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小型化恒温压控振荡器设计

半导体情报 2000年第3期37卷 58-61页

作者：申永进要志宏电子十三所石家庄050051

采用附加恒温电路对振荡器进行温度补偿 ,进而实现了低温漂。在结构设计上摒弃了传统的复杂恒温槽结构 ,改为对管壳封装的集成 VCO进行局部恒温 ,讨论了对温度漂移有影响的关键因素。通过合理设计 ,达到了要求的技术指标 ,实现了小型化。

关键词：压控振荡器恒温频率漂移设计

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集成化故障检测电路设计

半导体情报 2001年第5期38卷 33-35页

作者：王占奎要志宏电子十三所河北石家庄050051

讨论了高频 (微波 )通讯系统中故障检测电路设计的一般方法及设计中应注意的问题。

关键词：故障检测微封装电路设计集成电路

基于SFCR新型介质的X波段压控振荡器的研制

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基于SFCR新型介质的X波段压控振荡器的研制

2009年全国微波毫米波会议

作者：陈君涛要志宏中国电子科技集团第十三研究所

本文提出了一种基于DLI公司SFCR新型介质谐振器的压控振荡器（VCDO）的设计方法。此方法摒弃了传统的在介质谐振器旁边直接并联变容二极管来调谐振荡器输出频率的做法,采用调谐振荡器负阻电路部分的工作状态来实现频率的调谐。利用此方... 详细信息

本文提出了一种基于DLI公司SFCR新型介质谐振器的压控振荡器（VCDO）的设计方法。此方法摒弃了传统的在介质谐振器旁边直接并联变容二极管来调谐振荡器输出频率的做法,采用调谐振荡器负阻电路部分的工作状态来实现频率的调谐。利用此方法,我们制作了一个X波段的调谐带宽为百分之零点三的VCDO。该VCDO体积很小,单边带相位噪声达到了-92dBc/Hz@10kHz。

关键词：负阻振荡器相位噪声 VCDO

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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X波段GaN MMIC低噪声放大器设计

半导体技术 2015年第5期40卷 358-363页

作者：刘飞飞要志宏宋学峰刘帅中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

采用Si C衬底0.25μm Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,研制了一款X波段Ga N单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。放大器采用三级级联拓扑,第一级采用源极电感匹配,在确保良好的输入回波损耗的同时优化放大器噪... 详细信息

采用Si C衬底0.25μm Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,研制了一款X波段Ga N单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。放大器采用三级级联拓扑,第一级采用源极电感匹配,在确保良好的输入回波损耗的同时优化放大器噪声系数;第三级采用电阻电容串联负反馈匹配,在尽量降低噪声系数的前提下,保证良好的增益平坦度、输出端口回波损耗以及输出功率。在片测试表明,在10 V漏级电压、-2 V栅极电压偏置下,放大器静态电流为60 m A,8~12 GHz内增益为22.5 d B,增益平坦度为±1.2 d B,输入输出回波损耗均优于-11 d B,噪声系数小于1.55 d B,1 d B增益压缩点输出功率大于11.9 d Bm,其芯片尺寸为2.2 mm×1.1 mm。装配测试表明,噪声系数典型值小于1.6 d B,可承受33 d Bm连续波输入功率。该X波段Ga N低噪声放大器与高功率放大器工艺兼容,可以实现多功能集成,具有广阔的工程应用前景。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) X波段

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S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器设计

半导体技术 2015年第10期40卷 749-753页

作者：孔令甲要志宏高长征陈书宾中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

结合混合微波集成电路（HMIC）工艺和砷化镓单片微波集成电路（MMIC）工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器。采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性。由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,... 详细信息

结合混合微波集成电路（HMIC）工艺和砷化镓单片微波集成电路（MMIC）工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器。采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性。由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,低噪声放大器单片的输入匹配采用外部金丝键合线匹配,有效降低了低噪声放大器单片的噪声系数。限幅器采用混合集成工艺制成,能够耐受较大功率。利用微波仿真软件,设计制作了兰格（Lange）电桥、限幅电路和低噪声放大器输入匹配等电路。最终产品尺寸仅为22 mm×16 mm×6 mm,在2.7~3.5 GHz内增益27~28 d B,噪声系数小于1.3 d B,驻波比小于1.3,该平衡限幅MMIC低噪声放大器可承受功率超过200 W、占空比为15%的脉冲功率冲击。

关键词：砷化镓单片集成电路低噪声放大器混合微波集成限幅器外部匹配平衡式结构大功率

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胡萝卜粉中提取类胡萝卜素的工艺研究

中国调味品 2017年第7期42卷 152-155页

作者：要志宏李波张琛胡舰范文奇扬州大学旅游烹饪学院江苏扬州225127

利用有机溶液浸提的方法,将胡萝卜粉中含有的类胡萝卜素浸提测量,实验过程中经过对实验时间、实验温度、实验料液比、提取次数的控制,探究各个因素对浸提实验的作用程度的大小,从而获得最优的浸提单因素,之后经过正交实验,获得类胡萝卜... 详细信息

利用有机溶液浸提的方法,将胡萝卜粉中含有的类胡萝卜素浸提测量,实验过程中经过对实验时间、实验温度、实验料液比、提取次数的控制,探究各个因素对浸提实验的作用程度的大小,从而获得最优的浸提单因素,之后经过正交实验,获得类胡萝卜素的最佳实验条件。实验确定的类胡萝卜素的提取条件最佳情况是:浸提料液比1∶15、实验温度50℃、实验时间1h、浸提次数3次。在上述最优浸提条件下,实验最终获得的浸提类胡萝卜素的得率是88.88mg/100g。

关键词：类胡萝卜素浸提吸光值

基于三维集成技术的Ku波段四通道T/R模块

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半导体技术 2021年第4期46卷 286-289,329页

作者：张鸣一朱春雨刘文豹要志宏中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

基于三维集成技术研制了一款适用于表面贴装技术的Ku波段四通道T/R模块。模块内部设计成两层层叠结构,层间使用球栅阵列实现互连,仿真分析模块微波垂直互连结构、腔体谐振和散热模型,实现模块的小型化。模块集成了数控移相、数控衰减和... 详细信息

基于三维集成技术研制了一款适用于表面贴装技术的Ku波段四通道T/R模块。模块内部设计成两层层叠结构,层间使用球栅阵列实现互连,仿真分析模块微波垂直互连结构、腔体谐振和散热模型,实现模块的小型化。模块集成了数控移相、数控衰减和串并转换等功能,由幅相控制多功能芯片、开关功率放大器芯片、限幅低噪声放大器和控制芯片构成。测试结果显示,在Ku波段内,单路发射通道饱和输出功率大于30 d Bm,接收通道增益大于20 d B,噪声系数小于3.5 d B,模块尺寸为16 mm×16 mm×2.5 mm。

关键词： T/R模块小型化三维集成 Ku波段垂直互连

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悬置带线超宽带高通滤波器的设计

半导体技术 2010年第10期35卷 1035-1038页

作者：白银超要志宏李宏军赵梁博中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 天津工业大学信息与通信工程学院天津300160

介绍了一种悬置带线超宽带高通滤波器。该滤波器采用了悬置带线结构,可以提供很高的Q值,减小了滤波器的插入损耗,具有极好的矩形度。这种结构还提供了双面电路,制作成宽边耦合线,可以解决微带线的边缘耦合量不够的问题。从高通滤波器的... 详细信息

介绍了一种悬置带线超宽带高通滤波器。该滤波器采用了悬置带线结构,可以提供很高的Q值,减小了滤波器的插入损耗,具有极好的矩形度。这种结构还提供了双面电路,制作成宽边耦合线,可以解决微带线的边缘耦合量不够的问题。从高通滤波器的集总原型入手,分析了集总元件转换为悬置带线结构的实现过程,并且给出了仿真结果和实际测量的曲线。测量结果表明,用这种方法实现的超宽带高通滤波器带通可以到几个倍频程,具有很宽的通带,在各种宽带系统中有着广泛的应用,并且具有低损耗、小体积的优点,拥有广阔的应用前景。

关键词：悬置带线高通滤波器宽带滤波器宽边耦合线双面电路插入损耗

0.2～30GHz GaAs FET开关模型的提取与验证

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半导体技术 2012年第5期37卷 347-350页

作者：刘帅要志宏赵瑞华宋学峰中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,准确的器件模型对于提高电路设计成功率和缩短电路研发周期起着重要作用。首先采用标准的GaAs MMIC工艺制造出不同栅指数和单位栅宽的开关PHEMT器件,然后对加工的开关电路在"开"态(Vgs=0 V)和"关"态... 详细信息

在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,准确的器件模型对于提高电路设计成功率和缩短电路研发周期起着重要作用。首先采用标准的GaAs MMIC工艺制造出不同栅指数和单位栅宽的开关PHEMT器件,然后对加工的开关电路在"开"态(Vgs=0 V)和"关"态(Vgs=-5 V)进行宽频率范围内的测量,基于测量结果建立起一个参数化的GaAs PHEMT开关等效电路模型,最后通过单刀单掷(SPST)开关来验证参数化模型。应用该参数化模型设计的电路实测与仿真结果基本吻合,证明参数化的GaAs PHEMT模型是可用的。该模型可用于30 GHz以下GaAs PHEMT工艺开关MMIC电路仿真设计。

关键词：开关模型砷化镓赝配高电子迁移率晶体管单片微波集成电路