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高功率单高阶模倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器（英文）

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红外与毫米波学报 2018年第2期37卷 168-172页

作者：王霞郝永芹晏长岭王作斌王志伟谢检来马晓辉姜会林长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 长春理工大学科技部国家纳米操纵与制造国际联合研究中心吉林长春130022 长春理工大学空间光电技术研究所吉林长春130022

提出并研究了一种带有环形出光孔的倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器.该器件最突出的结构特点在于,支持稳定的单高阶横向模式激射.在输入电流为六倍阈值电流时,输出功率高达9.8 m W,边模抑制比将近30 d B.在外界为360 K高温时,输出... 详细信息

提出并研究了一种带有环形出光孔的倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器.该器件最突出的结构特点在于,支持稳定的单高阶横向模式激射.在输入电流为六倍阈值电流时,输出功率高达9.8 m W,边模抑制比将近30 d B.在外界为360 K高温时,输出功率仍可达4 m W.且其远场表现出的高斯光束发散角较小.

关键词：半导体激光器垂直腔面发射激光器单高阶模高温倒置表面浮雕

一种具有低折射率的高对比度光栅反射镜的设计

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发光学报 2018年第6期39卷 855-861页

作者：谢检来郝永芹张家斌晏长岭马晓辉王志伟王霞长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022

设计并研究了一种工作于2μm波段的Ga Sb基亚波长高对比度光栅反射镜,其具有低折射率光栅层结构。通过严格耦合波理论优化结构,以最大限度地满足VCSEL腔面反射镜对反射率带宽的要求。反射镜对2μm波段的TM模式具有优良的反射效率,带宽... 详细信息

设计并研究了一种工作于2μm波段的Ga Sb基亚波长高对比度光栅反射镜,其具有低折射率光栅层结构。通过严格耦合波理论优化结构,以最大限度地满足VCSEL腔面反射镜对反射率带宽的要求。反射镜对2μm波段的TM模式具有优良的反射效率,带宽与设计波长之比达15%(反射率R>99%),在反射率R>99.9%的部分Δλ/λ_0>9.5%,带宽中心波长为2.003μm,与此同时TE模的反射率不超过70.20%。该反射镜结构中几个参数的制作容差较大,且厚度低于1.1μm,有利于在垂直腔面发射半导体激光器上的单片集成。

关键词：亚波长光栅反射镜垂直腔面发射激光器 GaSb

GaSb基PECVD法制备SiO_2薄膜的应力研究

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发光学报 2018年第7期39卷 935-941页

作者：王志伟郝永芹李洋谢检来王霞晏长岭魏志鹏马晓辉长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022

为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO_2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO_2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法... 详细信息

为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO_2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO_2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法模型,对镀膜前后的曲率半径进行了实验测量,利用Stoney公式计算相关应力值并绘制应力变化曲线。详细讨论了PECVD工艺条件的改变对SiO_2薄膜应力所产生的影响。同时通过在Si衬底上沉积SiO_2薄膜,对比分析了导致薄膜应力产生的因素及变化过程。实验结果表明,在沉积温度为300℃、射频功率为20 W、腔体压强为90 Pa、气体流量比SiH_4/N_2O为125/70 cm^3·min^(-1)的工艺参数下,PECVD法在GaSb衬底上沉积的SiO_2薄膜应力相对较小。

关键词： GaSb PECVD SiO2薄膜应力

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大功率分布反馈半导体激光器研究进展

微纳电子技术 2018年第6期55卷 388-396,407页

作者：李杨冯源李洋张昕岳光礼王志伟谢检来王霞郝永芹长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

介绍了分布反馈半导体激光器（DFB-LD）的工作原理，分析了不同的光栅阶数及耦合机制对DFB-LD激光输出特性的影响。重点评述了大功率DFB-LD研究发展状况，从结构特性及技术手段等方面详细分析了不同技术方案的优势与不足：大功率二次外... 详细信息

介绍了分布反馈半导体激光器（DFB-LD）的工作原理，分析了不同的光栅阶数及耦合机制对DFB-LD激光输出特性的影响。重点评述了大功率DFB-LD研究发展状况，从结构特性及技术手段等方面详细分析了不同技术方案的优势与不足：大功率二次外延DFB-LD对光栅和有效光场耦合较好，但二次外延对技术控制精度要求极高且会引入缺陷；表面金属光栅边发射DFl3-LD避免了二次外延，但制作金属光栅时会出现欧姆接触电阻大和阈值特性劣化等问题；大功率表面光栅面发射DFB-LD虽然在获得高功率高质量光束方面有很大优势，且避免了二次外延，但存在光栅的表面耦合系数较低等技术难题。最后总结分析大功率DFB-LD技术发展趋势，对其广阔的应用前景进行展望。

关键词：半导体激光器高功率波长稳定性分布反馈光栅二次外延

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长波长VCSEL的研究现状

电子世界 2018年第2期 167-168页

作者：王霞李洋王志伟谢检来长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)是半导体激光器的一种,自发明问世以来便在半导体激光器领域引起广泛的关注。本文探讨了长波长VCSEL工作原理、相关制备工艺、应用及发展现状等问题。

关键词：长波长垂直腔面发射激光器掩埋隧道结

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GaSb基VCSEL刻蚀工艺研究

光电工程 2017年第12期44卷 1225-1229页

作者：张昕李洋王霞李杨岳光礼王志伟谢检来张家斌郝永芹长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室长春130022

2μm^5μm波段GaSb基VCSEL对大气检测技术有着重要的应用,但制备技术的不成熟严重制约着GaSb基VCSEL的发展。刻蚀工艺中出现的下切效应就是器件制备中存在的突出问题。针对上述问题,选择三种不同成分的磷酸系刻蚀液进行了对比性刻蚀实验... 详细信息

2μm^5μm波段GaSb基VCSEL对大气检测技术有着重要的应用,但制备技术的不成熟严重制约着GaSb基VCSEL的发展。刻蚀工艺中出现的下切效应就是器件制备中存在的突出问题。针对上述问题,选择三种不同成分的磷酸系刻蚀液进行了对比性刻蚀实验,并通过台阶仪、扫描电子显微镜(SEM)测试观察了刻蚀速率和表面形貌。实验分析表明,浓度配比为1 m L:1 m L:0.6 g:10 m L的H_3PO_4:H_2O_2:C_4H_6O_6:H_2O刻蚀液具有良好的腐蚀效果,消除了以往腐蚀过程中出现的下切效应,且垂直形貌好,未出现钻蚀现象,晶片表面平整且光滑,且保持稳定的刻蚀速率0.62μm/min,为激光器制备提供了良好的前期实验基础。

关键词： GaSb 垂直腔面发射激光器腐蚀速率表面形貌酒石酸

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亚波长光栅反射镜的制备及应用

电子世界 2018年第2期 173-174页

作者：王志伟张家斌王霞谢检来长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

论文主要是围绕垂直腔面发射激光器(VCSEL)中亚波长光栅反射镜的制备技术开展研究,通过阅读大量的国内外文献,了解垂直腔面发射激光器的基本原理和结构,及其优良的性能和广泛的应用前景。掌握亚波长光栅独特的衍射特性及其在垂直腔面发... 详细信息

论文主要是围绕垂直腔面发射激光器(VCSEL)中亚波长光栅反射镜的制备技术开展研究,通过阅读大量的国内外文献,了解垂直腔面发射激光器的基本原理和结构,及其优良的性能和广泛的应用前景。掌握亚波长光栅独特的衍射特性及其在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的应用,通过分析和设计亚波长光栅结构,优化工艺流程和参数,实现亚波长光栅的制备,使其满足VCSELs的要求。

关键词：光栅垂直腔面发射激光器应力

2μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜的设计

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激光与光电子学进展 2017年第7期54卷 91-95页

作者：谢检来郝永芹王志伟王霞晏长岭刘国军马晓辉李杨岳光礼张昕长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022

研究了一种2μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜,讨论了亚波长光栅的各参数对反射谱的影响。对于中心波长为2μm的TM模式,反射镜具有大宽带和极高的反射率,反射带宽与中心波长之比大于26%(反射率大于99%),波长为1.895~2.08μm时,反射率达到9... 详细信息

研究了一种2μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜,讨论了亚波长光栅的各参数对反射谱的影响。对于中心波长为2μm的TM模式,反射镜具有大宽带和极高的反射率,反射带宽与中心波长之比大于26%(反射率大于99%),波长为1.895~2.08μm时,反射率达到99.9%以上,带宽达185nm,同时TE模的反射率低于垂直腔面发射半导体激光器的激射条件(反射率小于95%)。该结构的各个参数所允许的制作容差较大,有利于在垂直腔面发射半导体激光器上的单片集成。

关键词：光栅反射镜垂直腔面发射激光器锑化镓

抑郁症患者TyG指数与抑郁严重程度及应激生活事件相关性研究

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抑郁症患者TyG指数与抑郁严重程度及应激生活事件相关性研究

作者：谢克来·雪合热提新疆医科大学

学位级别：硕士