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压阻式金刚石压力传感器的优化设计

传感器技术 2002年第3期21卷 21-24页

作者：莘海维张志明戴永斌沈荷生上海交通大学微电子所上海200052

介绍了一种新型金刚石高温压力传感器的优化设计方法。采用薄板弯曲理论研究了均匀载荷作用下多晶金刚石方膜在小挠度和大挠度下的应变分布情况。对设计时应当考虑的主要问题包括金刚石力敏电阻条的掺杂浓度 ,电桥的形式 ,电阻条在膜片... 详细信息

介绍了一种新型金刚石高温压力传感器的优化设计方法。采用薄板弯曲理论研究了均匀载荷作用下多晶金刚石方膜在小挠度和大挠度下的应变分布情况。对设计时应当考虑的主要问题包括金刚石力敏电阻条的掺杂浓度 ,电桥的形式 ,电阻条在膜片上的分布以及电阻条的有效长度和形状等进行了讨论。利用模拟程序确定了力敏电阻条的最优有效长度 ,分析了敏感膜片厚度 ,方块电阻等因素对电阻条有效长度和输出响应的影响。

关键词：压阻式金刚石压力传感器灵敏度优化设计

电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜机理初探

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热加工工艺 2001年第1期30卷 5-6页

作者：潘俊德田林海莘海维贺琦赵晋香太原理工大学表面工程研究所山西太原030024

研究了电子浴辅助阴极电弧源法合成 Al N薄膜的形核生长过程。

关键词：阴极电弧源法 ALN薄膜合成电子浴离子镀

不同设计参数对SOI射频开关谐波性能影响的分析研究

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集成电路应用 2018年第7期35卷 25-28页

作者：莘海维上海华虹宏力半导体制造有限公司上海201203

基于0.2μm SOI RF工艺平台,设计了串联支路,并联支路,单刀单掷,单刀双掷等电路结构,研究单级宽度,级联数目等设计参数对射频开关谐波性能的影响。通过实验数据,分析讨论各参数对射频开关谐波性能的影响变化趋势,阐明了产生变化的机制,... 详细信息

基于0.2μm SOI RF工艺平台,设计了串联支路,并联支路,单刀单掷,单刀双掷等电路结构,研究单级宽度,级联数目等设计参数对射频开关谐波性能的影响。通过实验数据,分析讨论各参数对射频开关谐波性能的影响变化趋势,阐明了产生变化的机制,为射频开关设计提供参考。

关键词：集成电路制造 SOI 射频开关谐波

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金刚石薄膜图形化技术的研究

航空精密制造技术 2002年第1期38卷 9-12页

作者：莘海维奚正蕾凌行张志明上海交通大学微电子所上海200030

从金刚石薄膜半导体器件的实用要求出发,比较了金刚石薄膜的各种图形化技术,研究了它们各自的特点和适用性,如播种法选择性生长、掩膜法选择性生长、离子束刻蚀和反应离子刻蚀技术等。

关键词：金刚石薄膜图形化选择性生长刻蚀

电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜影响因素研究

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热加工工艺 2000年第6期29卷 34-35,64页

作者：潘俊德田林海莘海维贺琦太原理工大学表面工程研究所山西太原030024

研究了 N2 流量、阴极偏压、工作气压等工艺参数对电子浴辅助阴极电弧源法合成 Al N薄膜质量的影响规律及其原因。

关键词：阴极电弧源法 AlN薄膜电子浴工艺参数合成

金刚石/硅(001)异质界面的分子动力学模拟研究

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物理学报 2001年第2期50卷 244-250页

作者：戴永兵沈荷生张志明何贤昶胡晓君孙方宏莘海维上海交通大学微电子技术研究所上海200030 上海交通大学材料学院上海200030

采用分子动力学方法模拟研究了未重构的金刚石 /硅 (0 0 1)面相接触时界面层原子的弛豫过程及所形成的异质界面的结构特征 .硅碳二元系统中原子间的相互作用采用Tersoff多体经验势描述 .弛豫前沿 [110 ]与 [110 ]方向界面碳硅原子数之... 详细信息

采用分子动力学方法模拟研究了未重构的金刚石 /硅 (0 0 1)面相接触时界面层原子的弛豫过程及所形成的异质界面的结构特征 .硅碳二元系统中原子间的相互作用采用Tersoff多体经验势描述 .弛豫前沿 [110 ]与 [110 ]方向界面碳硅原子数之比均为 3∶2 .界面碳硅原子总数之比为 9∶4.弛豫后金刚石与硅界面处晶格匹配方式改变为[110 ]方向基本上以 3∶2关系对准 ,而 [110 ]方向大致以 1∶1关系对准 .相应地 ,界面碳硅原子总数之比接近 3∶2 .界面下方部分第二层硅原子在弛豫过程中向上迁移至界面是引起这种变化的原因 ,同时该层其他原子及其底下一到两个原子层厚度的区域在 [0 0 1]方向上出现一定程度的无序化转变倾向 .金刚石 /硅异质界面处的硅碳原子发生强烈键合 ,形成平均键长为 0 189nm的硅碳键 .研究证实 ,晶格匹配主要呈现界面及其附近硅原子迎合界面碳原子排列的特点 .

关键词：金刚石硅异质界面分子动力学薄膜模拟

高温压力传感器的新进展——金刚石微压力传感器

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化学世界 2000年第S1期41卷 107-111页

作者：莘海维张志明沈荷生戴永兵万永中上海交通大学微电子所上海200030

工业上的某些场合要求压力传感器能够在高温、高辐射以及恶劣的环境下正常工作。金刚石的某些特殊性质 (如化学上的惰性、高的杨氏模量 )以及极大的压阻效应使其成为制作压阻型压力传感器的极佳材料。本文对利用多晶金刚石薄膜制造的新... 详细信息

工业上的某些场合要求压力传感器能够在高温、高辐射以及恶劣的环境下正常工作。金刚石的某些特殊性质 (如化学上的惰性、高的杨氏模量 )以及极大的压阻效应使其成为制作压阻型压力传感器的极佳材料。本文对利用多晶金刚石薄膜制造的新型高温、高灵敏度的压阻型金刚石微压力传感器 ,包括其原理、结构及其制造技术作了详细介绍。这种传感器适用于勘探、航空航天以及汽车工业。此外 ,还阐述了金刚石微压力传感器的研究现状。

关键词：压阻效应金刚石薄膜灵敏度因子