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Ab initio Calculation of Intermolecular Dispersion Energy and Induction Energy of Nitramide Dimer

Chinese Journal of Chemistry 2004年第11期22卷 1377-1381页

作者：宋华杰肖鹤鸣董海山institute of chemical materials China Academy of Engineering Physics Mianyang Sichuan 621900 China 黄奕刚institute of chemical materials China Academy of Engineering Physics Mianyang Sichuan 621900 China 龙新平institute of chemical materials China Academy of Engineering Physics Mianyang Sichuan 621900 China 汤业鹏institute of chemical materials China Academy of Engineering Physics Mianyang Sichuan 621900 China Department of Chemistry Nanjing University of Science and Technology Nanjing Jiangsu 210094 China institute of chemical materials China Academy of Engineering Physics Mianyang Sichuan 621900 China

The dispersion energies, induction energies and their exchange counterparts (exchange-dispersion and ex-change-induction energies) between two interacting nitramide molecules at several separations are derived based upon symmetry-adapted perturbation theory (SAPT). The results show that (1) the effect of intramonomer electron correlation on dispersion energies and induction energies for nitramide dimer system is remarkable especially in the region near the van der Waals minimum distance (0.42 nm). (2) At smaller separations the dispersion energies and the induction energies are largely quenched by their exchange counterparts, and this case in induction interaction is much more remarkable than in dispersion interaction. (3) Since at shorter distances there exists the strong short-range interaction due to electron transfer which quickly decays and even disappears at larger separations, the two different R-dependency formulae of induction energies were found: one is ca. R-12.7 at short distances, and the other ca. R-7.0 at large separations. The latter R-dependency is similar to that (ca. R-7.2) of dispersion. (4) In the case of strong polar interaction existing in nitramide dimer, the true induction correlation terms of higher order than t(22)indE may be important.

关键词： dispersion energy induction energy nitramide dimer symmetry-adapted perturbation theory

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一种Y型延迟荧光分子及其蓝光和绿光OLED应用

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发光学报 2024年第1期45卷 78-85页

作者：孙静樊志杰杜纪宽董海亮王华太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室山西太原030024 山西浙大新材料与化工研究院山西太原030024

以噻吨酮作为受体、3,6-(二咔唑基)三咔唑作为给体设计合成了一种具有延迟荧光特性的Y型分子(TX-TCz)。模拟计算表明化合物HOMO和LUMO能级完全分离且在苯环上存在较小的重叠,有助于获得小的S1和T1的能级差ΔEST。随着溶剂极性的增加,化... 详细信息

以噻吨酮作为受体、3,6-(二咔唑基)三咔唑作为给体设计合成了一种具有延迟荧光特性的Y型分子(TX-TCz)。模拟计算表明化合物HOMO和LUMO能级完全分离且在苯环上存在较小的重叠,有助于获得小的S1和T1的能级差ΔEST。随着溶剂极性的增加,化合物发射峰发生明显的红移且由于电荷转移态和局域激发态的共存产生了双峰发射。在纯膜中TX-TCz的发射峰位于513 nm,量子产率为11.5%。基于低温下荧光和磷光发射峰,计算得到化合物的ΔEST为0.03 eV,并且检测到µs级的寿命,说明化合物具有延迟荧光发射。与此同时,化合物展示了良好的热稳定性能和电化学性能,有助于制备高性能OLED器件。其在掺杂浓度为5%(wt)的器件中展示了良好的蓝光性能,发射峰位于463 nm,最大外量子效率为1.53%;在非掺杂器件中展示了良好的绿光发射(522 nm),最大外量子效率达到1.81%。

关键词： OLED Y型分子蓝光/绿光延迟荧光

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硼硅酸盐玻璃固化体中ZnO对模拟高放废液Mo浸出率的影响及其模型预测

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核技术 2024年第6期47卷 89-98页

作者：董海龙戴晨李忠镝陈树彬凡思军张丽艳中国核电工程有限公司北京100840 中国科学院上海光学精密机械研究所特种玻璃与光纤研究中心上海201800 湖南大学材料科学与工程学院长沙410082

对于高钼核废料玻璃固化体而言,Mo浸出率是关键产品性能之一。在某高MoO_(3)(质量分数约为3%)模拟高放废液硼硅酸盐固化玻璃配方研究中,设计了ZnO含量的系列变化,进行了Mo浸出率的测试,依据实验数据建立了Mo浸出率的数理统计结构预测模... 详细信息

对于高钼核废料玻璃固化体而言,Mo浸出率是关键产品性能之一。在某高MoO_(3)(质量分数约为3%)模拟高放废液硼硅酸盐固化玻璃配方研究中,设计了ZnO含量的系列变化,进行了Mo浸出率的测试,依据实验数据建立了Mo浸出率的数理统计结构预测模型并进行了模型验证。结果显示,在研究配方范围内,Mo的浸出主要受约530 cm^(-1)处Si-O-Si摇摆振动及约1180 cm^(-1)处Q4基团中Si-O-Si弯曲振动的影响,且B_(2)O_(3)、Zr O_(2)及碱金属皆会影响这两个结构单元的相对浓度,进而影响Mo的浸出。在这种复杂玻璃系统中,ZnO含量的质量分数高于3.5%后Mo浸出率有一定程度增长。模型结果表明:建立的Mo浸出率结构模型具有较好的模拟精度及统计可靠性,模型迭代后的精度及可靠性皆获得了进一步提升,可用于设计成分范围内玻璃配方筛选中对Mo浸出率的迅速预判。

关键词：硼硅酸盐玻璃固化体模拟高放废液浸出率玻璃结构基因模拟

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电气设备复合绝缘结构的太赫兹无损检测综述

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高电压技术 2024年第1期50卷 194-209页

作者：李帅兵李天耕淡嘉豪康永强董海鹰兰州交通大学新能源与动力工程学院兰州730070

在电气设备复合绝缘结构检测方面,基于声、光、电、磁等物理量、化学组分和微观特征的检测方法得到广泛应用,但难以实现无损可视化表征。相比之下,太赫兹检测技术利用太赫兹波的光学和电磁学特性可以有效反演出被测物的结构特征和介电特... 详细信息

在电气设备复合绝缘结构检测方面,基于声、光、电、磁等物理量、化学组分和微观特征的检测方法得到广泛应用,但难以实现无损可视化表征。相比之下,太赫兹检测技术利用太赫兹波的光学和电磁学特性可以有效反演出被测物的结构特征和介电特性,较传统检测方法具有无损可在线测量的明显优势。为此,该文总结了当前太赫兹无损检测技术在电气设备复合绝缘结构检测方面的研究现状。首先,系统介绍了太赫兹检测方法的原理及系统,并与传统检测手段进行了比较;其次,重点总结了太赫兹时域和频域光谱及其成像技术在复合绝缘材料老化和缺陷检测中的实际应用,包括缺陷的识别和定位、组分鉴定及老化状态评估等;最后,对太赫兹无损检测技术在该领域的发展前景进行了展望。希冀该综述可帮助相关研究人员快速了解太赫兹无损检测技术在电气设备状态诊断方面的研究和应用情况,并对同类问题提供解决思路。

关键词：电气设备复合绝缘结构太赫兹无损检测太赫兹时域光谱太赫兹频域光谱太赫兹成像

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充气式返回舱化学非平衡仿真分析

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国防科技大学学报 2024年第3期46卷 79-87页

作者：何青松王广兴冯瑞董海波黄明星贾贺北京空间机电研究所北京100094 中国航天科技集团有限公司航天进入、减速与着陆技术实验室北京100094

采用空气五组分模型对充气式返回舱的气动特性进行了化学非平衡数值模拟研究,考察了返回舱外形变化对流场温度和压力的分布以及壁面热流密度和压强的影响,分析了流场中组分分布情况。研究结果表明,外形变化在总体上对返回舱流场特性影... 详细信息

采用空气五组分模型对充气式返回舱的气动特性进行了化学非平衡数值模拟研究,考察了返回舱外形变化对流场温度和压力的分布以及壁面热流密度和压强的影响,分析了流场中组分分布情况。研究结果表明,外形变化在总体上对返回舱流场特性影响较小,会使舱体壁面处的热流密度有所增加;对流场组分分布的研究发现,由于N 2比O 2更难解离,在整个流场中N的摩尔分数远低于O的摩尔分数;在目前的计算条件下,沿轴线和壁面的氮氧比与来流基本保持一致。仿真结果在总体上与实验结果符合较好,验证了仿真模型的可靠性。

关键词：充气式返回舱化学非平衡外形变化组分分布数值模拟

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一种Y型噻吨酮-咔唑分子的设计、合成及其蓝光和黄光有机发光二极管应用

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有机化学 2024年第4期44卷 1210-1217页

作者：孙静樊志杰杜纪宽李硕苗艳勤赵波董海亮王华太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室太原030024 山西浙大新材料与化工研究院太原030024

采用噻吨酮作为受体,9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑作为给体,设计合成了一种Y型分子,命名为TX-Ph2Cz.化合物在稀释的溶液中展示了位于420 nm处的蓝光发射,且其发射峰在不同极性的溶剂中基本不变.在四氢呋喃/水的混合溶剂中,随着含水量的增... 详细信息

采用噻吨酮作为受体,9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑作为给体,设计合成了一种Y型分子,命名为TX-Ph2Cz.化合物在稀释的溶液中展示了位于420 nm处的蓝光发射,且其发射峰在不同极性的溶剂中基本不变.在四氢呋喃/水的混合溶剂中,随着含水量的增加发射峰红移了36 nm.从其单晶结构中可以看出化合物具有很多分子间相互作用,分子间的π…π作用有助于实现分子间的电荷转移.化合物TX-Ph2Cz在掺杂器件(质量分数3%)中展示了位于440 nm的蓝光峰,而在非掺杂器件中则展示了位于540 nm处的黄光峰,这是因为在薄膜中化合物自身形成了电致激基缔合物.同时,非掺杂器件展示了更好的电致发光性能,最大电流效率和最大外量子效率分别达到4.91 cd/A和2.64%.

关键词：有机发光二极管(OLED) 噻吨酮-咔唑 Y型结构激基缔合物

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微纳级GaN基VCSEL中周期反射结构与电子阻挡层的设置作用分析

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人工晶体学报 2024年第8期53卷 1337-1343页

作者：祝震宇贾志刚董海亮许并社太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室太原030024 山西浙大新材料与化工研究院太原030024 陕西科技大学材料原子·分子科学研究所西安710021

氮化镓(GaN)基微纳米结构生长技术的成熟为微纳级GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的制备提供了新的途径。本文设计了基于GaN基轴向异质结微纳米柱的微纳级VCSEL结构,采用Al_(0.8)Ga_(0.2)N/In_(0.2)Ga_(0.8)N应变补偿结构作为上下分布... 详细信息

氮化镓(GaN)基微纳米结构生长技术的成熟为微纳级GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的制备提供了新的途径。本文设计了基于GaN基轴向异质结微纳米柱的微纳级VCSEL结构,采用Al_(0.8)Ga_(0.2)N/In_(0.2)Ga_(0.8)N应变补偿结构作为上下分布式布拉格反射镜(DBR),其中Al_(0.8)Ga_(0.2)N层的Al组分远高于传统结构中的电子阻挡层(EBL),能够更好地起到电子阻挡的作用。本文使用商用软件PICS3D构建了电子阻挡层处于不同位置的VCSEL数理模型,并进行数值模拟计算,探索和分析物理机理,解释了不同位置EBL对空穴注入效率的影响。结果表明,采用Al_(0.8)Ga_(0.2)N与In_(0.2)Ga_(0.8)N组成的应变补偿DBR可以更好地提高空穴注入效率,优化器件光电性能。

关键词： Ⅲ族氮化物垂直腔面发射激光器空穴注入效率微纳米结构应变补偿DBR 电子阻挡层

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低维InP材料的表征和生长机理研究

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发光学报 2024年第5期45卷 779-793页

作者：牛艳萍马淑芳董浩琰阳智郝晓东韩斌吴胜利董海亮许并社陕西科技大学西安市化合物半导体材料与器件重点实验室陕西西安710021 西安交通大学第一附属医院肝胆外科陕西西安710061 太原理工大学教育部先进材料界面科学与工程重点实验室山西太原030024 山西浙大新材料与化工研究院山西太原030024

磷化铟作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ半导体材料,由于其独特的光学和电学特性,近年来备受关注。大量的研究表明,它在光电子、催化、医学等领域具有潜在的应用前景。但目前在低维InP纳米材料的可控制备和大规模合成研究中还存在一些问题有待解决... 详细信息

磷化铟作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ半导体材料,由于其独特的光学和电学特性,近年来备受关注。大量的研究表明,它在光电子、催化、医学等领域具有潜在的应用前景。但目前在低维InP纳米材料的可控制备和大规模合成研究中还存在一些问题有待解决。针对上述问题,采用化学气相沉积法(CVD)在Si/SiO_(2)衬底上成功地制备了大量高质量的InP纳米线,并用原位生长法在多晶InP衬底上生长了大量的InP纳米柱。利用扫描电子显微镜(SEM)观察所制备的纳米材料的形貌,纳米线表面光滑,直径在30~65 nm之间,纳米线组成的薄膜厚度约为35μm;纳米柱直径分布为550~850 nm,纳米柱组成的薄膜厚度约为12μm。利用能量色散谱(EDS)和X射线光电子能谱(XPS)分析了所制备的纳米材料的成分为InP。用拉曼光谱法测定了纳米材料的化学结构,并做了进一步的分析。透射电子显微镜(TEM)用于观察纳米材料的微观结构。研究发现,本研究制备的纳米线具有很高的结晶度,沿着[111]方向生长。使用选区电子衍射(SAED)分析纳米线晶体特性时发现了清晰的衍射点,表明其为单晶结构。使用光致发光光谱仪(PL)分析其发光特性,并进一步分析。最后,我们讨论了纳米线和纳米柱的形成机制,纳米线的生长遵循气-液-固(VLS)机制,纳米柱的生长遵循固-液-固(SLS)机制。这些研究为控制InP纳米材料的制备和大规模生产提供了更多可能性。

关键词：磷化铟纳米线纳米柱材料特性生长机制

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磁场对车轴钢在氯化钠溶液中腐蚀速率及阳极过程的影响

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腐蚀与防护 2024年第7期45卷 1-7页

作者：宋晓娟李鑫王娟董海英吕战鹏上海大学材料科学与工程学院材料研究所上海200072 上海大学省部共建特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海200072

在自然充气的氯化钠溶液中研究了磁场对车轴钢腐蚀速率和阳极溶解的影响。结果表明:磁场对较短浸泡周期内的腐蚀有显著加速作用,当浸泡时间较长时,磁场的影响减弱。磁场倾向于使自腐蚀电位正移,导致阳极极化曲线起始段的电流密度降低。... 详细信息

在自然充气的氯化钠溶液中研究了磁场对车轴钢腐蚀速率和阳极溶解的影响。结果表明:磁场对较短浸泡周期内的腐蚀有显著加速作用,当浸泡时间较长时,磁场的影响减弱。磁场倾向于使自腐蚀电位正移,导致阳极极化曲线起始段的电流密度降低。在阳极极化曲线的电流密度-电位线性区间恒电位极化时,当极化电位较低时,极化一段时间后,电流密度能够达到稳态,而当极化电位较高时,极化开始后电流密度先急增;然后基本随时间延长线性下降。外加磁场后,阳极电流密度出现一个小增幅,表明在本试验的极化条件下,试样的反应速率主要不是受带电离子离开电极表面的传质过程控制的。研究结果可以为磁场作用下金属材料的腐蚀行为评价和机理分析提供依据。

关键词：磁场车轴钢氯离子腐蚀阳极溶解

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聚碳酸酯失效模式影响因素

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塑料 2024年第4期53卷 61-66页

作者：郭垠张璐吴召伟宋力董海鹏钱富娟浙江石油化工有限公司研究院浙江舟山316000

韧性断裂到脆性断裂的转变是影响聚碳酸酯性能的主要缺陷之一,较低的形变水平可能会发生灾难性地失效,解决该问题十分重要。综述了分子结构中各因素对聚碳酸酯断裂行为的影响,如相对分子质量及其分布、端基类型、交联杂化结构。同时,对... 详细信息

韧性断裂到脆性断裂的转变是影响聚碳酸酯性能的主要缺陷之一,较低的形变水平可能会发生灾难性地失效,解决该问题十分重要。综述了分子结构中各因素对聚碳酸酯断裂行为的影响,如相对分子质量及其分布、端基类型、交联杂化结构。同时,对产生这些结构的原因及机理进行了详细分析,包括催化剂、聚合物单体比例、聚合反应温度、添加剂含量。介绍了近期国内外有关聚碳酸酯失效模式影响因素的研究成果,为有效提高聚碳酸酯材料冲击性能,减少韧脆转变的发生提供思路。

关键词：聚碳酸酯冲击强度失效模式相对分子质量交联杂化结构

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