检索结果-南通市图书馆

高功率密度3600A/4500V压接型IGBT研制

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中国电机工程学报 2018年第16期38卷 4855-4862页

作者：刘国友窦泽春罗海辉覃荣震黄建伟新型功率半导体器件国家重点实验室(株洲中车时代电气股份有限公司)

该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管（fast recovery diode,FRD）芯片、独特... 详细信息

该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管（fast recovery diode,FRD）芯片、独特结构的压接子单元,大幅度降低了芯片损耗、提高了单芯片电流容量;解决压接封装中的压力均衡、芯片均流等关键技术难题,成功研制高功率密度3600A/4500V压接型IGBT,具有导通损耗低、开关能力强、双面散热、失效短路的优点,功率容量与功率密度提高到一个新的水平,满足柔性直流输电应用需求。

关键词：高功率密度压接型绝缘栅双极晶体管快速恢复二极管

智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块

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中国电机工程学报 2016年第10期36卷 2784-2792页

作者：刘国友黄建伟覃荣震罗海辉朱利恒新型功率半导体器件国家重点实验室(株洲南车时代电气股份有限公司) 湖南省株洲市412001

基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能... 详细信息

基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。

关键词：绝缘栅双极晶体管智能电网电子注入增强台面栅 IGBT模块短路安全工作区

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射频宽带变压器两种实现方式的研究

压电与声光 2008年第5期30卷 572-573,576页

作者：覃荣震刘颖力张怀武电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054

实现射频宽带变压器的方式有低功率线性变压器和传输线变压器两种。该文从传统变压器理论和传输线理论入手,分析了影响变压器频率响应曲线的因素,提出设计射频宽带变压器的通用方法,并实际制作了这两种变压器,验证了方法的有效性,通过... 详细信息

实现射频宽带变压器的方式有低功率线性变压器和传输线变压器两种。该文从传统变压器理论和传输线理论入手,分析了影响变压器频率响应曲线的因素,提出设计射频宽带变压器的通用方法,并实际制作了这两种变压器,验证了方法的有效性,通过对测试结果的分析和比较,得到一些改善器件性能的有效方法。

关键词：射频宽带传输线变压器

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新型无损IGBT短路耐性测试电路

半导体技术 2016年第1期41卷 70-75页

作者：黄建伟刘国友余伟罗海辉朱利恒覃荣震株洲南车时代电气股份有限公司湖南株洲412000 新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412000

为保护绝缘栅双极晶体管(IGBT)测试电路及芯片失效信息,提出了一种新型的无损IGBT短路安全工作区测试电路,可以在器件测试时根据测试电流、电压波形特征,自动识别IGBT是否发生失效。一旦被测器件在测试过程中发生失效,测试电路能够立即... 详细信息

为保护绝缘栅双极晶体管(IGBT)测试电路及芯片失效信息,提出了一种新型的无损IGBT短路安全工作区测试电路,可以在器件测试时根据测试电流、电压波形特征,自动识别IGBT是否发生失效。一旦被测器件在测试过程中发生失效,测试电路能够立即自动将电流旁路,保护芯片表面不受二次大电流破坏,进而保护芯片失效信息,为芯片的失效分析提供依据。根据设计搭建了测试保护电路,并进行实验比较。通过分析对比失效IGBT模块及芯片内部结构,发现该新型测试电路能在IGBT失效后,保护被测IGBT芯片不被进一步破坏,为失效分析提供充分依据。

关键词：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 短路测试失效分析短路安全工作区无损测试

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片式抗EMI低通滤波器的LTCC工艺研究

压电与声光 2009年第1期31卷 145-147页

作者：覃荣震刘颖力燕文琴张怀武电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054

采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺实现抗电磁干扰(EMI)低通滤波器,针对在工艺流程中出现的各种问题,通过分析后提出解决方案,经反复实验,成功制作出与设计目标相符合的器件。所总结的工艺经验同样适用于基于LTCC工艺的其他器件。

关键词：低温共烧陶瓷抗电磁干扰低通滤波器工艺

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压接型IGBT均流设计

中国电力 2019年第9期52卷 20-29页

作者：刘国友窦泽春罗海辉覃荣震王彦刚新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001 株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001 中车株洲电力机车研究所有限公司湖南株洲412001

针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计。试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件... 详细信息

针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计。试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件内部均流状态较好。

关键词：均流压接型 IGBT 设计

轨道交通用IGBT模块互连技术及其发展趋势

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机车电传动 2013年第3期 1-5页

作者：覃荣震刘国友黄建伟株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心

从焊接、键合及压接三方面介绍了模块封装的各种互连技术,分析了各种互连方式的发展现状及其特点,总结了轨道交通用IGBT模块封装中的互连技术的发展方向。

关键词： IGBT模块互连技术焊接键合压接轨道交通

基于传输线变压器的功率合成/分配器的原理与设计

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磁性材料及器件 2007年第4期38卷 55-58页

作者：覃荣震刘颖力张怀武电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054

基于传输线变压器的功率合成/分配器具有宽频带、应用频率高、体积小、承受功率大、损耗小的特点,是一种良好的射频器件。本文根据传输线变压器的基本理论,通过分析功率合成/分配电路的两大组成部分——功率合成/分配网络和阻抗匹配网络... 详细信息

基于传输线变压器的功率合成/分配器具有宽频带、应用频率高、体积小、承受功率大、损耗小的特点,是一种良好的射频器件。本文根据传输线变压器的基本理论,通过分析功率合成/分配电路的两大组成部分——功率合成/分配网络和阻抗匹配网络,分别得到对传输线和磁芯的不同要求。总结出一种设计功率合成/分配器的通用方法,为设计功率合成/分配器提供了理论参考。

关键词：功率合成/分配器传输线变压器原理设计

牵引级高压IGBT模块短路特性研究及其优化

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机车电传动 2014年第1期 7-10,15页

作者：刘国友覃荣震黄建伟 Ian Deviny 吴义伯余伟株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心

介绍了IGBT 3种短路类型,通过优化器件的晶体管增益提高第二类短路能力,以承受更大短路电流的冲击,采取驱动电路栅极电压箝位措施来限制短路状态下的过流。经过设计与工艺优化后的高压IGBT成功通过了短路特性试验,满足轨道交通的应用需求。

关键词：绝缘栅双极晶体管短路晶体管增益箝位大功率变流器轨道牵引