检索结果-南通市图书馆

离子注入诱变技术在柠檬酸高产菌选育中的应用

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化学与生物工程 2005年第3期22卷 42-44页

作者：潘涛周剑虞龙南京工业大学制药与生命科学学院江苏广播电视大学江苏南京210036

利用低能离子注入对柠檬酸生产菌进行诱变选育。在15 keV能量的氮离子注入后筛选到两株产量比出发菌株提高约17%的高产菌株4# 8 7和4# 8 8,经多次传代实验表明该菌株遗传稳定性较好。

关键词：离子注入诱变选育柠檬酸

低能离子注入L-乳酸生产菌生物学效应的研究

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河南科技 2010年第5期29卷 64-65页

作者：崔耀军张国宣虞龙河南金丹乳酸有限公司乳酸工程技术研究中心南京工业大学制药与生命科学学院

乳酸是目前世界上公认的3大有机酸之一，其广泛应用于食品、医药、化工、制革、纺织、环保和农业等诸多领域。目前随着白色泡沫污染日益严重，可生物降解的聚乳酸产品作为有可能取代造成环境污染的白色热塑产品也越来越受到人们的关注... 详细信息

乳酸是目前世界上公认的3大有机酸之一，其广泛应用于食品、医药、化工、制革、纺织、环保和农业等诸多领域。目前随着白色泡沫污染日益严重，可生物降解的聚乳酸产品作为有可能取代造成环境污染的白色热塑产品也越来越受到人们的关注。目前，化学合成法生产乳酸均为DL型，无法达到聚L－乳酸的要求。

关键词：低能离子注入生产菌生物学效应环境污染可生物降解化学合成法聚L-乳酸聚乳酸

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高校仪器设备政府采购若干问题研究

实验技术与管理 2006年第4期23卷 126-129页

作者：郑春龙虞龙宁波大学教务处浙江宁波315211

根据高等学校仪器设备采购特点,分析指出高校仪器设备纳入政府采购存在的问题及原因,研究提出完善高校仪器设备政府采购的若干建议.

关键词：仪器设备政府采购问题研究

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不对称半桥变压器偏磁问题分析和解决方法

通信电源技术 2005年第1期22卷 28-30页

作者：虞龙王志强华南理工大学电力学院广东广州510641

文中详细分析了不对称半桥变压器直流偏磁产生的原因,讨论了利用次级不对称绕组和倍流整流两种方式解决偏磁问题的方法,最后给出仿真结果。

关键词：变压器直流偏磁倍流整流

低能离子注入L-乳酸生产菌种选育与发酵条件初步优化

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激光生物学报 2005年第3期14卷 184-188页

作者：虞龙周剑余增亮南京工业大学制药与生命科学学院中国江苏南京210009 中国科学院离子束生物工程学重点实验室中国安徽合肥230031

通过20keV氮离子注入L 乳酸生产菌(Bacilluscoagulans)筛选到一株产量比出发菌株提高10%的高产菌株RS12 6C,经多次传代实验表明该菌遗传稳定性较好。并对其发酵条件如接种量、装液量、摇床转速、温度等进行初步优化,在含糖150g/L的摇瓶... 详细信息

通过20keV氮离子注入L 乳酸生产菌(Bacilluscoagulans)筛选到一株产量比出发菌株提高10%的高产菌株RS12 6C,经多次传代实验表明该菌遗传稳定性较好。并对其发酵条件如接种量、装液量、摇床转速、温度等进行初步优化,在含糖150g/L的摇瓶中发酵,其L 乳酸产量达到117g/L。

关键词：离子注入诱变选育 L-乳酸

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阿魏菇功能饮料制做工艺研究

食品科技 2007年第6期32卷 183-185页

作者：林增祥王倩李春阳曾宪贤虞龙新疆大学离子束生物工程中心乌鲁木齐830008 新疆大学物理系乌鲁木齐830046 江苏省农科院农产品加工研究所南京210014 南京工业大学制药与生命科学学院南京210009

对液体深层发酵生产阿魏菇功能饮料工艺进行了研究,再以阿魏菇原汁浓度、酸味剂、甜味剂和稳定剂的添加量为正交因素配制饮料。实验得到了阿魏菇功能饮料的配制最佳配方为阿魏菇原汁浓度20%、甜味剂12%、酸味剂0.10%、稳定剂0.20%、Vc 0... 详细信息

对液体深层发酵生产阿魏菇功能饮料工艺进行了研究,再以阿魏菇原汁浓度、酸味剂、甜味剂和稳定剂的添加量为正交因素配制饮料。实验得到了阿魏菇功能饮料的配制最佳配方为阿魏菇原汁浓度20%、甜味剂12%、酸味剂0.10%、稳定剂0.20%、Vc 0.02%。

关键词：离子束阿魏菇多糖功能饮料

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厦门大学医学院外聘教授做法刍议

西北医学教育 1999年第4期17卷 251-252页

作者：赵树仲杨敬达史虞龙厦门大学医学院

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紫外诱变柠檬酸生产菌黑曲霉的选育

化学与生物工程 2007年第1期24卷 50-52页

作者：潘涛周剑虞龙江苏广播电视大学江苏南京210036 福建省微生物研究所福建福州350007 南京工业大学制药与生命科学学院江苏南京210009

初步研究了柠檬酸生产菌黑曲霉产柠檬酸的影响因素和培养条件,通过紫外诱变考察了出发菌株的受诱变性,统计了紫外诱变黑曲霉引起的生物学效应,在紫外诱变过程中筛选到一株稳定高产菌株10min-3,产酸增加了5.33%,可作为进一步诱变筛选的... 详细信息

初步研究了柠檬酸生产菌黑曲霉产柠檬酸的影响因素和培养条件,通过紫外诱变考察了出发菌株的受诱变性,统计了紫外诱变黑曲霉引起的生物学效应,在紫外诱变过程中筛选到一株稳定高产菌株10min-3,产酸增加了5.33%,可作为进一步诱变筛选的出发菌株。

关键词：紫外诱变柠檬酸黑曲霉

Effect of In_xGa_(1-x)As Interlayer on Surface Morphology and Optical Properties of GaSb/InGaAs Type-Ⅱ Quantum Dots Grown on InP (100) Substrates

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Chinese Physics Letters 2016年第9期33卷 120-123页

作者：陈虞龙高优陈弘张辉何苗李述体郑树文 Guangdong Engineering Research Center of Optoelectronic Functional Materials and Devices Institute of Opto-Electronic Materials and TechnologySouth China Normal University Key Laboratory for Renewable Energy Chinese Academy of SciencesBeijing Key Laboratory for New Energy Materials and DevicesBeijing National Laboratory for Condense Matter PhysicsInstitute of PhysicsChinese Academy of Sciences College of Physics and Optoelectric Engineering Guangdong University of Technology

The effects of indium composition in InGaAs interlayer and on optical properties of GaSb/InGaAs QD material on morphology of GaSb/InGaAs quantum dots （QDs） system are studied. AFM images show that the change of the indium composition in InGaAs interlayer can alter the GaSb QD morphology. It is found that low indium composition in InGaAs interlayer can promote the formation of QDs, while high indium composition can inhibit the formation of QDs. The photoluminescence （PL） spectra of GaSb/InGaAs QDs at 8 K under low excitation power indicate that the third root of the excitation power is linear with the peak position, which provides a direct evidence for their luminescence belonging to type-Ⅱ material optical transition. The PL spectra at 8 K under an excitation power of 90row show that the optical properties of GaSb/InGaAs QD material system can be affected by the indium composition in the InGaAs interlayer, and the PL peak position is linear with the indium composition. The optical properties of GaSb/InGaAs QDs can be improved by adjusting the indium composition in the InGaAs interlayer.

关键词： InGaAs in it GaSb Quantum Dots Grown on InP Substrates x)As Interlayer on Surface Morphology and Optical Properties of GaSb/InGaAs Type of on