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楚崩·武王墩大墓墓主人是谁?

中华遗产 2022年第11期 150-153页

作者：康晓慧蔡振立(摄影) 不详

一个发爆器、一把洛阳铲、一条摇把绳索……盗墓分子掘出了一个探孔,由此敲开了一座沉睡千年的战国晚期楚墓。那么,墓主人是谁呢?乐器有故事楚故都寿春城(今安徽省淮南市寿县),其西南方向约13公里处,有一个高大土墩,被当地人称作武王墩... 详细信息

一个发爆器、一把洛阳铲、一条摇把绳索……盗墓分子掘出了一个探孔,由此敲开了一座沉睡千年的战国晚期楚墓。那么,墓主人是谁呢?乐器有故事楚故都寿春城(今安徽省淮南市寿县),其西南方向约13公里处,有一个高大土墩,被当地人称作武王墩。这个土墩可不普通,1981年,被安徽省政府列入第一批省级文物保护单位。

关键词：墓主人战国晚期楚墓安徽省淮南市武王洛阳铲省级文物保护单位发爆器

影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究

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人工晶体学报 2017年第5期46卷 759-765页

作者：郭钰彭同华刘春俊袁文霞蔡振立张贺王波北京天科合达半导体股份有限公司北京102600 新疆天富能源股份有限公司石河子832000 新疆天科合达蓝光半导体有限公司石河子832000 北京科技大学北京100083

选用二氧化硅抛光液抛光4H导电SiC晶片表面,探究影响SiC晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量。实验结果表明,SiC表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作用的结果。保持压力不变并增加氢氧根离子或双氧水的含量,SiC表面... 详细信息

选用二氧化硅抛光液抛光4H导电SiC晶片表面,探究影响SiC晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量。实验结果表明,SiC表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作用的结果。保持压力不变并增加氢氧根离子或双氧水的含量,SiC表面去除速率先增加后保持不变。在更大的压力下增加氢氧根离子的含量,SiC表面的抛光去除速率进一步增加。通过优化的抛光参数,SiC表面的抛光去除速率达到142 nm/h。进一步研究结果表明,保持化学机械抛光过程中氧化作用与机械作用相匹配,是获得高抛光效率和良好的表面质量的关键。表面缺陷检测仪(Candela)和原子力显微镜(AFM)的测试结果表明,SiC抛光片表面无划痕,粗糙度达到0.06 nm。外延后总缺陷密度小于1个/cm2,粗糙度达到0.16 nm。

关键词：碳化硅化学机械抛光 pH值压力双氧水

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碳化硅晶体表面损伤层去除和表面重构

碳化硅晶体表面损伤层去除和表面重构

第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)

作者：郭钰彭同华蔡振立陈小龙北京天科合达蓝光半导体有限公司中国科学院物理研究所

碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,是制作高亮度发光二极管、场效应晶体管等器件的理想衬底材料[1]。碳化硅晶片在机械加工过程中会引入损伤,使得晶片表面有序的晶格排列被破坏。而碳化硅抛光... 详细信息

碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,是制作高亮度发光二极管、场效应晶体管等器件的理想衬底材料[1]。碳化硅晶片在机械加工过程中会引入损伤,使得晶片表面有序的晶格排列被破坏。而碳化硅抛光片表面外延生长要求其原子排列与外延层的原子排列非常近似,从而实现有效的晶格繁衍。因此需要找到一种方法有效的去除碳化硅晶片表面的损伤层。本文通过在高温反应炉内通入H/Ar混合气,其中H与碳化硅表面的硅原子和碳原子发生反应,分别生成烷基和硅烷基气体逸出表面[2,3],从而裸露出没有损伤的、新的碳化硅表面。通过控制H/Ar混合气的压力、流量和炉腔温度等条件,使得碳化硅表面的刻蚀速率接近1微米/小时,表面损伤层被有效去除。同时这种碳化硅表面在高温条件下会重构形成规则的台阶结构,台阶边缘成为外延生长的成核中心,有助于生长高质量碳化硅外延层。因此,本文利用气体刻蚀的办法有效的去除了碳化硅表面的损伤层,为生长高质量的外延薄膜提供了良好的碳化硅衬底材料。

关键词：碳化硅气体刻蚀损伤层台阶

来源： cnki会议评论

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以函数单调性的学习为例谈差异教学

数理天地（高中版） 2025年第1期 18-19页

作者：蔡振树福建省石狮市第一中学 362700

在过去几年的高中课堂上,使用导数探索函数的特征以及其他相关内容一直都是一个热门话题.尽管这类试题的难度和复杂度日益增加,但使用导数探索函数的特征及其性质具有重要意义.因此,我们将重点探讨以下题型:一是利用导数研究函数的单调... 详细信息

在过去几年的高中课堂上,使用导数探索函数的特征以及其他相关内容一直都是一个热门话题.尽管这类试题的难度和复杂度日益增加,但使用导数探索函数的特征及其性质具有重要意义.因此,我们将重点探讨以下题型:一是利用导数研究函数的单调性,二是含参数的函数的单调性,三是利用导数研究函数的最值.通过几种题型的复习提升,关注学生的学习差异,由浅入深,逐步渗透多种数学思想方法,突出导数的工具性,以帮助学生形成一定的解题经验和技能素养.

关键词：函数单调性高中数学

基于Logistic回归分析影响高压氧联合地塞米松治疗突发性耳聋疗效的因素

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中国医药指南 2025年第1期23卷 49-52页

作者：蔡振省晋江市东石中心卫生院耳鼻喉科福建晋江362271

目的基于Logistic回归分析探讨影响高压氧联合地塞米松治疗突发性耳聋疗效的因素。方法选取2021年1月至2024年1月本院收治的81例接受高压氧联合地塞米松治疗的突发性耳聋患者作为研究对象。结合临床疗效将研究对象分为疗效优良组、疗效... 详细信息

目的基于Logistic回归分析探讨影响高压氧联合地塞米松治疗突发性耳聋疗效的因素。方法选取2021年1月至2024年1月本院收治的81例接受高压氧联合地塞米松治疗的突发性耳聋患者作为研究对象。结合临床疗效将研究对象分为疗效优良组、疗效不佳组。收集研究对象的基线信息,选择Logistic回归分析两组基线信息中差异项,分析影响高压氧联合地塞米松疗效的影响因素。结果本次纳入的81例突发性耳聋患者中,治疗痊愈、显效、有效共66例,占比81.48%,归为疗效优良组,无效15例,占比18.52%,归为疗效不佳组。两组年龄、病程、听力损失程度、耳聋类型、是否合并高血压、是否合并血管粥样硬化狭窄对比均存在差异(P立危险因素,OR值均>1。结论高压氧联合地塞米松对突发性耳聋疗效优良,但小部分患者疗效不显著,影响其疗效的危险因素包括年龄>50岁、病程≥7 d、重度及极重度听力损失、高频下降或全聋型耳聋、合并高血压、合并血管粥样硬化狭窄。

关键词： Logistic回归分析高压氧地塞米松突发性耳聋

单模态Lamb波检测板类结构损伤识别成像方法

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交通运输工程学报 2025年

作者：田亮王宇宁樊立龙赵健司志远天津城建大学土木工程学院中国铁建大桥工程局集团有限公司清华大学土木水利学院

采用单模态Lamb波对带矩形预制贯穿裂缝的钢板进行了损伤检测；将激励及接收换能器以稀疏阵列的形式布置于带损伤钢板上，基于ABAQUS软件建立了Lamb波在钢板中传播的数值模型，搭建了相应的试验平台，并通过数值模拟与试验分析了Lamb波... 详细信息

采用单模态Lamb波对带矩形预制贯穿裂缝的钢板进行了损伤检测；将激励及接收换能器以稀疏阵列的形式布置于带损伤钢板上，基于ABAQUS软件建立了Lamb波在钢板中传播的数值模型，搭建了相应的试验平台，并通过数值模拟与试验分析了Lamb波在钢板中的传播特征；基于MATLAB开发了钢板损伤定位程序，根据激励-接收换能器阵列的差值信号确定了椭圆轨迹，进而通过多组椭圆轨迹的交汇点确定了钢板的损伤位置，将多组椭圆轨迹进行数据融合处理，实现了钢板损伤定位并将其图像化显示；结合Lamb波损伤检测的数值仿真结果和试验数据，进一步对比了不同数据融合方法对钢板损伤定位精度的影响。研究结果表明：采用200 kHz的激励信号频率和双侧对称激励方式可以有效保证Lamb波的单模态特征，从而避免Lamb波传播时的频散效应和多模态干扰；对于单损伤钢板，幅值全加法和幅值全乘法的损伤成像误差均在5 mm以内；对于双损伤钢板，幅值全加法的成像结果出现难以区分的赝像，损伤成像误差高达30 mm，而幅值全乘法的成像结果接近真实损伤位置，最大误差仅为4 mm，且损伤成像对比度更明显，表明幅值全乘法在预测钢板多损伤时更有优势；数值模拟与试验信号得到的双损伤钢板的定位误差在2 mm以内，验证了数值模型具有良好的损伤预测精度。

关键词：桥梁工程 Lamb波椭圆定位损伤成像数据融合无损检测

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含CO_2体系高压相平衡测定和关联

化学工程 1996年第4期24卷 71-73,63页

作者：蔡振云吴兆立浙江大学化工系

测定了ＣＯ２－Ｃ２Ｈ５ＯＨ和ＣＯ２－Ｈ２Ｏ体系的高压汽液平衡数据，并采用ＥＯＳ／ＧＥ模型推导出局部组成混合规则，用ＳＲＫ方程关联结果与实验值符合较好。

关键词：高压汽液平衡二氧化碳

白细胞计数与静脉血栓栓塞的关联：双向孟德尔随机化研究

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中国临床药理学与治疗学 2025年

作者：郭展立王媛张磊李嘉媛李若柠冬颖孙建军内蒙古医科大学药学院内蒙古医科大学附属医院药学部

目的：探讨中性粒细胞、单核细胞、嗜酸性细胞、嗜碱性细胞、淋巴细胞5种白细胞计数与静脉血栓栓塞（VTE）之间的因果关联。方法：利用孟德尔随机化（MR）分析方法，以5种白细胞相关的遗传变异基因作为工具变量，以VTE发生风险作为结局... 详细信息

目的：探讨中性粒细胞、单核细胞、嗜酸性细胞、嗜碱性细胞、淋巴细胞5种白细胞计数与静脉血栓栓塞（VTE）之间的因果关联。方法：利用孟德尔随机化（MR）分析方法，以5种白细胞相关的遗传变异基因作为工具变量，以VTE发生风险作为结局变量，采用逆方差加权法（IVW）为主要分析方法，MR-Egger回归法、加权中位数（WME）、简单模型及加权模式法作为补充，对5种白细胞计数与VTE之间的因果关联进行分析，再进行反向MR分析。结果：中性粒细胞和淋巴细胞计数对VTE发生风险具有因果关联，其中中性粒细胞计数IVW（OR=0.867，95%CI：0.761-0.981，P=0.031），MR-Egger（OR=0.754，95%CI：0.571-0.996，P=0.048），加权中位数法（OR=0.846，95%CI：0.729-0.981，P=0.027），加权模型（OR=0.748，95%CI：0.595-0.942，P=0.014）；淋巴细胞计数IVW（OR=0.838，95%CI：0.741-0.949，P=0.005），加权中位数法（OR=0.024，95%CI：0.718-0.977，P=0.024）。反向MR分析表明VTE发生风险对中性粒细胞计数有因果关联，其中IVW（OR=0.989，95%CI：0.980-0.999，P=0.024）。结论：中性粒细胞与淋巴细胞计数对VTE发生风险有因果关联，中性粒细胞与淋巴细胞数量降低可能会增加VTE的发生风险；VTE发生风险对中性粒细胞计数有因果关联，VTE发生风险降低可能会增加中性粒细胞数量。需进一步研究来了解这种因果关系背后的潜在生物学机制。

关键词：静脉血栓栓塞血栓栓塞疾病白细胞计数孟德尔随机化

三种类石墨烯中单空位和双空位的形成：第一性原理计算

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计算物理 2025年

作者：吴婷婷陈为立曹昕睿吴顺情朱梓忠厦门大学物理科学与技术学院福建省理论与计算化学重点实验室

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，对三种类石墨烯材料（即 T 石墨烯、HOT 石墨烯和 net W 碳单层）中单空位和双空位的形成能以及电子结构性质进行了计算。结果表明，这三种类石墨烯中双空位的形成能总是低于单空位的形成能，并... 详细信息

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，对三种类石墨烯材料（即 T 石墨烯、HOT 石墨烯和 net W 碳单层）中单空位和双空位的形成能以及电子结构性质进行了计算。结果表明，这三种类石墨烯中双空位的形成能总是低于单空位的形成能，并且HOT石墨烯具有最小的单空位和双空位形成能。当存在单空位时，T石墨烯由金属转变为半导体，HOT石墨烯由半金属转化为金属，而net W碳单层仍为金属，双空位则不改变体系的电子性质。此外，对于这三种类石墨烯，单空位体系都具有弱磁性和平带，平带处的态密度主要来自px轨道，py轨道或px，py轨道的共同贡献。差分电荷密度图显示，空位的存在对整体电荷密度的影响是相当局域的。

关键词：空位电子结构类石墨烯第一性原理计算