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微机械光调制器激励机制的理论和实验研究

半导体光电 2003年第3期24卷 160-164页

作者：茅惠兵忻佩胜赖宗声华东师范大学电子科学与技术系上海200062

讨论了一种具有Fabry-Perot结构的新型微机械先调制器,该光调制器由表面微机械工艺制备。理论分析表明,正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波对光调制器的驱动结果是完全不同的。测量结果表明,微机械光调制器有一系列的固有频率。对正... 详细信息

讨论了一种具有Fabry-Perot结构的新型微机械先调制器,该光调制器由表面微机械工艺制备。理论分析表明,正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波对光调制器的驱动结果是完全不同的。测量结果表明,微机械光调制器有一系列的固有频率。对正弦信号、带直流偏置的正弦信号和方波信号的测量结果显示,调制器的响应是对驱动力中各频率成分的响应,和理论分析符合得非常好。

关键词：微电子机械系统光调制器固有频率

微机械光调制器的制备及其在不同激励条件下的响应研究

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电子学报 2002年第2期30卷 262-265页

作者：茅惠兵忻佩胜柯菁华赖宗声华东师范大学电子科学技术系中山北路3663号上海200062

本文主要讨论了具有机械式抗反射开关 (即MARS)结构的新型微机械光调制器 .MARS结构光调制器由表面微机械工艺制备 .测量结果表明 ,微机械光调制器有一系列的固有频率 .当器件被正弦信号激励时 ,其响应信号也是正弦信号 .当器件被方波... 详细信息

本文主要讨论了具有机械式抗反射开关 (即MARS)结构的新型微机械光调制器 .MARS结构光调制器由表面微机械工艺制备 .测量结果表明 ,微机械光调制器有一系列的固有频率 .当器件被正弦信号激励时 ,其响应信号也是正弦信号 .当器件被方波信号激励时 ,响应信号和激励频率有关 .当激励方波频率远低于器件固有频率时 ,器件响应实际上是对上下两个阶跃信号的响应 :出现明显的阻尼振荡效应 .当激励频率在固有频率附近时 ,器件实际只对方波的基频效应

关键词：微电子机械系统光调制器激励条例响应

GaAs分子束外延生长的MonteCarlo模拟

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物理学报 1994年第7期43卷 1118-1122页

作者：茅惠兵陆卫马朝晖刘兴权沈学础中国科学院红外物理国家重点实验室

用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟了ＧａＡｓ（００１）面的邻晶面上的分子束外延的生长过程，模拟的基本模型是常用的ＳＯＳ模型，结果显示在Ａ类邻晶面上二维成核模式起主委作用，但在Ｂ类邻晶面低温下是二维成核模式起主要作用，但在... 详细信息

用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟了ＧａＡｓ（００１）面的邻晶面上的分子束外延的生长过程，模拟的基本模型是常用的ＳＯＳ模型，结果显示在Ａ类邻晶面上二维成核模式起主委作用，但在Ｂ类邻晶面低温下是二维成核模式起主要作用，但在高温下台阶成核模式成了主要的成核模式．另外在高温和低温下都存在成核原子数的饱和现象．

关键词：砷化镓分子束外延蒙特卡罗模拟

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微机械光可调式光衰减器的制备及动态测试

半导体光电 2004年第1期25卷 9-12页

作者：茅惠兵杨昌利忻佩胜彭德艳朱自强赖宗声华东师范大学信息科学技术学院上海200062

　主要讨论了具有机械式抗反射开关(即MARS)结构的新型微机械可调式光衰减器。MARS结构可调式光衰减器由表面微机械工艺制备。当器件被正弦信号激励时,其响应信号也是正弦信号,但两者的相位相反。同时,微机械可调式光衰减器有一系列的... 详细信息

　主要讨论了具有机械式抗反射开关(即MARS)结构的新型微机械可调式光衰减器。MARS结构可调式光衰减器由表面微机械工艺制备。当器件被正弦信号激励时,其响应信号也是正弦信号,但两者的相位相反。同时,微机械可调式光衰减器有一系列的固有频率。测量表明,器件反射率的上升时间为5μs,下降时间为3.3μs。如果器件由线性变化的锯齿信号驱动,当驱动信号小于23V时,器件的反射率变化也是线性的,当驱动信号大于23V时,器件的反射率响应出现非线性,信号越大,非线性越明显。

关键词：微电子机械系统可调式光衰减器固有频率

AlGaSb三元化合物的液相外延生长及其参数测量

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半导体光电 1993年第2期14卷 189-191页

作者：茅惠兵王海龙中国科学院上海光学机械研究所上海200083

在 GaSb 衬底上用过冷却技术在550℃的饱和温度下生长了晶格匹配的AlGaSb 外延层。用金相显微镜测量了外延层的厚度并观察了形貌。用 X 射线双晶衍射和低温光致发光技术分别测量了材料的晶格常数和禁带宽度,并因此确定了外延层的组分。

关键词：液相外延 AlGaSb/GaSb 参数测量

GaAs/AlGaAs Fibonacci准周期超晶格带间跃迁的光谱研究

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物理学报 1995年第10期44卷 1588-1594页

作者：茅惠兵陆卫马朝晖张家明姜山沈学础中国科学院红外物理国家重点实验室上海200083

运用光致荧光,光调制反射和光电流谱等方法研究了11级的GaAs/AlGaAS Fibonacci准周期超晶格的带间跃迁,并用转移矩阵方法计算了Fibonacci准周期超晶格和相应的周期性超晶格的子能级和子能带.理论计算与实验结果符合得很好.

关键词：砷化镓 AlGaAs 光谱超晶格带间跃迁

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微机械微波/射频开关的制备和功能测量研究

半导体技术 2002年第11期27卷 11-14页

作者：茅惠兵忻佩胜胡梅丽赖宗声华东师范大学电子科学技术系上海200062

讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试。微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层。功能测试表明,该工艺制... 详细信息

讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试。微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层。功能测试表明,该工艺制备的微机械开关的执行电压只有25V,优于同类微机械开关的指标,同时它具有良好的响应特性。

关键词：功能测量微机械微波/射频开关悬臂梁共平面波导无线通信设备

微机电微波/射频开关的力学分析及其工艺研究

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微电子学 2003年第4期33卷 273-275页

作者：茅惠兵忻佩胜胡梅丽赖宗声华东师范大学电子科学技术系上海200062

　文章主要讨论了微机电微波/射频开关的原理、制备工艺和特性测试。微机电接触式微波/射频开关的关键结构是悬臂梁,当控制电压大于吸合电压时,悬臂梁发生吸合,使开关导通。考虑到微机电制备工艺的兼容性,选择PECVD生长的氮化硅作悬臂梁... 详细信息

　文章主要讨论了微机电微波/射频开关的原理、制备工艺和特性测试。微机电接触式微波/射频开关的关键结构是悬臂梁,当控制电压大于吸合电压时,悬臂梁发生吸合,使开关导通。考虑到微机电制备工艺的兼容性,选择PECVD生长的氮化硅作悬臂梁,聚酰亚胺作牺牲层。测试结果表明,研制的微机电开关在0.5～5GHz的范围内插入损耗为2dB,隔离度达30～50dB。

关键词：射频开关微机电微波力学分析共平面波导悬管梁插入损耗隔离度制备工艺

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CdSe量子点的制备与荧光特性研究

量子电子学报 2004年第4期21卷 528-531页

作者：茅惠兵陈静李志峰戴宁朱自强华东师范大学电子系上海200062 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083

主要讨论了CdSe量子点的制备及荧光特性。CdSe量子点由化学方法制备,通过选择不同的反应时间得到不同尺度的量子点样品。用荧光方法研究了量子点样品在石英衬底和有机溶剂中的荧光特性。实验表明,这些量子点都有良好的荧光特性。还用无... 详细信息

主要讨论了CdSe量子点的制备及荧光特性。CdSe量子点由化学方法制备,通过选择不同的反应时间得到不同尺度的量子点样品。用荧光方法研究了量子点样品在石英衬底和有机溶剂中的荧光特性。实验表明,这些量子点都有良好的荧光特性。还用无限深球方势阱模型分析了量子点样品的电子态,并根据荧光参数估算了量子点的尺度。各样品荧光峰具有一致的半峰宽,表明CdSe量子点的成核过程在反应开始时同时完成。

关键词：半导体光电量子点 CdSe 荧光