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基于产业生态优势的集成电路应用型人才创新能力培育体系的研究与探索

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基于H桥高效率升压/降压DC-DC转换器设计

科教导刊（电子版） 2024年第22期 55-57页

作者：潘欣欣蒋本福李毅蔡子阳石淼珠海科技学院电子信息工程学院广东珠海 519041 珠海南方集成电路设计服务中心广东珠海 519000

为培养高质量的集成电路应用型人才、提升人才创新实践能力,珠海科技学院以广东省集成电路人才培养基地建设点为基础,充分发挥区域产业生态优势和民办院校的机制优势,开展错位办学、深化产教融合,全面推进校企协同育人,在集成电路应用... 详细信息

为培养高质量的集成电路应用型人才、提升人才创新实践能力,珠海科技学院以广东省集成电路人才培养基地建设点为基础,充分发挥区域产业生态优势和民办院校的机制优势,开展错位办学、深化产教融合,全面推进校企协同育人,在集成电路应用型人才创新能力培育体系方面开展了一系列实践探索,培养成效显著,可作为民办高校开展集成电路应用型人才培养工作的参考和借鉴.

关键词：集成电路应用型人才创新能力培育

来源：博看期刊评论

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基于H桥高效率升压/降压DC-DC转换器设计

作者：蒋本福华侨大学

学位级别：硕士

近年来，便携式设备如掌上电脑、个人通信设备等电子消费产品得到了飞速发展，这些电子产品均采用锂电池供电。锂离子电池的电压随着充放电状态的改变会发生很大变化，使得电池电压可能高于、也可能低于系统所需电源电压，需要升压/降压... 详细信息

近年来，便携式设备如掌上电脑、个人通信设备等电子消费产品得到了飞速发展，这些电子产品均采用锂电池供电。锂离子电池的电压随着充放电状态的改变会发生很大变化，使得电池电压可能高于、也可能低于系统所需电源电压，需要升压/降压DC-DC转换器将变化的电池电压转换为稳定的直流电压。实现升压模式与降压模式之间的平滑过渡和提高过渡模式的效率是升压/降压DC-DC转换器研究的热点和难点。本文首先介绍了H桥升压/降压转换器的工作原理与存在的问题。系统在升压和降压转换过程中，会发生跳周期现象，产生较大输出纹波，因此本文提出在该转换模式下，增加H桥非反相工作模式作为过渡模式，以减小系统的输出纹波。在过渡模式下为了得到高的转换效率，因此本文改进H桥非反相工作模式，来提高系统的转换效率。其次，本文推导出H桥升压/降压转换器的三种工作模式包括升压模式、过渡模式、降压模式的小信号模型，用sisotool工具搭建系统频域模型，确定系统的补偿方案，再用simulink搭建整个H桥升压/降压转换器系统，在三种工作模式下验证补偿方案。最后，本论文采用0.35um TSMCCMOS工艺设计H桥升压/降压DC-DC转换器，可输入电压范围是2.7-5.2V，VFB为1.2V，开关频率范围为300KHz-2MHz，输出最大电流为600mA。提取电路网表，在开关频率为1MHz条件下，Hspice仿真与分析，从仿真结果上看，当输出电阻分别为R=5.5和R=33重载情况下下，系统在升压模式的转换效率为91%和94%、在升压/降压模式的转换效率为75%和83%、在降压模式下转换效为73%和79%，过渡模式下的纹波为30mV;当输出电阻R=50轻载条件下，输入电压分别为2.7V、3.3V、4.2V，系统的转换效率分别为79%、65%、73%。以上结果表明本文所实现的DC电路达到高效、纹波小的要求。

关键词： H桥升压/降压平滑过渡高效率重载和轻载

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芸豆新品种比较试验

种子世界 2011年第8期 30-31页

作者：蒋本福黑龙江省农业科学院作物营养实用技术研究所

芸豆是我国的主要杂粮和经济作物之一,随着我国农村经济改革和种植业结构调整,芸豆生产在效益型农业和对外贸易中起到了举足轻重的作用。截止到2010年底,我国出口的芸豆已达到60万t,出口价格居粮食作物之首。面对市场的急需,我们应当选... 详细信息

芸豆是我国的主要杂粮和经济作物之一,随着我国农村经济改革和种植业结构调整,芸豆生产在效益型农业和对外贸易中起到了举足轻重的作用。截止到2010年底,我国出口的芸豆已达到60万t,出口价格居粮食作物之首。面对市场的急需,我们应当选育优良的芸豆新品

关键词：芸豆出口菜豆花斑单株荚数单株产量

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保全苗、保壮苗、提高大豆单产水平

大豆科技 2011年第3期 49-50,58页

作者：蒋本福黑龙江省农业科学院作物营养实用技术研究所哈尔滨150086

大豆生产田科学管理是提高大豆单产水平的重要保障措施。实现一次播种保全苗、促壮苗是大豆高产的基础,对如何做好苗期管理,保全苗、促壮苗提出建议,为创造大豆高产田、提高大豆单产水平提供参考。

关键词：大豆保全苗促壮苗单产水平

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低功耗带隙基准电压源电路设计

微型机与应用 2017年第3期36卷 39-41页

作者：蒋本福吉林大学珠海学院广东珠海519000

文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18μm的标准CMOS工艺,华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结... 详细信息

文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18μm的标准CMOS工艺,华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明,在tt工艺角下电路的启动时间为6.64μs,稳定输出的基准电压V_(ref)为567 m V;当温度在-40℃~125℃范围内时,tt工艺角下基准电压V_(ref)的温度系数TC为18.8 ppm/℃;电源电压在1.2 V^1.8 V范围内时,tt工艺角下基准电压V_(ref)的线性度为2 620 ppm/V;在10 Hz^1 k Hz带宽范围内,tt工艺角下基准电压V_(ref)的电源抑制比(PSRR)为51 d B;版图核心面积为0.001 95 mm^2。

关键词： Aether软件功耗温度系数线性度面积

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水稻、陆稻薄膜地面复盖栽培效果初报

黑龙江农业科学 1980年第3期 19-26页

作者：吴宪章王守德蒋本福黑龙江省农业科学院

利用塑料薄膜进行地面复盖栽培,是一项农业先进技术。1979年我们进行了试验,试验目的是通过薄膜复盖,探讨防止水分蒸发,节省用水,提高地温,防御低温冷害,提高土壤养分含量,抑制杂草,和促进作物早熟、增产的效果。做法是首先将土地作成... 详细信息

利用塑料薄膜进行地面复盖栽培,是一项农业先进技术。1979年我们进行了试验,试验目的是通过薄膜复盖,探讨防止水分蒸发,节省用水,提高地温,防御低温冷害,提高土壤养分含量,抑制杂草,和促进作物早熟、增产的效果。做法是首先将土地作成适当大小的畦床,经过精细整地,然后将薄

关键词：陆稻土壤水分旱稻土壤成分水稻区盖膜复盖

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高精度电流偏置电路的设计

微型机与应用 2013年第19期32卷 29-31页

作者：蒋本福杨骁华侨大学信息科学与工程学院福建厦门361021

提出了一款应用于RF无线收发芯片的高精度电流偏置电路。综合考虑功耗、面积和失调电压对基准电压的影响,设计了一款符合实际应用的带隙基准电路。并以带隙基准电路作基准电流源的偏置,采用电压电流转换器结构设计了具有高电源电压抑制... 详细信息

提出了一款应用于RF无线收发芯片的高精度电流偏置电路。综合考虑功耗、面积和失调电压对基准电压的影响,设计了一款符合实际应用的带隙基准电路。并以带隙基准电路作基准电流源的偏置,采用电压电流转换器结构设计了具有高电源电压抑制比(PSRR)的基准电流源。电流镜采用辅助运放的设计方法来提高电流镜的输出阻抗,减小沟道调制效应对输出的基准电流的影响,从而提高输出基准电流的精度。采用0.35μm CMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0.18 mm2。提取寄生参数(PEX)仿真结果表明,该电路在-55℃^+90℃范围内的温度系数为15.5 ppm/℃,室温下基准电压为1.203 5 V;在低频段电流源的电源抑制比为90 dB;在外接电阻从1 kΩ~400 kΩ变化时,输出基准电流误差范围是0.000 1μA。

关键词：基准电流电流镜版图

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2．8％稻床净防除水稻旱育秧苗床杂草研究

黑龙江农业科学 1995年第3期 24-28页

作者：张岩王春艳蒋本福董德健张学明周英华黑龙江省农科院北方农化应用技术研究所

２．８％稻床净经过１９９３～１９９４年全国大田药效网试验表明：该药是一种高效、低毒、广谱、安全性强的旱育秧田较为理想的除草剂。在水稻旱育秧苗床播种复土１厘米后，施用量：东北地区为５０～６０公斤／每公顷；上海地区为４４... 详细信息

２．８％稻床净经过１９９３～１９９４年全国大田药效网试验表明：该药是一种高效、低毒、广谱、安全性强的旱育秧田较为理想的除草剂。在水稻旱育秧苗床播种复土１厘米后，施用量：东北地区为５０～６０公斤／每公顷；上海地区为４４～４９公斤／公顷，施用时加过筛湿润细土３７５０～４０００公斤，搅拌均匀，用手撒施，之后盖塑料薄膜，保温保湿。可有效地防稗草、龙葵、野黍、狗尾草、藜、雾、苋、草、苣卖菜、鲤肠、节节菜、矮慈菇、异性莎草等多种一年生和多年生杂草。

关键词：水稻旱育秧除草苗床除草稻床净

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低功耗SoC系统的高精度带隙基准

电子世界 2016年第19期 167-168页

作者：蒋本福尹雪梅李嘉吉林大学珠海学院

本文设计了一种低功耗带隙基准电路,电路在1.2V电压下能正常输出电压0.865V。采用CSMC0.18μm的标准CMOS工艺,使用华大九天Aether软件验证平台,仿真结果如下:在tt工艺角下电路启动时间为7.88 us,稳定输出基准电压vref为865 mV;当电源电... 详细信息

本文设计了一种低功耗带隙基准电路,电路在1.2V电压下能正常输出电压0.865V。采用CSMC0.18μm的标准CMOS工艺,使用华大九天Aether软件验证平台,仿真结果如下:在tt工艺角下电路启动时间为7.88 us,稳定输出基准电压vref为865 mV;当电源电压为1.2V时,tt工艺角下电路的总电流为250.428nA,功耗为300.514nW;当温度在-40℃-125℃时,tt工艺角下基准电压vref的温度系数为28.236ppm/℃;电路工作电源电压范围为1 V-3 V,tt工艺角下基准电压的线性度为6.6ppm/V;在1Hz-1KHz带宽范围内,tt工艺角下基准电压vref的电源抑制比PSRR为45.10 dB;版图核心面积为0.00618mm^2。

关键词：基准电压亚阈值 SOC