检索结果-南通市图书馆

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

基于盲源分离技术的一种信号处理方法研究

声学技术 2005年第1期24卷 50-54页

作者：袁金焕李钢虎张宏科西北工业大学航海学院西安710072

文章利用盲源分离技术试图从给定的一组混合观察数据中恢复未知的独立信源。然后使用Matlab中的时频工具箱,根据分离出的信号进行时频分析,提取信号中所包含的特征信息,达到能够识别出期望信号,并能提取其余干扰信号的特征。

关键词：盲源分离技术信号处理方法 Matlab 时频分析特征信息干扰信号工具箱提取信源

贵金属原子在CeO_2(111)表面吸附的密度泛函理论研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

燃料化学学报 2012年第1期40卷 124-128页

作者：袁金焕滕波涛赵越赵云罗孟飞浙江师范大学化学与生命科学学院浙江金华321004

利用密度泛函理论系统研究了贵金属原子(Au、Pd、Pt和Rh)在CeO2(111)表面的吸附行为。结果表明,Au吸附在氧顶位最稳定,Pd、Pt倾向吸附于氧桥位,而Rh在洞位最稳定。当金属原子吸附在氧顶位时,吸附强度依次为Pt>Rh>Pd>Au。Pd、Pt与Rh吸附... 详细信息

利用密度泛函理论系统研究了贵金属原子(Au、Pd、Pt和Rh)在CeO2(111)表面的吸附行为。结果表明,Au吸附在氧顶位最稳定,Pd、Pt倾向吸附于氧桥位,而Rh在洞位最稳定。当金属原子吸附在氧顶位时,吸附强度依次为Pt>Rh>Pd>Au。Pd、Pt与Rh吸附后在Ce 4 f、O 2p电子峰间出现掺杂峰;Au未出现掺杂电子峰,其d电子峰与表面O 2p峰在-4～-1 eV重叠。态密度分析表明,Au吸附在氧顶位、Pd与Pt吸附在桥位、Rh吸附在洞位时,金属与CeO2(111)表面氧原子作用较强,这与Bader电荷分析结果相一致。

关键词：贵金属二氧化铈吸附密度泛函理论电子态密度

CeO_2(110)表面上CO氧化反应的密度泛函理论研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

化学学报 2009年第24期67卷 2765-2772页

作者：滕波涛蒋仕宇郭晓伟袁金焕罗孟飞浙江师范大学物理化学研究所浙江省固体表面重点实验室金华321004

利用密度泛函理论系统研究了O2与CO在CeO2(110)表面的吸附反应行为.研究表明,O2在清洁的CeO2(110)表面吸附热力学不利,而在氧空位表面为强化学吸附,O2分子被活化,可能是重要的氧化反应物种.CO在清洁的CeO2(110)表面有化学吸附与物理吸... 详细信息

利用密度泛函理论系统研究了O2与CO在CeO2(110)表面的吸附反应行为.研究表明,O2在清洁的CeO2(110)表面吸附热力学不利,而在氧空位表面为强化学吸附,O2分子被活化,可能是重要的氧化反应物种.CO在清洁的CeO2(110)表面有化学吸附与物理吸附两种构型,前者形成二齿碳酸盐物种,后者与表面仅存在弱相互作用.在氧空位表面,CO可分子吸附或形成碳酸盐物种,相应吸附能均较低.当表面氧空位吸附O2后(O2/Ov),CO可吸附生成碳酸盐或直接生成CO2,与原位红外光谱结果相一致.过渡态计算发现,O2/Ov/CeO2(110)表面的三齿碳酸盐物种经两齿、单齿过渡态脱附生成CO2.利用扩展休克尔分子轨道理论分析了典型吸附构型的电子结构,说明表面碳酸盐物种三个氧原子电子存在离域作用,物理吸附的CO及生成的CO2电子结构与相应自由分子相似.

关键词： CO氧化 CeO2(110)表面密度泛函理论扩展休克尔分子轨道理论

O与O_2在Au团簇上吸附的密度泛函理论研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理化学学报 2011年第5期27卷 1068-1074页

作者：郭晓伟滕波涛袁金焕赵云赵越刘莎浙江师范大学物理化学研究所浙江金华321004

采用基于密度泛函理论(DFT)的Dmol3程序系统研究了O原子与O2在Au19与Au20团簇上的吸附反应行为.结果表明:O在Au19团簇顶端洞位上的吸附较Au20强;在侧桥位吸附强度相近.O与O2在带负电Au团簇上吸附较强,在正电团簇吸附较弱.从O―O键长看,... 详细信息

采用基于密度泛函理论(DFT)的Dmol3程序系统研究了O原子与O2在Au19与Au20团簇上的吸附反应行为.结果表明:O在Au19团簇顶端洞位上的吸附较Au20强;在侧桥位吸附强度相近.O与O2在带负电Au团簇上吸附较强,在正电团簇吸附较弱.从O―O键长看,当金团簇带负电时,O―O键长较长,中性团簇次之,正电团簇中O―O键长较短,因而O2活化程度依次减弱.电荷布居分析表明,Au团簇带负电时,O与O2得电子数较中性团簇多,而团簇带正电时,得电子数较少.差分电荷密度(CDD)表明,O2与Au团簇作用时,金团簇失电子,O2的π*轨道得电子,使O―O键活化.O2在Au-19团簇上解离反应活化能为1.33eV,较中性团簇低0.53eV;而在Au+19上活化能为2.27eV,较中性团簇高0.41eV,这与O2在不同电性Au19团簇O―O键活化规律相一致.

关键词： O与O2 吸附反应 Au团簇密度泛函理论

CO在CeO_2(111)表面的吸附与氧化

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理化学学报 2009年第8期25卷 1629-1634页

作者：蒋仕宇滕波涛袁金焕郭晓伟罗孟飞浙江师范大学物理化学研究所浙江省固体表面反应化学重点实验室浙江金华321004

采用密度泛函理论计算了CO在CeO2(111)表面的吸附与氧化反应行为.结果表明,O2在洁净的CeO2(111)表面为弱物理吸附,而在氧空位表面是强化学吸附,且O2分子活化程度较大,O—O键长为***在CeO2(111)表面吸附行为的研究表明,CO在洁净表面及氧... 详细信息

采用密度泛函理论计算了CO在CeO2(111)表面的吸附与氧化反应行为.结果表明,O2在洁净的CeO2(111)表面为弱物理吸附,而在氧空位表面是强化学吸附,且O2分子活化程度较大,O—O键长为***在CeO2(111)表面吸附行为的研究表明,CO在洁净表面及氧空位表面上为物理吸附,吸附能均小于0.42eV;当表面氧空位吸附O2后,CO可吸附生成二齿碳酸盐中间体或直接生成CO2,与原位红外光谱结果相一致.表面碳酸盐物种脱附生成CO2的能垒仅为0.28eV.计算结果表明,当CeO2表面存在氧空位时,Hubbard参数U对CO吸附能有一定的影响.CeO2载体在氧化反应中可能的催化作用为,在氧气氛下,CeO2表面氧空位吸附O2分子,形成活性氧物种,参与CO催化氧化反应.

关键词：吸附 CO CeO2(111)表面氧化密度泛函理论

一种基于6进制概念的对转无刷直流电动机起动解算方法研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

微电机 2006年第1期39卷 13-17页

作者：张宏科袁金焕袁林兴焦振宏西北工业大学航海学院西安710072

提出了一种基于“6进制”概念的对转稀土永磁无刷直流电动机起动解算方法。文中利用内、外转子相对于电动机壳体的两组独立的位置代码,并根据位置代码的循环变化特性,引入“6进制”概念,得出了36种内、外转子相对位置状态代码的等价性,... 详细信息

提出了一种基于“6进制”概念的对转稀土永磁无刷直流电动机起动解算方法。文中利用内、外转子相对于电动机壳体的两组独立的位置代码,并根据位置代码的循环变化特性,引入“6进制”概念,得出了36种内、外转子相对位置状态代码的等价性,并依此给出了实用的起动解算方法。由于以“电角度”为基础进行讨论,所以得到的方法和结论适用于任意极对数的对转稀土永磁无刷直流电动机的起动问题。

关键词：无刷直流电动机对转电动机位置传感器 6进制起动

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

信号反射噪声的改善方法及仿真验证

电子技术应用 2020年第3期46卷 51-57页

作者：袁金焕王艳玲杨菊西安微电子技术研究所

分析了信号完整性问题中信号反射的形成机理,列出了信号反射的几种典型波形,然后提出了消除信号反射的主要措施。重点分析了消除反射常用的端接匹配,以及不同互连拓扑结构情况下可采取的有效措施,并结合工程案例给出了信号完整性仿真验证。

关键词：反射端接匹配拓扑仿真

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于硅基板的高速传输线研究

电子工艺技术 2020年第1期41卷 1-4,56页

作者：杨菊李宝霞袁金焕西安微电子技术研究所陕西西安710000

基于高速I/O芯片和微波射频芯片对硅基板上互连线高速低损耗传输的需求,设计制备了分别在表层和内层传输的两种单端传输线结构,以S参数表征其传输特性,将设计仿真结果和测试结果进行了对比,其S11曲线吻合较好,但S21曲线差异明显,在2.5 G... 详细信息

基于高速I/O芯片和微波射频芯片对硅基板上互连线高速低损耗传输的需求,设计制备了分别在表层和内层传输的两种单端传输线结构,以S参数表征其传输特性,将设计仿真结果和测试结果进行了对比,其S11曲线吻合较好,但S21曲线差异明显,在2.5 GHz,表层传输线S21仿真结果和测试结果相差0.10 dB左右;内层传输线S21仿真结果和测试结果相差最大达1.35 dB。对工艺误差、介质电参数、金属粗糙度等引入传输损耗的因素进行了分析和仿真验证,认为精确控制PI层厚度等工艺参数,是提高传输线性能最关键的方法。

关键词：硅基板传输线 S参数测试

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于CPS协同的微系统电源信号完整性设计

遥测遥控 2021年第5期42卷 77-84页

作者：王艳玲杨宇军袁金焕杨巧西安微电子技术研究所西安710065

裸芯片die、硅通孔TSV(Through Silicon Via)硅转接板、高温共烧陶瓷HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics)管壳等多材质多基板立体堆叠和高密度集成的微系统封装,因空间极度有限、跨尺度立体转换的失配、电磁效应的耦合,低电压大... 详细信息

裸芯片die、硅通孔TSV(Through Silicon Via)硅转接板、高温共烧陶瓷HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics)管壳等多材质多基板立体堆叠和高密度集成的微系统封装,因空间极度有限、跨尺度立体转换的失配、电磁效应的耦合,低电压大电流电源的电源分布网络PDN(Power Distribution Network)和GHz高速信号的通道设计成为难题。贴合微系统封装尺度越来越接近芯片尺度的特点,以及微系统模块的系统应用需求,研究了基于芯片、封装、系统CPS(Chip-Package-System)协同设计仿真的方法。针对核心电源PDN的设计,采用芯片功耗模型CPM(Chip Power Model),结合TSV硅基板、HTCC管壳、PCB三级去耦电容网络的布放和协同优化,有效降低了电源纹波,保证了电源完整性。针对高速信号通道设计,基于电磁场和电路结合的仿真,将芯片电特性配置与封装互连的拓扑匹配协同优化,封装与板级应用协同优化,保证了信号完整性,且不对封装版图和工艺提出严苛要求。

关键词：微系统 CPS协同设计芯片功耗模型场路结合电源完整性信号完整性