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多孔硅的干燥方法

Journal of Semiconductors 2003年第6期24卷 663-667页

作者：虞献文朱荣锦朱自强应桃开李爱珍浙江师范大学数理学院金华321004 华东师范大学信息科学技术学院上海200062 浙江师范大学生命环境科学学院金华321004 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了多孔硅的阴极还原表面处理技术 ,通过该技术获得了表面平滑度良好、稳定度高、抗压强度高和耐高温性能好且在空气中可以长期干燥保存的多孔硅样品 .在其表面上可以进行光刻、镀金等工艺 ,因此。

关键词：多孔硅阴极还原表面处理技术

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利用原有设备开创家电维修技术实验的探讨

实验室研究与探索 1989年第4期8卷 27-29页

作者：虞献文浙江师范大学

随着家用电器在我国城乡的迅速普及,为解决维修的困难,很多职业高中适应社会的需要,增设了家电维修课程,需要一批熟悉业务的师资。为此,部分师范院校利用原有实验设备筹建家用电器实验基地,开出了实验选修课程,并举办了某些家电职业培... 详细信息

随着家用电器在我国城乡的迅速普及,为解决维修的困难,很多职业高中适应社会的需要,增设了家电维修课程,需要一批熟悉业务的师资。为此,部分师范院校利用原有实验设备筹建家用电器实验基地,开出了实验选修课程,并举办了某些家电职业培训班。本文介绍了浙江师范大学近年来的实践经验,可供有关院校参考。

关键词：原有设备维修技术师范院校浙江师范大学专业生产厂日用电器设备费用通用设备检测仪器骨干队伍

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多孔硅新的表面处理技术

Journal of Semiconductors 2005年第2期26卷 406-409页

作者：虞献文陈燕艳应桃开程存归郁可朱自强浙江师范大学数理学院金华321004 浙江师范大学信息科学与工程学院金华321004 浙江师范大学化学与生命科学学院金华321004 山东大学物理学院济南250100 华东师范大学信息与技术学院上海200062

对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术 ,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌 ,破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题 .阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面 ,满足SI分子化合价的需要 ,消除悬空键 ,促使多孔硅表面性... 详细信息

对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术 ,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌 ,破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题 .阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面 ,满足SI分子化合价的需要 ,消除悬空键 ,促使多孔硅表面性能稳定 ,避免结构重组产生分子间的不均匀内应力 ,从而获得性能稳定、可靠、在空气中可以长期干燥保存的多孔硅 .

关键词：阴极还原阳极氧化表面处理技术厚膜

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弹簧摆的内共振特性分析

物理与工程 2010年第2期20卷 13-16页

作者：郑建龙虞献文浙江师范大学数理与信息工程学院浙江金华321004

首先提出了一种弹簧摆模型,通过谐波平衡法对弹簧摆的内共振现象进行了解析处理,得到了弹簧摆内共振条件以及X、Z两模态能量之间的转换关系.再利用数值模拟得到弹簧摆内共振时的时序图、相图、轨迹图、能量图以及内共振耦合区域图等,分... 详细信息

首先提出了一种弹簧摆模型,通过谐波平衡法对弹簧摆的内共振现象进行了解析处理,得到了弹簧摆内共振条件以及X、Z两模态能量之间的转换关系.再利用数值模拟得到弹簧摆内共振时的时序图、相图、轨迹图、能量图以及内共振耦合区域图等,分析表明,解析和数值模拟的结果与实验结果吻合一致.

关键词：弹簧摆非线性振动内共振谐波平衡法

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纳米多孔硅的场致电子发射性能研究

半导体光电 2009年第6期30卷 904-906,922页

作者：蒋洪奎赵永峰童国平蔡南科郑建龙虞献文浙江师范大学交通学院浙江师范大学信息科学与工程学院浙江师范大学凝聚态物理研究所浙江金华321004

对采用阳极氧化法及阴极还原表面处理技术制备的性能稳定的纳米多孔硅,用原子力显微镜(AFM)表征了其微观结构,多孔硅颗粒粒径在30 nm左右。室温条件下测试了多孔硅场电子发射的特性,结果表明,多孔硅具有很好的场致发光性能,在5 V/μm的... 详细信息

对采用阳极氧化法及阴极还原表面处理技术制备的性能稳定的纳米多孔硅,用原子力显微镜(AFM)表征了其微观结构,多孔硅颗粒粒径在30 nm左右。室温条件下测试了多孔硅场电子发射的特性,结果表明,多孔硅具有很好的场致发光性能,在5 V/μm的电场下就可以产生场发射电流。多孔硅的开启电压在1 000 V左右,发射电流随着电压的增大而不断增大,发射电压在2 000 V以上。

关键词：多孔硅阳极氧化法场电子发射

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蘸水笔刻蚀技术(DPN)的机理与进展

中国工程科学 2008年第7期10卷 173-179页

作者：蒋洪奎姚汤伟胡礼广沈亚强虞献文浙江师范大学交通学院浙江师范大学凝聚态物理研究所

蘸水笔刻蚀(dip-pen nanolithography,DPN)技术是近年来发展起来的基于原子力显微镜(AFM)的一种扫描探针加工技术,有着广泛的应用前景。蘸水笔技术的刻蚀过程包括AFM针尖对墨水分子的吸附、针尖与基底间弯月液桥的形成、墨水分子在液桥... 详细信息

蘸水笔刻蚀(dip-pen nanolithography,DPN)技术是近年来发展起来的基于原子力显微镜(AFM)的一种扫描探针加工技术,有着广泛的应用前景。蘸水笔技术的刻蚀过程包括AFM针尖对墨水分子的吸附、针尖与基底间弯月液桥的形成、墨水分子在液桥中的传输、墨水分子在基底的扩散等四个阶段,并受温度、湿度、针尖、扫描速度等多种因素的影响。文章具体分析了蘸水笔技术在不同阶段的作用机理,综合介绍了蘸水笔刻蚀技术在近年来的进展,包括电化学DPN技术、DPN的多种加工模式、DPN的复合加工及多探针的DPN加工等;分析了DPN的加工特点及其应用。

关键词：蘸水笔纳米刻蚀原子力显微镜纳米加工

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

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Chinese Physics Letters 2004年第1期21卷 203-206页

作者：郁可王伟明朱自强张永胜虞献文陈少强李琼杨广达朱建中陈群陆卫资剑 DepartmentofElectricEngineering EastChinaNormalUniversityShanghai200062 DepartmentofChemistry EastChinaNormalUniversityShanghai200062 AnalyticalCenter EastChinaNormalUniversityShanghai200062 StateKeyLaboratoryforInfraredPhysics InstituteofTechnicalPhysicsChineseAcademyofSciencesShanghai200083 NationalKeyLaboratoryforAppliedSurfacePhysics FudanUniversityShanghai200433

Patterned silicon nanocrystallite (SiNC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped silicon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for flat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.

关键词： Field emission

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基于轮轨力的城轨焊接接头不平顺识别研究

基于轮轨力的城轨焊接接头不平顺识别研究

作者：梁献文石家庄铁道大学

学位级别：硕士

3.0 T谷氨酸化学交换饱和转移评估肾脏缺血再灌注损伤氧化还原代谢的实验研究

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中华内科杂志 2024年第6期63卷 593-599页

作者：米文夏邢兆宇潘靓虞心田陈杰邢伟常州市第一人民医院放射科常州213003 常州市第一人民医院泌尿外科常州213003

目的探讨3.0 T谷氨酸化学交换饱和转移(GluCEST)成像评估肾脏缺血再灌注损伤(IRI)氧化还原代谢的可行性。方法IRI组实验兔(n=56)夹闭左肾动脉45 min后松开建立肾IRI模型,于术前、术后1 h、12 h、1 d、3 d、7 d、14 d行GluCEST MRI检查,... 详细信息

目的探讨3.0 T谷氨酸化学交换饱和转移(GluCEST)成像评估肾脏缺血再灌注损伤(IRI)氧化还原代谢的可行性。方法IRI组实验兔(n=56)夹闭左肾动脉45 min后松开建立肾IRI模型,于术前、术后1 h、12 h、1 d、3 d、7 d、14 d行GluCEST MRI检查,每次扫描后处死8只IRI组实验兔,假手术组实验兔(n=8)于术后14 d扫描后处死,行肾脏病理和活性氧(ROS)检测。比较各组肾脏皮质和外髓非对称磁化传递率(MTR_(asym))的差异,分析肾脏MTR_(asym)与ROS水平的相关性。结果假手术组与IRI各亚组肾脏皮质MTR_(asym)均高于外髓(t=8.16,P<0.001;t=4.78,P=0.002;t=4.94,P=0.002;t=5.76,P=0.001;t=6.68,P<0.001;t=6.40,P<0.001;t=5.16,P=0.001;t=3.30,P=0.013)。IRI-1h、IRI-12h、IRI-1d、IRI-3d、IRI-7d及IRI-14d组皮质和外髓MTR_(asym)均低于假手术组和IRI-pre组。IRI-1h组皮质和外髓MTR_(asym)均低于IRI-12h、IRI-1d、IRI-3d、IRI-7d及IRI-14d组(均P<0.05)。IRI-12h组皮质MTR_(asym)显著低于IRI-7d、IRI-14d组(1.84%±0.09%比2.42%±0.19%和2.41%±0.31%,均P<0.05),IRI-1d组皮质MTR_(asym)显著低于IRI-7d组(1.99%±0.17%比2.42%±0.19%,P=0.008)。IRI-12h组外髓MTR_(asym)显著低于IRI-3d、IRI-7d、IRI-14d组(1.32%±0.27%比1.79%±0.31%,1.98%±0.18%,1.66%±0.40%,均P<0.05),IRI-7d组外髓MTR_(asym)显著高于IRI-1d、IRI-14d组(1.98%±0.18%比1.52%±0.31%和1.66%±0.40%,均P<0.05)。肾脏皮质和外髓MTR_(asym)与ROS平均荧光强度呈强负相关(ρ=-0.889,P<0.001;ρ=-0.784,P<0.001)。结论3.0 T GluCEST可间接反映肾脏IRI氧化还原代谢的变化。

关键词：磁共振成像肾缺血再灌注损伤氧化性应激