检索结果-南通市图书馆

基于范德华材料的偏振探测器及性能增强方法（特邀）

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光子学报 2024年

作者：王菁焦韩雪陈艳伍帅琴王旭东张书魁褚君浩王建禄中国科学院上海技术物理研究所复旦大学光电研究院上海市智能光电与感知前沿科学研究基地

随着高分辨率成像、信息通信、量子计算等先进技术对光电探测精度和效率的需求日益增长，偏振光探测作为光电技术的一个重要分支，正面临着前所未有的挑战和机遇。本文全面综述了基于范德华二维材料的偏振光电探测技术的最新进展，尤其... 详细信息

随着高分辨率成像、信息通信、量子计算等先进技术对光电探测精度和效率的需求日益增长，偏振光探测作为光电技术的一个重要分支，正面临着前所未有的挑战和机遇。本文全面综述了基于范德华二维材料的偏振光电探测技术的最新进展，尤其聚焦于通过表面等离激元、铁电场调控以及转角材料等三种先进策略来显著提高偏振探测性能的创新方法。表面等离激元技术通过局域和传播等离激元共振增强光与材料的相互作用，显著提升了偏振探测的灵敏度和选择性。铁电场调控利用铁电材料的自发极化和局域电场，有效调节探测器件的载流子浓度和光电性能，为实现高效率和低能耗偏振探测提供了新的途径。转角材料通过调整双层二维材料之间的相对角度，引入电子结构和光学性质的可调控性，开辟了偏振探测新领域。最后展望了这些策略在未来偏振光电探测技术发展中的应用前景，强调了材料科学和微纳加工技术的综合应用将为实现高性能偏振探测器件提供强大的支持。

关键词：光电探测器偏振探测二维材料等离激元铁电局域场转角范德华材料

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

智能“传感”,“感知”天下

中学生阅读(初中版) 2024年第Z1期 34-35页

作者：褚君浩

如果把智能系统比作“人”,那么传感器就是“人”的感觉器官。不同类型的传感器,“感知”周围环境并把数据传递给系统进行计算,对情况进行实时分析、判断和应对。随着数字化、智能化不断深入,各式各样传感器的用武之地大为拓宽,对人类...

如果把智能系统比作“人”,那么传感器就是“人”的感觉器官。不同类型的传感器,“感知”周围环境并把数据传递给系统进行计算,对情况进行实时分析、判断和应对。随着数字化、智能化不断深入,各式各样传感器的用武之地大为拓宽,对人类创造美好生活发挥着巨大作用。一部智能手机里面有上百个传感器:有用于摄像的CMOS图像传感器,还有用于导航的地磁传感器等。

关键词：

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

全氧化镓薄膜同质p-n结

Science China Materials 2024年第3期67卷 898-905页

作者：翟泓超刘晨星吴征远马聪聪田朋飞万景康俊勇褚君浩方志来 Academy for Engineering and Technology and School of Information Science and TechnologyFudan UniversityShanghai 200433China Institute of Optoelectronics Fudan UniversityShanghai 200433China Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices Department of PhysicsXiamen UniversityXiamen 361005China

制备p-n结以及探索其物理机制在发展各种功能器件和推进其实际应用中起到关键作用.超宽禁带半导体在制备高压高频器件上有着巨大的潜力,但是氧化镓p型掺杂困难限制了氧化镓同质p-n结的制备,进而阻碍了全氧化镓基双极型器件的发展.本文... 详细信息

制备p-n结以及探索其物理机制在发展各种功能器件和推进其实际应用中起到关键作用.超宽禁带半导体在制备高压高频器件上有着巨大的潜力,但是氧化镓p型掺杂困难限制了氧化镓同质p-n结的制备,进而阻碍了全氧化镓基双极型器件的发展.本文通过一种先进的相转变生长技术结合溅射镀膜的方法,成功制备了n型锡掺杂β相氧化镓/p型氮掺杂β相氧化镓薄膜.本工作成功制作了全氧化镓单边突变同质p-n结二极管,并且详细分析了器件机理.该二极管实现了4×10^(4)的整流比、在40 V下9.18 mΩcm^(2)的低导通电阻、4.41 V的内建电势和1.78的理想因子,并在交流电压下表现出没有过冲的整流特性以及长期稳定性.本工作为氧化镓同质p-n结初窥门径,为氧化镓同质双极型器件奠定了基础,为高压高功率器件的应用开创了道路.

关键词： gallium oxide p-n junction forward characteristics rectification ratio specific on-resistance

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

全氧化镓薄膜同质p-n结（英文）

Science China Materials 2024年

作者：翟泓超刘晨星吴征远马聪聪田朋飞万景康俊勇褚君浩方志来 Institute of Optoelectronics Fudan University Academy for Engineering and Technology and School of Information Science and Technology Fudan University Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices Department of Physics Xiamen University

制备p-n结以及探索其物理机制在发展各种功能器件和推进其实际应用中起到关键作用.超宽禁带半导体在制备高压高频器件上有着巨大的潜力,但是氧化镓p型掺杂困难限制了氧化镓同质p-n结的制备,进而阻碍了全氧化镓基双极型器件的发展.本文...

制备p-n结以及探索其物理机制在发展各种功能器件和推进其实际应用中起到关键作用.超宽禁带半导体在制备高压高频器件上有着巨大的潜力,但是氧化镓p型掺杂困难限制了氧化镓同质p-n结的制备,进而阻碍了全氧化镓基双极型器件的发展.本文通过一种先进的相转变生长技术结合溅射镀膜的方法,成功制备了n型锡掺杂β相氧化镓/p型氮掺杂β相氧化镓薄膜.本工作成功制作了全氧化镓单边突变同质p-n结二极管,并且详细分析了器件机理.该二极管实现了4×104的整流比、在40 V下9.18 mΩcm2的低导通电阻、4.41 V的内建电势和1.78的理想因子,并在交流电压下表现出没有过冲的整流特性以及长期稳定性.本工作为氧化镓同质p-n结初窥门径,为氧化镓同质双极型器件奠定了基础,为高压高功率器件的应用开创了道路.

关键词：

磁有序CoH_(2)SeO_(4)薄片中的室温铁电性

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

Science China Materials 2024年第5期67卷 1654-1660页

作者：陈璐秋余冰沈阳刘逸飞王号南冯光迪朱秋香罗卫东刘俊明万建国赵庆彪田博博褚君浩段纯刚 Key Laboratory of Polar Materials and Devices(MOE) Shanghai Center of Brain-inspired Intelligent Materials and Devicesand Department of ElectronicsEast China Normal UniversityShanghai200241China Zhejiang Lab Hangzhou310000China Laboratory of Solid State Microstructures and Innovation Center of Advanced Microstructures Nanjing UniversityNanjing210093China Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control School of Physics and AstronomyShanghai Jiao Tong UniversityShanghai200240China School of Chemistry and Environmental Engineering Wuhan Institute of TechnologyWuhan430205China State Key Laboratory of Infrared Physics Shanghai Institute of Technical PhysicsChinese Academy of SciencesShanghai200083China Institute of Optoelectronics Fudan UniversityShanghai200433China Collaborative Innovation Center of Extreme Optics Shanxi UniversityTaiyuan030006China

本文通过第一性原理计算和实验表征证明了二维CoH_(2)SeO_(4)薄膜的磁有序和滑移铁电性.首先,实验结果证实了粉末CoH_(2)SeO_(4)样品的反铁磁序.同时,第一性原理计算表明单层CoH_(2)SeO_(4)具有反铁磁(AFM-I)基态(TN≈75 K),且预测了二... 详细信息

本文通过第一性原理计算和实验表征证明了二维CoH_(2)SeO_(4)薄膜的磁有序和滑移铁电性.首先,实验结果证实了粉末CoH_(2)SeO_(4)样品的反铁磁序.同时,第一性原理计算表明单层CoH_(2)SeO_(4)具有反铁磁(AFM-I)基态(TN≈75 K),且预测了二维CoH_(2)SeO_(4)薄膜具有以不对称的三重势阱态为特征的滑移铁电性,并在实验中测得了180°压电滞回线、可反转铁电畴和二次谐波信号.此外,在基于二维CoH_(2)SeO_(4)薄膜的电容器中获得铁电材料所特有的电滞回线和蝴蝶状的电容曲线.介电温谱测试表明二维CoH_(2)SeO_(4)薄膜的铁电转变温度约为370 K.CoH_(2)SeO_(4)中滑移铁电性和反铁磁性的出现为获得低维多铁材料指出了一条新的途径.

关键词： two-dimensional materials sliding ferroelectricity multiferroic materials

磁有序CoHSeO薄片中的室温铁电性(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Science China Materials 2024年

作者：陈璐秋余冰沈阳刘逸飞王号南冯光迪朱秋香罗卫东刘俊明万建国赵庆彪田博博褚君浩段纯刚 School of Chemistry and Environmental Engineering Wuhan Institute of Technology Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE) Shanghai Center of Brain-inspired Intelligent Materials and Devices and Department of ElectronicsEast China Normal University Zhejiang Lab Institute of Optoelectronics Fudan University Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control School of Physics and Astronomy Shanghai Jiao Tong University Laboratory of Solid State Microstructures and Innovation Center of Advanced Microstructures Nanjing University Collaborative Innovation Center of Extreme Optics Shanxi University State Key Laboratory of Infrared Physics Shanghai Institute of Technical Physics Chinese Academy of Sciences

本文通过第一性原理计算和实验表征证明了二维CoH2SeO4薄膜的磁有序和滑移铁电性.首先,实验结果证实了粉末CoH2SeO4样品的反铁磁序.同时,第一性原理计算表明单层CoH2SeO4具有反铁磁(AFM-I)基态(TN≈75K),且预测了二维CoH2SeO4薄膜具有...

本文通过第一性原理计算和实验表征证明了二维CoH2SeO4薄膜的磁有序和滑移铁电性.首先,实验结果证实了粉末CoH2SeO4样品的反铁磁序.同时,第一性原理计算表明单层CoH2SeO4具有反铁磁(AFM-I)基态(TN≈75K),且预测了二维CoH2SeO4薄膜具有以不对称的三重势阱态为特征的滑移铁电性,并在实验中测得了180°压电滞回线、可反转铁电畴和二次谐波信号.此外,在基于二维CoH2SeO4薄膜的电容器中获得铁电材料所特有的电滞回线和蝴蝶状的电容曲线.介电温谱测试表明二维CoH2SeO4薄膜的铁电转变温度约为370KCoH2SeO4中滑移铁电性和反铁磁性的出现为获得低维多铁材料指出了一条新的途径.

关键词：

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

亚波长薄膜堆栈超构材料:理论及应用

红外与毫米波学报 2022年第1期41卷 151-168页

作者：文政绩李晓温赵文超孙艳郝加明戴宁褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 湖州学院电子与信息系浙江湖州313000 复旦大学光电研究院上海200433 国科大杭州高等研究院物理与光电工程学院浙江杭州310024

亚波长薄膜堆栈超构材料,作为超构材料领域一个特殊的组成部分,因其具有亚波长厚度、无需复杂光刻加工以及可低成本大面积制备等诸多优点,吸引了人们越来越多的关注。本文聚焦回顾近些年亚波长薄膜堆栈超构材料相关研究进展,首先简要回... 详细信息

亚波长薄膜堆栈超构材料,作为超构材料领域一个特殊的组成部分,因其具有亚波长厚度、无需复杂光刻加工以及可低成本大面积制备等诸多优点,吸引了人们越来越多的关注。本文聚焦回顾近些年亚波长薄膜堆栈超构材料相关研究进展,首先简要回顾了多层薄膜堆栈体系的基础理论研究方法,侧重介绍了亚波长薄膜堆栈超构材料的新理论新设计;接着,着重介绍了基于亚波长薄膜堆栈超构材料的若干典型应用,具体包括结构色调控、光致发光增强、窄带红外光源、红外伪装以及其他一些有趣应用;最后,探讨并展望了亚波长薄膜堆栈超构材料领域未来的发展方向以及其可能遇到的问题挑战。

关键词：超构材料亚波长薄膜堆栈光学器件

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

第四次工业革命和智能时代

科学中国人 2022年第11期 40-43页

作者：褚君浩中国科学院上海技术物理研究所复旦大学材料科学系复旦大学光电研究院

第四次工业革命18世纪,第一次工业革命起源于英国,以机械化为特征。当时先有蒸汽机,随着技术和性能的不断提高,大机器生产取代手工劳动,整个世界开始走入机械化时代。进而,生产力得到解放和发展,出现拥有资产的阶层,改变了世界的面貌;... 详细信息

第四次工业革命18世纪,第一次工业革命起源于英国,以机械化为特征。当时先有蒸汽机,随着技术和性能的不断提高,大机器生产取代手工劳动,整个世界开始走入机械化时代。进而,生产力得到解放和发展,出现拥有资产的阶层,改变了世界的面貌;劳动力从农村走向城市,开始了城市化的进程。19世纪,第二次工业革命开启,以电气化为特征。由于在实验室里面发现电磁学规律,从而发明了电动机和发电机。

关键词：第二次工业革命第四次工业革命手工劳动智能时代第一次工业革命大机器生产电磁学解放和发展

高度择优取向(111)PbTiO_3薄膜的制备及光学特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

压电与声光 2002年第5期24卷 382-384页

作者：赵强褚君浩范正修中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心上海200083

单一取向铁电薄膜是大家长期以来研究的目标之一 ,文中采用组合靶射频溅射在白宝石 (α- Al2 O3)衬底上制备出具有较好的 (111)择优取向的 Pb Ti O3薄膜。从薄膜的光学透射谱计算所得的折射率和波长的关系能够较好地符合单振子模型 ,由... 详细信息

单一取向铁电薄膜是大家长期以来研究的目标之一 ,文中采用组合靶射频溅射在白宝石 (α- Al2 O3)衬底上制备出具有较好的 (111)择优取向的 Pb Ti O3薄膜。从薄膜的光学透射谱计算所得的折射率和波长的关系能够较好地符合单振子模型 ,由此得出了薄膜在 4 0 0～ 2 4 0 0 nm区域的折射率变化 ,在长波极限时薄膜的折射率为2 .5

关键词： PbTiO3薄膜择优取向铁电薄膜光学特性