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国产A-15超导材料高场临界电流的脉冲场测量
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制冷学报 1982年 第4期 1-7页
作者： 蔡学榆 李传义 尹道乐 北京大学物理系
本文叙述了用脉冲场对三种国产 A-15超导材料高场临界电流的测试。指出样品表面的铜层对低场测量结果有显著的影响。在一定的铜厚下对某些样品甚至可在低至6T 的脉冲磁场下获得和稳恒场一致的数据。
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超导体临界电流的脉冲场测量
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制冷学报 1985年 第2期 1-5页
作者： 蔡学榆 李传义 尹道乐 北京大学物理系
本文讨论了超导体高场临界电流脉冲磁场测量中的两个重要因素:1. 迅变磁场引起的样品温升;2. 有限失超传播速度的影响.
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Nb-Cu多层膜超导体临界温度的计算
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物理学报 1983年 第5期 681-684页
作者： 蔡学榆 尹道乐 北京大学物理系
对于Nb-Cu多层膜超导体临界温度Tcns的无调节参数数值计算表明,在充分考虑多层膜体系的周期性特点之后,在层厚d>30A的范围内邻近效应的理论和实验符合较好。 计算结果和实验的比较还表明:Tcns-d关系中存在阻尼振荡行为;界面电子结构可... 详细信息
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多层膜超导体的邻近效应
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物理学报 1981年 第5期 700-704页
作者： 蔡学榆 尹道乐 北京大学物理系
本文考虑了由不同的金属组成的多层膜超导体的邻近效应,在Cooper极限下,用Silvert和Cooper方法给出了一个强异质多层膜超导体的临界温度和几何结构之间的关系。
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大面积扩散Nb3Sn超导薄膜TEM样品的制备及TEM观察
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低温物理学报 1986年 第1期 62-67页
作者： 张金龙,蔡学榆,李传义,马长林,尹道乐,朱宜 北京大学固体物理研究所物理系 北京大学固体物理研究所物理系 北京大学固体物理研究所物理系 北京大学固体物理研究所物理系 北京大学固体物理研究所物理系 北京大学电子显微镜实验室
用背面防护漂浮减薄法制备了扩散Nb3Sn超导薄膜的大面积（平方毫米量级）IEM样品。给出了用TEM-200cx电子显微镜观察的典型电子显微象。结果表明,这种新颖的制样方法对于大面积检视和高分辨率的细致研究都是适用的。它将有助于揭示超导... 详细信息
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扩散Nb3Sn膜晶粒非均匀性与位错界面的电子显微观察
扩散Nb3Sn膜晶粒非均匀性与位错界面的电子显微观察
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第三次中国电子显微学会议
作者： 蔡学榆 马长林 张金龙 李传义 尹道乐 北京大学固体物理研究所物理系
用电子显微镜(JEM-200cx)对扩散Nb
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一种制备大面积扩散Nb3Sn超导薄膜透射电子显微(TEM)样品的新方法
一种制备大面积扩散Nb3Sn超导薄膜透射电子显微(TEM)样品的新方法
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第三次中国电子显微学会议
作者： 张金龙 蔡学榆 李传义 马长林 尹道乐 朱宜 北京大学固体物理研究所物理系 北京大学电子显微镜实验室
用背面防护漂浮减薄法制备了扩散NbSn超导膜的大面积(毫米)TEM样品。JEM—200cx电子显微镜对样品的观察表明,这种新的TEM制样方法是成功的。它将有助于直接观察研究与实用NbSn超导材料相近的扩散薄膜的微结构,探讨磁通线钉扎机理。一、...
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A-15超导材料的高场钉扎机制
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物理学报 1983年 第9期 1183-1186页
作者： 蔡学榆 尹道乐 李传义 北京大学物理系
本文考虑了晶粒边界对磁通线格子面钉扎作用的强烈各向异性,指出磁通线格子在切变中存在着对弱钉扎中心的脱钉过程。这一弱钉扎作用在Hc2附近可能有较大的影响。
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Nb3Sn扩散薄膜的研究
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物理学报 1986年 第5期 570-576页
作者： 蔡学榆 李传义 张金龙 尹道乐 北京大学物理系
本文叙述对Nb3Sn扩散薄膜的一项包括高场临界电流机制,合金元素作用机制等内容在内的综合性实验研究。
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扩散Nb3Sn膜晶粒非均匀性与位错界面的电子显微观察
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电子显微学报 1984年 第4期 41-41页
作者： 蔡学榆 马长林 张金龙 李传义 尹道乐 北京大学固体物理研究所物理系 北京大学固体物理研究所物理系 北京大学固体物理研究所物理系 北京大学固体物理研究所物理系 北京大学固体物理研究所物理系
用电子显微镜（JEM-200cx）对扩散Nb3Sn超导薄膜的微结构进行了观察,结果表明薄膜内的Nb3Sn晶粒呈现明显的非均匀性,同时观察到大量的几乎贯穿整个晶粒的叠栅图形（Moire'）。这一观察结果有助于Nb3Sn超导材料的临界电流机理的研究,对... 详细信息
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