束缚电荷重新分布,被释放的正负电荷与周围介质中的氧气和水发生反应,生成具有强氧化性的活性物质(如·OH,O_(2)^(-))来灭活细菌.结合铁电材料具备良好的压电、热释电及光伏性质,以及响应快(10^(-6) s)、机电耦合系数高的独特优势,与催化技术相结合已发展成为一种新兴的灭菌技术.本综述从铁电材料的压电催化抗菌、热释电催化抗菌及光催化抗菌三个方面,对前人报道的关于铁电材料催化抗菌的工作进行了总结梳理,并分别阐述了铁电材料在不同类型催化过程中的抗菌机制.

关键词：铁电材料抗菌压电催化热释电催化光催化

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过渡金属催化芳香碳环的选择性不对称氢化

有机化学 2024年第7期44卷 2063-2076页

作者：陈倩韩召斌丁奎岭上海理工大学材料与化学学院中国科学院上海有机化学研究所金属有机化学国家重点实验室上海交通大学化学化工学院上海交通大学变革性分子前沿科学中心

(杂)芳烃中碳环的不对称氢化是制备饱和以及部分饱和手性六元碳环化合物最直接高效的方法之一.尽管(杂)芳烃的不对称氢化在反应活性、选择性等方面存在着很大的挑战,但近年来该领域还是取得了一些突破.系统地综述了过去几十年过渡金属... 详细信息

(杂)芳烃中碳环的不对称氢化是制备饱和以及部分饱和手性六元碳环化合物最直接高效的方法之一.尽管(杂)芳烃的不对称氢化在反应活性、选择性等方面存在着很大的挑战,但近年来该领域还是取得了一些突破.系统地综述了过去几十年过渡金属催化的芳烃中碳环不对称氢化的研究进展,并讨论了该领域存在的问题及可能的发展方向.

关键词：过渡金属 (杂)芳烃不对称氢化去芳构化

16MnDR钢焊接接头组织特性及在氢氟酸环境中的腐蚀行为

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机械工程学报 2024年第8期60卷 196-203页

作者：顾玉芬鲁娜石玗孙青岭兰州理工大学省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室兰州730050 中核兰州铀浓缩有限公司兰州730060

16MnDR钢中厚板核贫料储罐焊接接头采用脉冲钨极氩弧焊(P-TIG)打底和埋弧焊(SAW)填充及盖面工艺制造。只采用P-TIG焊接的打底层组织为针状铁素体+索氏体,但SAW填充后的打底层发生了组织转变,变为多边形铁素体+蠕虫状屈氏体。通过对焊接... 详细信息

16MnDR钢中厚板核贫料储罐焊接接头采用脉冲钨极氩弧焊(P-TIG)打底和埋弧焊(SAW)填充及盖面工艺制造。只采用P-TIG焊接的打底层组织为针状铁素体+索氏体,但SAW填充后的打底层发生了组织转变,变为多边形铁素体+蠕虫状屈氏体。通过对焊接接头在0.1 M氢氟酸中的浸泡腐蚀试验发现,SAW填充后的打底层的耐蚀性发生严重退化,其原因是蠕虫状屈氏体极细的片层结构在腐蚀溶液中发生了微电偶腐蚀,从而近表面的屈氏体就相当于一个块状的渗碳体,然后与周边多边形铁素体形成的大阴极小阳极的腐蚀电偶加速了铁素体的腐蚀溶解,进而屈氏体失去支撑,最终松动脱落并在宏观上形成了腐蚀坑。这一发现为核贫料储罐的安全服役奠定了理论基础,为后续工艺的优化设计指明了方向。

关键词： 16MnDR钢焊接显微组织热循环腐蚀

背栅效应下氮化镓功率器件中的载流子缺陷能级与结构研究

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武汉大学学报(理学版) 2024年

作者：张梦蝶季雯曹茹月姜俊松尹玉莲谭琨赵长辉张召富郭宇铮唐曦安徽大学物质科学与信息技术研究院武汉大学工业科学研究院剑桥大学工程系

通过实验表征和理论计算为氮化镓功率器件中的材料缺陷和背栅效应之间提供了物理联系。首先制备了硅基氮化镓高电子迁移率晶体管；然后采用电流瞬态方法研究了器件中背栅效应下的缺陷能级，基于时间常数谱和阿伦尼乌斯定律分析，确定了... 详细信息

通过实验表征和理论计算为氮化镓功率器件中的材料缺陷和背栅效应之间提供了物理联系。首先制备了硅基氮化镓高电子迁移率晶体管；然后采用电流瞬态方法研究了器件中背栅效应下的缺陷能级，基于时间常数谱和阿伦尼乌斯定律分析，确定了三种主要的电子缺陷能级，分别为0.169、0.240和0.405 eV；最后，利用第一性原理计算研究了缺陷的可能结构。

关键词：背栅效应电流瞬态方法缺陷能级第一性原理计算