检索结果-南通市图书馆

作者：薛军帅山东大学

学位级别：硕士

背景与目的:以程序性死亡受体-1(programmed cell death-1,PD-1)和程序性死亡配体-1(programmed cell death ligand-1,PD-L1)抑制剂为代表的免疫治疗已逐渐成为不可切除肝细胞癌(hepatocellular carcinoma,HCC)系统治疗的重要组成部分。但在患者围手术期应用免疫联合治疗是否会潜在降低不可切除HCC肿瘤的活性、提高切除率和改善患者预后仍有待研究。此外,研究表明肿瘤中的PD-1/PD-L1水平能够有效预测HCC患者的预后,但其溶解状态,即可溶性PD-1(soluble PD-1,sPD-1)和可溶性PD-L1(soluble PD-L1,sPD-L1)的水平与HCC患者预后的关系尚不清楚。因此,本研究旨在探讨初始不可切除HCC患者术前应用免疫联合治疗的有效性和安全性及sPD-1/sPD-L1水平对HCC患者的预后价值。方法:本研究为涉及最初不能切除的HCC患者术前接受基于PD-1/L1抑制剂免疫联合治疗的一项临床回顾性、真实世界的研究。根据实体瘤疗效评价标准版本1.1(Response Evaluation Criteria in Solid Tumors version 1.1,RECIST v1.1)和改良版实体瘤疗效评价标准(modified RECIST,mRECIST)评估肿瘤治疗反应及可切除性。术后标本病理表现和患者总生存期(overall survival,OS)被评估。通过X2检验、Fisher检验、独立样本T检验、非参数秩和检验、Cox回归、Logistic回归、Kaplan-Meier(KM)生存曲线和log rank生存分析比较各组之间的数据。根据美国国立癌症研究所不良事件通用术语标准(National Cancer Institute Common Terminology Criteria for Adverse Events,NCI CTCAE 4.0)评估治疗相关不良事件。此外,我们从数据库建立至2021年10月7日检索多个电子数据库。根据筛选标准纳入相关研究,分别对其OS、无病生存期(disease-free survival,DFS)/无复发生存期(recurrence-free survival,RFS)/疾病进展时间(time to progression,TTP)/无肿瘤生存期(tumor-free survival,TFS)进行荟萃分析。使用风险比(hazard ratios,HRs)和95%置信区间(confidence intervals,CIs)评价sPD-1/sPD-L1水平与HCC患者预后之间的相关性。结果:在免疫联合治疗的临床探索中,我们连续性纳入了 54例最初不可切除的HCC患者,并评估了 34例患者后续接受根治性手术的安全性、有效性和可能性。最终有14例患者成功接受根治性手术。根据RECIST v1.1,术前接受免疫联合治疗的8例患者(57.1%)获得疾病部分缓解,即肿瘤缩小>30%。术后标本病理学评估证实3例(21.4%)达到病理学完全缓解,11例(78.6%)达到病理学部分缓解。所有患者均发生了至少1种不良事件,4例(28.5%)患者发生了 3～4级不良事件。患者主要治疗相关不良事件包括乏力(11例,73.3%)、白细胞减少(8例,57.1%)和天冬氨酸氨基转移酶升高(6例,42.9%)。在sPD-1/sPD-L1水平对HCC患者预后分析中,我们共纳入11篇文献(1291例患者),其中7篇研究涉及sPD-L1,2篇研究涉及sPD-1,2篇研究两者都包括。分析结果显示高水平的 sPD-L1 与患者较差的 OS(HR=2.46,95%CI:1.74-3.49,P<0.001;I2=31.4,P=0.177)和 DFS/RFS/TTP/TFS 相关(HR=2.22,95%CI:1.47-3.35,P<0.001;I2=66.1,P=0.011),而与检测方法、研究类型、治疗方式、sPD-L1水平的截断值和随访时间无关。而 sPD-1 水平与 HCC 患者的 OS(HR=1.19,95%CI:0.55-2.56,P=0.657)和 DFS/TFS 无相关性(HR=0.94,95%CI:0.36-2.49,P=0.906)。结论:应用免疫联合治疗后,术前应综合评估患者是否符合手术切除的标准。免疫联合治疗结合手术切除的方式可能会有效控制肿瘤进展,提高初始不可切除HCC的切除率,改善HCC患者的预后。此外,sPD-L1而不是sPD-1可能是HCC患者治疗后复发和生存的良好预测指标。未来需要更多高质量的前瞻性研究来评估术前免疫联合治疗的有效性和安全性及sPD-1/sPD-L1水平对HCC患者的预后价值。

关键词：肝细胞癌免疫联合治疗免疫检查点抑制剂转化治疗可溶性程序性死亡受体-1 可溶性程序性死亡配体-1 预后

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基于改进可拓云的导弹电磁突防概率研究

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战术导弹技术 2023年第2期 111-121页

作者：薛军帅黄勇张迪西安电子工程研究所西安710100 苏州博海创业微系统有限公司苏州215000

针对导弹电磁能力效能评估方面研究缺乏的问题,提出了一种以电磁突防概率为研究对象的导弹电磁效能评估方法。初步定义导弹电磁突防能力概念;提出一种改进可拓云模型,运用该模型完成导弹五种突防模式的电磁综合评估;构建电磁突防概率数... 详细信息

针对导弹电磁能力效能评估方面研究缺乏的问题,提出了一种以电磁突防概率为研究对象的导弹电磁效能评估方法。初步定义导弹电磁突防能力概念;提出一种改进可拓云模型,运用该模型完成导弹五种突防模式的电磁综合评估;构建电磁突防概率数学模型,计算导弹各突防模式的电磁突防概率。仿真结果表明,改进可拓云评估模型可有效提升评估结果的可信度,具有准确性更高、相对可区分性更好的特点;构建的电磁突防概率数学模型具备有效性;运用电磁突防概率可直观、清晰、有效地表征导弹电磁效能。

关键词：多弹协同电磁突防电磁突防概率电磁效能可拓云效能评估

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一种基于AHP-可拓云的雷达系统效能评估方法

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兵工自动化 2022年第4期41卷 81-86,92页

作者：薛军帅张迪黄勇杨凯栋西安电子工程研究所创新中心西安710100

针对现有雷达系统效能评估方法系统性的不足,提出层次分析法(analytic hierarchy process,AHP)-可拓云模型效能评估方法,完成对单频段、多频段雷达系统不同模式的效能评估和单型雷达的综合评估。评估结果显示效能评估时同模式多频段雷... 详细信息

针对现有雷达系统效能评估方法系统性的不足,提出层次分析法(analytic hierarchy process,AHP)-可拓云模型效能评估方法,完成对单频段、多频段雷达系统不同模式的效能评估和单型雷达的综合评估。评估结果显示效能评估时同模式多频段雷达效能值高于单频段;综合评估时多频段雷达物理特性指标评估值低于单频段。结果表明:该方法对系统进行量化评估具有较好的区分性、有效性,为雷达及其他系统研制提供参考性建议。

关键词：效能评估可拓云雷达系统侦察探测

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微波光子振荡器性能初探

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科学技术创新 2022年第12期 49-53页

作者：张迪黄勇薛军帅董璐西安电子工程研究所陕西西安710100 华东光电集成器件研究所江苏苏州215163

微波光子振荡器(Optoelectronic Oscillator,OEO)应用了光电混合手段,通过光纤储能、延时手段实现频率高精度、高稳定度,普遍优于微波振荡器。针对现有OEO研究较少,本文研究分析OEO的构成以及原理,设计并实现了一个毫米波级OEO系统,通... 详细信息

微波光子振荡器(Optoelectronic Oscillator,OEO)应用了光电混合手段,通过光纤储能、延时手段实现频率高精度、高稳定度,普遍优于微波振荡器。针对现有OEO研究较少,本文研究分析OEO的构成以及原理,设计并实现了一个毫米波级OEO系统,通过实验系统证明不同长光纤对OEO环路以及相噪产生的影响。本次实验结果表明OEO产生31.4GHz频率的信号相噪可以达到-98dBc/Hz@10kHz。

关键词：光电振荡器长光纤相噪毫米波

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一种综合射频系统频谱调度决策算法

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科学技术创新 2022年第11期 185-188页

作者：薛军帅张迪黄勇杨凯栋西安电子工程研究所陕西西安710100

针对综合射频系统多功能一体集成的特点,构建了幅度权重分配和最优频率分配的优化模型,研究了基于混沌粒子群优化算法的系统资源配置策略和程序,在系统频谱调度中实现快速优化计算。结果表明:该算法可有效实现复杂电磁环境下最优频率的... 详细信息

针对综合射频系统多功能一体集成的特点,构建了幅度权重分配和最优频率分配的优化模型,研究了基于混沌粒子群优化算法的系统资源配置策略和程序,在系统频谱调度中实现快速优化计算。结果表明:该算法可有效实现复杂电磁环境下最优频率的决策。

关键词：综合射频系统综合射频 CPSO 频谱决策

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Ⅲ族氮化物InAlN半导体异质结研究进展

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中国科学：信息科学 2012年第12期42卷 1577-1587页

作者：郝跃薛军帅张进成西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景,在过去二十年氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究,取得了一系列进展,并开始走向商业化.为了进一步提高器件性能,尤其是高工作频率和高电压下器件工作的可靠性,新... 详细信息

由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景,在过去二十年氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究,取得了一系列进展,并开始走向商业化.为了进一步提高器件性能,尤其是高工作频率和高电压下器件工作的可靠性,新材料、新工艺以及新器件被不断提出,其中基于InAlN材料的晶格匹配无应变异质结凭借优越材料性能成为新一代GaN基HEMT材料.本文结合在III族化合物半导体材料和器件领域的相关工作,对InAlN基异质结半导体材料生长进展做简要综述.在分析InAlN基异质结外延生长的基础上,对我们提出的脉冲式(表面反应增强)金属有机物化学气相淀积(MOCVD)外延InAlN/GaN异质结技术优势和外延材料结果进行了讨论.

关键词：化合物半导体高电子迁移率晶体管 InAlN GaN异质结晶格匹配无应变脉冲式金属有机物化学气相淀积

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高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究

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物理学报 2011年第11期60卷 603-608页

作者：张金风王平亚薛军帅周勇波张进成郝跃宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071

文章基于蓝宝石衬底采用脉冲金属有机物化学气相淀积(MOCVD)法生长的高迁移率InAlN/GaN材料,其霍尔迁移率在室温和77K下分别达到949和2032cm2/Vs,材料中形成了二维电子气(2DEG).进一步引入1.2nm的AlN界面插入层形成InAlN/AlN/GaN结构,... 详细信息

文章基于蓝宝石衬底采用脉冲金属有机物化学气相淀积(MOCVD)法生长的高迁移率InAlN/GaN材料,其霍尔迁移率在室温和77K下分别达到949和2032cm2/Vs,材料中形成了二维电子气(2DEG).进一步引入1.2nm的AlN界面插入层形成InAlN/AlN/GaN结构,则霍尔迁移率在室温和77K下分别上升到1437和5308cm2/Vs.分析样品的X射线衍射、原子力显微镜测试结果以及脉冲MOCVD生长方法的特点,发现InAlN/GaN材料的结晶质量较高,与GaN晶格匹配的InAlN材料具有平滑的表面和界面.InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料形成高迁移率特性的主要原因归结为形成了密度相对较低(1.6×1013—1.8×1013cm-2)的2DEG,高质量的InAlN晶体降低了组分不均匀分布引起的合金无序散射,以及2DEG所在界面的粗糙度较小,削弱了界面粗糙度散射.

关键词： InAlN/GaN 脉冲金属有机物化学气相淀积二维电子气迁移率

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晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究

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物理学报 2011年第11期60卷 597-602页

作者：王平亚张金风薛军帅周勇波张进成郝跃宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071

文章研究了InAlN/GaN和引入AlN界面插入层形成的InAlN/AlN/GaN材料的输运性质.样品均在蓝宝石上以脉冲金属有机物化学气相淀积法生长,霍尔迁移率变温特性具有典型的二维电子气(2DEG)特征.综合各种散射机理包括声学形变势散射、压电散射... 详细信息

文章研究了InAlN/GaN和引入AlN界面插入层形成的InAlN/AlN/GaN材料的输运性质.样品均在蓝宝石上以脉冲金属有机物化学气相淀积法生长,霍尔迁移率变温特性具有典型的二维电子气(2DEG)特征.综合各种散射机理包括声学形变势散射、压电散射、极性光学声子散射、位错散射、合金无序散射和界面粗糙度散射,理论分析了温度对迁移率的影响,发现室温下两种材料中2DEG支配性的散射机理都是极性光学波散射和界面粗糙度散射;AlN插入层对InAlN/GaN材料迁移率的改善作用一方面是免除2DEG的合金无序散射,另外还显著改善异质界面,抑制了界面粗糙度散射.考虑到2DEG密度也是影响其迁移率的重要因素,结合实验数据给出了晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料的2DEG迁移率随电子密度变化的理论上限.

关键词： InAlN/GaN 二维电子气迁移率

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Comparative study of different properties of GaN films grown on(0001) sapphire using high and low temperature AlN interlayers

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Chinese Physics B 2010年第5期19卷 494-498页

作者：薛军帅郝跃张进成倪金玉 School of Microelectronics Xidian University Key Laboratory of Wide-Band Gap Semiconductors and Devices

Comparative study of high and low temperature AlN interlayers and their roles in the properties of GaN epilayers prepared by means of metal organic chemical vapour deposition on （0001） plane sapphire substrates is carried out by high resolution x-ray diffraction, photoluminescence and Raman spectroscopy. It is found that the crystalline quality of GaN epilayers is improved significantly by using the high temperature A1N interlayers, which prevent the threading dislocations from extending, especially for the edge type dislocation. The analysis results based on photoluminescence and Ruman measurements demonstrate that there exists more compressive stress in GaN epilayers with high temperature AlN interlayers. The band edge emission energy increases from 3.423 eV to 3.438 eV and the frequency of the Raman shift of E2（TO） moves from 571.3 cm-1 to 572.9 cm-1 when the temperature of AlN interlayers increases from 700 ℃ to 1050 ℃. It is believed that the temperature of AlN interlayers effectively determines the size, the density and the coalescence rate of the islands, and the high temperature AlN interlayers provide large size and low density islands for GaN epilayer growth and the threading dislocations are bent and interactive easily. Due to the threading dislocation reduction in GaN epilayers with high temperature AlN interlayers, the approaches of strain relaxation reduce drastically, and thus the compressive stress in GaN epilayers with high temperature AlN interlayers is high compared with that in GaN epilayers with low temperature AlN interlayers.

关键词： GaN AlN interlayers high temperature

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斜切蓝宝石衬底MOCVD生长GaN薄膜的透射电镜研究

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物理学报 2012年第18期61卷 343-348页

作者：林志宇张进成许晟瑞吕玲刘子扬马俊彩薛晓咏薛军帅郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

利用MOCVD技术在斜切角度为0.3°的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析.研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的GaN材料中,位错在距离衬底0.8μm附近大量湮灭,同时位错扎堆出现... 详细信息

利用MOCVD技术在斜切角度为0.3°的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析.研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的GaN材料中,位错在距离衬底0.8μm附近大量湮灭,同时位错扎堆出现.基于上述现象,提出了斜切衬底上GaN材料中位错的湮灭机制,解释了斜切衬底能够提高GaN晶体质量的原因.

关键词： GaN,斜切衬底,透射电子显微镜.位错

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