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软土地基预压减沉与路堤防滑集成技术研究

软土地基预压减沉与路堤防滑集成技术研究

作者：褚一鸣浙江理工大学

学位级别：硕士

由于公路线路较长,经过路段地质条件相对复杂,公路建设中路基填料的来源十分有限,都使用优质填料的可能性不大,限于造价,往往就地取材成为必然选择。所以在傍河软土地区采用覆水预压法,对于砂、石、土等材料资源紧张而水资源丰富的东南... 详细信息

由于公路线路较长,经过路段地质条件相对复杂,公路建设中路基填料的来源十分有限,都使用优质填料的可能性不大,限于造价,往往就地取材成为必然选择。所以在傍河软土地区采用覆水预压法,对于砂、石、土等材料资源紧张而水资源丰富的东南沿海地区来说,该方法很有实际意义。本文通过舟山某软土场地大型真空联合堆载预压试验获取软土预压变形发展规律,进一步结合温州傍河软土路堤的水文地质条件,提出采用水囊堆载预压来代替真空联合堆载预压的新工艺,并开展了现场试验进行技术中试。同时,针对傍河路堤深厚软土地基工程特性,引入路堤-河岸共建理念,在数值模拟的基础上,进行生态护岸设计,达到生态功能优先、环境优美的目的。主要内容包括:1、针对舟山某软土场地进行大型真空联合堆载预压试验,分别从地表沉降、地基分层沉降、孔隙水压力、测斜等方面进行分析,同时基于地基处理后的土体参数来对工后沉降量进行预测分析。2、基于温州傍河路堤的具体项目条件,利用先期研发的水载预压法新型堆载工艺,在传统堆载预压法理论和工艺的基础上,结合深厚软土傍河路堤这一特定应用背景,进一步创新、中试,使其推广成为一套成熟的路堤减沉绿色技术。3、抓住浙江沿海深厚软黏土的独特工程性质,选取合理的计算参数,从沉降、稳定性两方面建立与之相匹配的傍河路堤岩土灾变控制模型,分别从排水板、路堤填筑坡率、卸载-再加载土体高度以及坡脚处河道开挖等方面对边坡进行滑移分析。4、在有限元模拟的基础上,根据高速公路两侧水系、湖塘的分布情况,将生态护坡分成路基临池(鱼)塘、桥头滞洪区和临河道(溪流)三类,并针对高速路临河道一侧护坡坡面在不同坡度、与河道的不同水平间距情况下的生态护坡、生态型驳岸的做法以及对应的绿化材料选择,提出了相应的生态护岸技术的设计方案。

关键词：软土沉降稳定性生态护岸现场试验

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利用能量过滤成像技术对注氮SOI的研究

Journal of Semiconductors 1990年第9期11卷 688-693页

作者：段晓峰都安彦褚一鸣中国科学院北京电子显微镜实验室中国科学院半导体研究所

本文报道了利用能量过滤成像技术对注氮SOI结构的研究。能量选择狭缝分别置于△E=16eV和△E=25eV,对应于Si和Si_3N_4的等离子能量损失的非弹性散射,电子显微照片可以给出更多的结构信息。顶层单晶硅和上氮化硅层之间的过渡层可以明显地... 详细信息

本文报道了利用能量过滤成像技术对注氮SOI结构的研究。能量选择狭缝分别置于△E=16eV和△E=25eV,对应于Si和Si_3N_4的等离子能量损失的非弹性散射,电子显微照片可以给出更多的结构信息。顶层单晶硅和上氮化硅层之间的过渡层可以明显地划分成两个亚层:氮化硅亚层和硅亚层。从衬底的〈111〉衍射束成的暗场像看出硅亚层的晶粒取向与顶层单晶硅的取向是不同的,这说明硅亚层中的硅晶粒的形成与长大与顶层单晶硅的形成无关。

关键词：注氮 SOI 电子能量过滤成像

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纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟

物理学报 1996年第4期45卷 655-660页

作者：林鸿溢武旭辉何宇亮褚一鸣北京理工大学电子工程系北京100081 北京航空航天大学物理系北京100083 中国科学院电子显微镜实验室北京100080

氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于其具有奇异的结构和独特的性质,而引起广泛的关注.本文在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H_2高度稀释SiH_4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜.... 详细信息

氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于其具有奇异的结构和独特的性质,而引起广泛的关注.本文在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H_2高度稀释SiH_4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜.利用高分辨率电子显微镜(HREM)、Raman散射谱(RSS)、扫描隧道电子显微镜(STM)等实验技术对nc-Si:H薄膜样品作了研究.基于对薄膜制备过程的动力学分析,提出nc-Si:H薄膜的分形生长模型:扩散与反应限制凝聚模型,其结果与实验符合得很好.

关键词：纳米硅薄膜生长动力学

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玻璃分相的电子能量损失谱研究

电子显微学报 1991年第4期10卷 443-444页

作者：陈全庆褚一鸣段晓峰樊先平中科院半导体所

一、引言:玻璃中液-液分相是材料科学工作者很感兴趣的问题。因为分相在很多玻璃形成系统中发生并影响其微观结构与性质。可应用之于制造微晶玻璃,光色玻璃,微孔玻璃等,亦可因之而造成材料的缺陷使材料质量性质下降。在玻璃分相的热力... 详细信息

一、引言:玻璃中液-液分相是材料科学工作者很感兴趣的问题。因为分相在很多玻璃形成系统中发生并影响其微观结构与性质。可应用之于制造微晶玻璃,光色玻璃,微孔玻璃等,亦可因之而造成材料的缺陷使材料质量性质下降。在玻璃分相的热力学及动力学研究中主要难题在于测定其分相粒子的尺寸分布及分相玻璃各相的化学成分。分相粒子尺寸约在几个埃至几千埃之间变动。通常应用X射线小角散射法测定其分相粒子尺寸分布。此种方法试样要求较难制备,并要作烦琐的夹缝校正。樊先平、陈全庆曾应用透射电镜成象。

关键词：玻璃液-液分相能量损失谱

科技照亮梦想，钱老流芳百世——观影《钱学森》有感

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作文新天地 2024年第26期 10-11页

作者：褚一鸣浙江省杭州师范大学附属仓前实验中学801班

“如果这是报效祖国的唯一方式，我也愿意回国种苹果。”这是电影《钱学森》中钱学森对当时加州理工学院杜布里奇院长关于他归国疑问的坚定回答。钱学森为什么一心想要回国？他身上有什么东西让当时的美国政府费尽心机阻止他回国？为什...

“如果这是报效祖国的唯一方式，我也愿意回国种苹果。”这是电影《钱学森》中钱学森对当时加州理工学院杜布里奇院长关于他归国疑问的坚定回答。钱学森为什么一心想要回国？他身上有什么东西让当时的美国政府费尽心机阻止他回国？为什么他的美国同事、海军部副部长丹尼尔·金贝尔说他一人顶得过五个师？

关键词：

浅谈“小先生”教学法在初中体育教学中的应用

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新课程研究 2023年第19期 18-20页

作者：褚一鸣上海外国语大学附属奉贤实验中学

随着素质教育的进一步发展，体育运动在初中教学中将发挥更大的作用。陶行知先生提出：“小孩子最好的先生，不是我，也不是你，是小孩子队伍里最进步的小孩子。”这也间接提出了以学生为主体的教育理念。每个学生都应该成为知识和信息... 详细信息

随着素质教育的进一步发展，体育运动在初中教学中将发挥更大的作用。陶行知先生提出：“小孩子最好的先生，不是我，也不是你，是小孩子队伍里最进步的小孩子。”这也间接提出了以学生为主体的教育理念。每个学生都应该成为知识和信息交流的主要参加者，为更进一步提升初中体育教学水平，文章在介绍“小先生”教学内涵的基础上，简要分析了“小先生”在初中生体育教学中的重要角色。

关键词： “小先生”教学法初中体育教学应用

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纳米硅薄膜界面结构的微观特征

Journal of Semiconductors 1994年第1期15卷 71-73,T001,2页

作者：何宇亮褚一鸣王中怀刘湘娜白春礼北京航空航天大学非晶态物理研究室中国科学院北京电子显微镜开放实验室中国科学院化学研究所STM实验室南京大学物理系及固体微结构实验室

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ... 详细信息

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．

关键词：硅薄膜界面结构特征纳米硅薄膜

LEC掺In-GaAs单晶中的一种新型缺陷

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Journal of Semiconductors 1986年第4期 341-345+453-455页

作者：何晖褚一鸣林兰英中国科学院半导体研究所

在LEC掺In-GaAs单晶中发现一种沿方向的局部富In的位错密集区.用多种电子显微技术（SEM-CL、EPMA、CTEM和HREM）并结合X射线形貌术（XRT）对这种缺陷的晶体学和化学性质进行了研究.对其成因提出了一种初步的解释:这种缺陷的形成与组分... 详细信息

在LEC掺In-GaAs单晶中发现一种沿方向的局部富In的位错密集区.用多种电子显微技术（SEM-CL、EPMA、CTEM和HREM）并结合X射线形貌术（XRT）对这种缺陷的晶体学和化学性质进行了研究.对其成因提出了一种初步的解释:这种缺陷的形成与组分过冷时的胞状生长有关,而且是连续固溶体系统(如In;Ga;As)所特有的.

关键词：胞状生长 In-GaAs 组分过冷位错晶体生长晶体缺陷晶形单晶 GaAs LEC

Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格X-射线双晶衍射的运动学研究

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Journal of Semiconductors 1992年第1期13卷 14-21页

作者：段晓峰冯国光王玉田褚一鸣刘学锋盛篪周国良中国科学院北京电子显微镜实验室北京100080 中国科学院半导体研究所北京100083 上海复旦大学表面物理实验室上海200433

本文利用X射线双晶衍射对应变层超晶格进行了研究.我们从超晶格的台阶模型出发,运用运动学理论,推导出了X射线衍射强度的表达式,清楚地揭示了合金成分x,应变,层厚比与迴摆曲线强度分布的关系.对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格双晶X射线衍射强度... 详细信息

本文利用X射线双晶衍射对应变层超晶格进行了研究.我们从超晶格的台阶模型出发,运用运动学理论,推导出了X射线衍射强度的表达式,清楚地揭示了合金成分x,应变,层厚比与迴摆曲线强度分布的关系.对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格双晶X射线衍射强度的模拟结果与实验结果符合很好.

关键词： GeSi/Si 超晶格双晶衍射运动学