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钇硅化物的合成及相变研究

无机材料学报 2002年第4期17卷 708-712页

作者：谢二庆王文武姜宁贺德衍兰州大学物理系兰州730000

利用离子注入的方法在Si（111）衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi2埋层,并对其进行了结构及电学特性的研究.钇注入剂量为1×1018Y+cm-2,注入能量为100keV.利用X射线衍射（XRD）及卢瑟福背散射技术（RBS）得到了注入样品的结构... 详细信息

利用离子注入的方法在Si（111）衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi2埋层,并对其进行了结构及电学特性的研究.钇注入剂量为1×1018Y+cm-2,注入能量为100keV.利用X射线衍射（XRD）及卢瑟福背散射技术（RBS）得到了注入样品的结构相.结果显示,在对衬底Si进行Y离子注入的过程中就已经形成了YSi2相,在随后的红外光辐照退火过程中,样品呈现出了取向生长的趋势.利用RBS的测量分析了注入层中的Y离子在样品不同深度处的浓度分布.利用四探针法对刚注入的样品进行了红外光辐照过程中的原位方块电阻测量,结果显示,当退火温度升到160℃时,样品中形成了斜方的YSi亚稳相;而240℃则对应着YSi-YSi2的相转变点。

关键词：硅化钇原位方块电阻测量离子注入合成相变结构电学性能

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a-SiC:H薄膜的中子辐照研究

强激光与粒子束 2003年第3期15卷 271-274页

作者：刘贵昂谢二庆王天民湛江海洋大学理学院广东湛江524088 兰州大学物理系甘肃兰州730000 北京航空航天大学理学院北京100083

　用射频(13.56MHz)反应溅射法制备了a SiC:H薄膜,并将制得的薄膜采用高能中子(14MeV)进行辐照。采用电阻率、Raman谱及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行了表征。分析结果表明:所得a SiC:H薄膜中存在多余的非晶态碳。随着中子辐... 详细信息

　用射频(13.56MHz)反应溅射法制备了a SiC:H薄膜,并将制得的薄膜采用高能中子(14MeV)进行辐照。采用电阻率、Raman谱及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行了表征。分析结果表明:所得a SiC:H薄膜中存在多余的非晶态碳。随着中子辐照剂量的增加,a SiC:H薄膜中SP2C=C键增加,即其中的碳存在类石墨化的趋势。中子辐照后薄膜的电阻率的略微减小现象,可用缺陷对载流子的捕获模型进行解释。

关键词： a-SiC:H薄膜中子辐照非晶碳石墨化碳化硅

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含氮类金刚石薄膜的紫外辐照研究

强激光与粒子束 2004年第3期16卷 372-376页

作者：刘贵昂谢二庆王天民湛江师范学院物理系广东湛江524048 兰州大学物理系甘肃兰州730000 北京航空航天大学理学院北京100083

　用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石(DLC)薄膜,采用离子注入法掺氮,并对掺氮DLC薄膜紫外(UV)辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明:随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加,位于2930cm-1附近的SP3C-H吸收峰明显变小,... 详细信息

　用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石(DLC)薄膜,采用离子注入法掺氮,并对掺氮DLC薄膜紫外(UV)辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明:随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加,位于2930cm-1附近的SP3C-H吸收峰明显变小,而位于1580cm-1附近的SP2C H吸收峰则明显增强,薄膜的电阻率明显呈下降趋势;随UV辐照时间的增加,位于1078cm-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm-1附近的Si-C键数量明显增加。即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性。

关键词：类金刚石薄膜氮离子注入 UV辐照 Raman与红外光谱结构与特性

基于镍钴层状双氢氧化物生长在氧化铟锡纳米线和炭布复合物上的高性能微型锌电池

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新型炭材料（中英文） 2022年第5期37卷 968-977页

作者：李喜娟刘国吴青峰王旭坤隋心翼王鑫格范紫烨谢二庆张振兴兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室甘肃兰州730000

人类需求推动了微型储能器件的快速发展,开发高性能、绿色和安全的小型化电子器件势在必行。近年来,平面叉指型可充电锌微电池(MB)因其易于串并联集成、灵活性和可去除传统隔膜而受到广泛关注。本文使用激光蚀刻技术合成了一种水基高安... 详细信息

人类需求推动了微型储能器件的快速发展,开发高性能、绿色和安全的小型化电子器件势在必行。近年来,平面叉指型可充电锌微电池(MB)因其易于串并联集成、灵活性和可去除传统隔膜而受到广泛关注。本文使用激光蚀刻技术合成了一种水基高安全性的负极Zn、正极NiCo-LDH@ITO NWs@CC的微型锌电池。由于使用高导电性的ITO NWs@CC集流体,基于锌箔负极和NiCo-LDH正极的叉指型微型电池表现出优异的性能。平面叉指微型电池在碱性水系电解质中、电流密度1 mA cm^(−2)下具有453.5 mAh g^(−1)(对应于0.56 mAh cm^(−2))的高比容量。值得注意的是,微型锌电池表现出优异的能量密度(798.4μWh cm^(−2),对应于649.9 Wh kg^(−1))和功率密度(4.1 mW cm^(−2),对应于3282.7 mW kg^(−1))。微型电池也表现出非常好的长期循环稳定性(在5 mA cm^(−2)下经4000次循环后容量保持率为216%)。此外,串并联测试进一步表明微型电池良好的一致性。

关键词：微型储能器件微型电池激光蚀刻氧化铟锡纳米线炭布

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氨化法制备GaN:Tb纳米颗粒的光学性能

物理学报 2013年第3期62卷 316-321页

作者：潘孝军安秀云张海军张振兴谢二庆兰州大学物理科学与技术学院兰州730000

利用简单的氨还原方法制备了GaN:Tb纳米颗粒.X射线衍射结果显示纳米颗粒为六方结构,根据Scherrer公式,计算得到了GaN:Tb纳米颗粒的平均晶粒大小为21.2nm;透射电子显微镜结果显示为GaN:Tb纳米颗粒尺寸均匀,尺寸大小约为20nm;除正常的GaNR... 详细信息

利用简单的氨还原方法制备了GaN:Tb纳米颗粒.X射线衍射结果显示纳米颗粒为六方结构,根据Scherrer公式,计算得到了GaN:Tb纳米颗粒的平均晶粒大小为21.2nm;透射电子显微镜结果显示为GaN:Tb纳米颗粒尺寸均匀,尺寸大小约为20nm;除正常的GaNRaman振动模式外,还观察到了251和414cm(-1)2个额外的Raman散射峰,前者是表面无序或尺寸限制效应造成的,而后者则是八面体Ga-N6振动模式;最后,测量了GaN:Tb纳米颗粒的室温光致发光谱,获得了Tb(3+)离子在可见光区(位于493.9,551.2,594.4和630.1nm)的本征发光.

关键词： GaN Tb纳米颗粒 Raman 光致发光氨还原法

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离子束合成钇硅化物的结构及红外谱特征

物理学报 2003年第1期52卷 233-236页

作者：王文武谢二庆贺德衍兰州大学物理系兰州730000

将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层 .利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式 .结果表明 ,Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2 结构相 .... 详细信息

将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层 .利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式 .结果表明 ,Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2 结构相 .真空下的红外光辐照处理促使YSi2 择优取向生长 ,埋层中Si与Y的平均原子浓度比由2 4下降为 2 0 ,与六方YSi2 的化学计量比一致 .还给出了钇硅化物的特征红外吸收谱 .

关键词：离子束合成钇硅化物离子注入红外光辐照处理特征红外光谱大规模集成电路

射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜

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物理学报 2004年第8期53卷 2780-2785页

作者：林洪峰谢二庆马紫微张军彭爱华贺德衍兰州大学物理科学与技术学院兰州730000

利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜 ,并利用x射线衍射 (XRD)和红外 (IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析 .XRD结果表明 ,低温制备的SiC薄膜为非晶相 ,而在高温下 (>80 0℃ ) ,薄膜呈现 4H SiC和 3C SiC结晶相 .I... 详细信息

利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜 ,并利用x射线衍射 (XRD)和红外 (IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析 .XRD结果表明 ,低温制备的SiC薄膜为非晶相 ,而在高温下 (>80 0℃ ) ,薄膜呈现 4H SiC和 3C SiC结晶相 .IR谱显示 ,溅射制备薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收 .此外 ,还利用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了研究。

关键词：射频溅射法 3C-SiC薄膜 4H-SiC薄膜 X射线衍射分析红外吸收谱分析薄膜结构分析

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HfOxNy栅介质薄膜的电学特性

Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 172-174页

作者：蒋然谢二庆兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 兰州大学物理科学与技术学院兰州730000

用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空... 详细信息

用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论.

关键词： HfOxNy 溅射空间电荷限制电流离子跳跃电导

光谱分析气体状态对近空间升华沉积CdTe多晶薄膜的影响

维普期刊数据库评论

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光谱学与光谱分析 2005年第7期25卷 1071-1076页

作者：郑华靖郑家贵冯良桓张静全谢二庆兰州大学物理科学与技术学院甘肃兰州730000 四川大学材料科学与工程学院四川成都610064

在CdTe多晶薄膜太阳电池制备中用近空间升华法生长了CdTe多晶薄膜, 沉积工作气体的状态决定了薄膜的结构、性质. 文章首先分析了近空间沉积的物理机制, 测量了近空间沉积装置内的温度分布, 使用氩氧混合气体为工作气体, 其中重点讨论了... 详细信息

在CdTe多晶薄膜太阳电池制备中用近空间升华法生长了CdTe多晶薄膜, 沉积工作气体的状态决定了薄膜的结构、性质. 文章首先分析了近空间沉积的物理机制, 测量了近空间沉积装置内的温度分布, 使用氩氧混合气体为工作气体, 其中重点讨论了该气体状态(包括气氛和气压)与薄膜的初期成核的关系, 即择优取向程度和光能隙与气氛和气压的关系. 结果表明, (1)不同气氛下沉积的CdTe薄膜均为立方相结构. 随氧浓度的增加, σ增加, 氧浓度为6%时, σ最大, 之后随氧浓度增加, σ降低, 在12%达到最小, 然后随氧浓度的增加而增加, 在氧浓度为9%时沉积的结晶更完整. CdTe薄膜的光能隙为1.50～1.51 eV; (2)在氩氧气氛下氧浓度为9%, 不同气压下制备的样品, 均有立方相CdTe, 此外, 还有CdS和SnO2:F衍射峰. CdTe晶粒随气压增加有减小趋势, 随气压的增加, 透过率呈下降趋势, 相应的CdTe吸收边向短波方向移动; (3)在氩氧气氛下氧浓度为9%, 采用衬底温度550 ℃, 源温度620 ℃, 沉积时间4 min时制备的CdTe多晶薄膜获得了转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的集成电池.

关键词： CdTe 近空间升华多晶薄膜光谱分析