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职业教育助力南阳乡村人才振兴实践研究

知识经济 2024年第13期677卷 231-233页

作者：苏海桥河南工业职业技术学院河南南阳473000

在乡村振兴战略的宏大背景下,充分发挥职业教育的作用,对培养具有优秀农业技能的专业人才意义非凡。河南省南阳市近年来十分重视职业教育,通过专业发展、主体合作、育人模式变革、财政资金支持等措施,有力推动了职业教育与乡村人才振兴... 详细信息

在乡村振兴战略的宏大背景下,充分发挥职业教育的作用,对培养具有优秀农业技能的专业人才意义非凡。河南省南阳市近年来十分重视职业教育,通过专业发展、主体合作、育人模式变革、财政资金支持等措施,有力推动了职业教育与乡村人才振兴的深度衔接,取得了良好成效。为深入了解其职业教育助力乡村人才振兴的实践做法,文章采用实践探索的方式,总结其具体的实践方案,并从4个方面得出经验借鉴,以期为其他地区发展职业教育助力乡村人才振兴提供有益参考。

关键词：职业教育南阳乡村人才振兴

ZnS荧光薄膜的制备及其表征以及掺杂对其性能的影响

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ZnS荧光薄膜的制备及其表征以及掺杂对其性能的影响

作者：苏海桥电子科技大学

学位级别：硕士

硫化锌（ZnS）是一种重要的宽禁带（室温下Eg约为3.7eV）直接带隙半导体材料。在紫外光探测器、短波长发光二极管、激光器二极管、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。为了使得ZnS薄膜能广泛应用于各类光电器件,有必要改善（或者改变... 详细信息

硫化锌（ZnS）是一种重要的宽禁带（室温下Eg约为3.7eV）直接带隙半导体材料。在紫外光探测器、短波长发光二极管、激光器二极管、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。为了使得ZnS薄膜能广泛应用于各类光电器件,有必要改善（或者改变）ZnS薄膜的物理、化学等性能,在ZnS薄膜中掺入杂质元素和热退火处理就是其中两种重要的方法,尤其是ZnS薄膜的p型掺杂显得尤为重要。离子注入技术是当前半导体材料一种重要的掺杂技术。本论文是利用离子注入技术进行掺杂和热退火处理对ZnS薄膜改性,采用X射线衍射（XRD）谱、透射光谱、光致发光谱（PL）和四探针等,分别研究了Ti离子和N离子注入ZnS薄膜和注入后样品退火的结构、光学和电学性能,主要得到以下结果:1.利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备ZnS薄膜,室温下剂量为1×1017ions/cm2,能量80KeV的Ti离子注入ZnS薄膜中,离子注入后,样品分别在（500-700）℃的氩气气氛中进行退火处理1h。结果显示:离子注入后,样品的XRD衍射峰强度减小,样品在可见光区的光学透过率明显下降,近带边紫外发射峰（NBE）和深能级缺陷发射峰（DLE）都消失不见;注入后热退火处理,衍射峰在00oC退火后有一定的恢复;当在（500-700）℃退火温度时,吸收边随着退火温度的提高发生蓝移;NBE峰和DLE峰都随退火温度的提高而增强。2.利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备ZnS薄膜,室温下剂量为1×1017 ions/cm2,能量80KeV的N离子注入ZnS薄膜中,离子注入后,样品分别在（500-700）℃的氩气气氛中进行退火处理1h。结果显示:离子注入后,样品的XRD衍射峰消失,样品在可见光区的光学透过率有所提高;在500℃退火后,薄膜结晶性能有所好转,衍射峰重新出现;500℃退火的NBE和DLE略有降低,600℃后NBE和DLE随着退火温度的升高而增强。3.利用真空蒸发法在普通玻璃衬底上制备ZnS薄膜,室温下剂量为1×1017 ions/cm2,能量80KeV的N离子注入ZnS薄膜中,离子注入后,样品分别在（400-500）℃的氩气气氛中进行退火处理1h。结果发现:离子注入后,衍射峰消失;样品在可见光区的光学透过率有所增强;光学带宽发生蓝移;NBE峰和DLE峰都增强;500℃退火后,衍射峰出现;400℃退火后,样品在可见光区的光学透过率增加,500℃退火后,样品在可见光区的光学透过率降低, 400℃退火的NBE和DLE强度提高, 500℃退火的NBE和DLE都有所降低。

关键词：真空蒸发法 ZnS薄膜离子注入热退火处理光学性能

基于双色法的碳烟火焰三维温度场计算层析成像测量

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新能源进展 2024年第4期12卷 408-416页

作者：吴雨轩苏海航蒋利桥中国科学技术大学能源科学与技术学院广州510640 中国科学院广州能源研究所广州510640 广东省新能源和可再生能源研究开发与应用重点实验室广州510640

建立了一种基于多角度火焰光学投影信号获取的三维层析重建成像算法,用于测量不规则形态火焰的三维结构。通过搭建可旋转的射流燃烧装置建立不规则轮廓非预混稳定乙烯碳烟火焰,采用单一像增强相机(ICCD)从28个不同角度依次进行火焰自发... 详细信息

建立了一种基于多角度火焰光学投影信号获取的三维层析重建成像算法,用于测量不规则形态火焰的三维结构。通过搭建可旋转的射流燃烧装置建立不规则轮廓非预混稳定乙烯碳烟火焰,采用单一像增强相机(ICCD)从28个不同角度依次进行火焰自发光的全波段、550 nm和650 nm窄波段投影图像采集,结合自编制的三维重建程序与修正双色法,实现了碳烟火焰三维温度场测量。结果表明,三维重构算法能够再现火焰结构与温度场三维空间分布特性,温度测量值符合层流乙烯扩散碳烟火焰温度范围,采用任意不同角度投影图像数据的数目高于15个时,重构效果最好。

关键词：碳烟火焰计算层析成像三维温度场双色法

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独立覆盖流形法的通用计算公式和通用程序设计（一）通用计算公式

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长江科学院院报 2024年

作者：苏海东长江科学院材料与结构研究所水利部水工程安全与病害防治中心

独立覆盖流形法是偏微分方程数值计算的新方法，在近似函数构造的基础层面上形成了偏微分方程的“分区级数解”，实现了有限元法及一些新方法的主要分析功能，在网格划分的灵活性、计算稳定性等方面还具有一些独特优势，但也意味着其计... 详细信息

独立覆盖流形法是偏微分方程数值计算的新方法，在近似函数构造的基础层面上形成了偏微分方程的“分区级数解”，实现了有限元法及一些新方法的主要分析功能，在网格划分的灵活性、计算稳定性等方面还具有一些独特优势，但也意味着其计算公式和程序设计不同于现有方法。本文总结了近年来该方法在固体计算中的主要研究成果，归纳了一套简洁的通用计算公式，局部近似函数中的形函数表达为单位分解函数、坐标转换矩阵和级数矩阵的乘积，具体讨论了各种情况下的形函数及其求导方法，给出各种矩阵的表达式以及时间积分方法，用于求解弹性力学运动微分方程、传导方程、波动方程，包括一维至三维的稳态和瞬态分析和三类边界条件，涵盖了高阶级数、任意形状网格、精确几何边界模拟及本质边界条件的准确施加、裂纹尖端附近采用解析级数等特色功能。利用这些公式即可开展独立覆盖流形法通用程序的开发工作。

关键词：偏微分方程级数解网格剖分精确几何独立覆盖数值流形方法

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退火对ZnS薄膜光学性质和结构的影响

湛江师范学院学报 2010年第3期31卷 47-52页

作者：张天红薛书文苏海桥袁兆林陈猛祖小涛电子科技大学应用物理系四川成都610054 湛江师范学院物理学院广东湛江524048 电子科技大学微电子与固体电子系四川成都610054

采用真空蒸发法在石英基片上制备了ZnS薄膜,把制备好的ZnS薄膜进行退火处理,温度从300℃到900℃,退火时间为1h.利用扫描电镜(SEM)研究了薄膜厚度随退火温度的变化,利用光致发光谱(PL)和光吸收研究了在不同退火温度处理下薄膜光学性质的... 详细信息

采用真空蒸发法在石英基片上制备了ZnS薄膜,把制备好的ZnS薄膜进行退火处理,温度从300℃到900℃,退火时间为1h.利用扫描电镜(SEM)研究了薄膜厚度随退火温度的变化,利用光致发光谱(PL)和光吸收研究了在不同退火温度处理下薄膜光学性质的变化.结果显示,700℃随退火温度的升高,薄膜厚度变小,而700℃以后,随退火温度的升高薄膜厚度变大.光吸收显示,随退火温度的升高,薄膜在可见光范围内的光吸收逐渐降低,光学带宽发生蓝移,700℃以后,随退火温度身高,光吸收有一定的升高,光学带宽发生红移.光致发光显示,随退火温度的升高,ZnS薄膜与深能级缺陷相关的发光带(DLE)增强,700℃后薄膜,随退火温度的升高,DLE减弱.

关键词： ZnS薄膜 SEM 光致发光退火

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治疗药物的延伸与变迁从复方利血平氨苯蝶啶到1/4剂量的四联降压药降压疗效研究:高血压

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中华高血压杂志(中英文) 2024年

作者：罗伟苏海东莞市虎门医院心血管内科南昌大学第二附属医院心血管内科

当两类药物联合使用时,降压疗效得到增强,同时患者的耐受性提高。合理的联合用药方案中,一种药物往往可拮抗另一种药物的不良反应[1],如β受体阻滞剂可以抵消钙通道阻滞药（calcium channel blocker,CCB）的反射性心率增加作用,联合用...

当两类药物联合使用时,降压疗效得到增强,同时患者的耐受性提高。合理的联合用药方案中,一种药物往往可拮抗另一种药物的不良反应[1],如β受体阻滞剂可以抵消钙通道阻滞药（calcium channel blocker,CCB）的反射性心率增加作用,联合用药提高了患者的依从性[2-3]。有学者认为,如果使用4种降压药,即使是低剂量,因可阻断多个高血压的发病机制,能达到更为安全、有效的降压目的,并改善患者的长期依从性,有更为满意的血压控制效果[4-6]。

关键词：

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直立性高血压：一些新概念

中华高血压杂志(中英文) 2024年第9期 816-818页

作者：赖敏苏海厦门大学附属心血管病医院心内科南昌大学第二附属医院心内科

既往对直立性低血压的关注较多，但直立性高血压也并非是一种良性现象，已有一些研究证明了这一点，因此这种现象不应被忽视[1-3]。2023年，美国自主神经协会和日本高血压协会共同制定了一份关于直立性高血压定义的共识声明（共识）,该...

既往对直立性低血压的关注较多，但直立性高血压也并非是一种良性现象，已有一些研究证明了这一点，因此这种现象不应被忽视[1-3]。2023年，美国自主神经协会和日本高血压协会共同制定了一份关于直立性高血压定义的共识声明（共识）,该共识同时发表在Hypertension Research和Clinical Autonomic Research杂志上[2-3]。

关键词：

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Effects of high-dose Ge ion implantation and post-implantation annealing on ZnO thin films

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Chinese Physics B 2007年第4期16卷 1119-1124页

作者：薛书文祖小涛苏海桥郑万国向霞邓宏杨春容 Department of Applied Physics University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054 China Department of Physics Zhanjiang Normal College Zhanjiang 524048 China Laser Fusion Research Center China Academy of Engineering Physics Mianyang 621900 China School of Microelectronics and Solid-State Electronics University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054 China

This paper reports that ion implantation to a dose of 1 ×10^17 ions/cm^2 was performed on c-axis-orientated ZnO thin films deposited on （0001） sapphire substrates by the sol-gel technique. After ion implantation, the as-implanted ZnO films were annealed in argon ambient at different temperatures from 600 - 900 ℃. The effects of ion implantation and post-implantation annealing on the structural and optical properties of the ZnO films were investigated by x-ray diffraction （XRD）, photoluminescence （PL）. It was found that the intensities of （002） peak and near band edge （NBE） exitonic ultraviolet emission increased with increasing annealing temperature from 600- 900 ℃. The defect related deep level emission （DLE） firstly increased with increasing annealing temperature from 600 - 750 ℃, and then decreased quickly with increasing annealing temperature. The recovery of the intensities of NBE and DLE occurs at ～850℃ and ～750℃ respectively. The relative PL intensity ratio of NBE to DLE showed that the quality of ZnO films increased continuously with increasing annealing temperature from 600 - 900 ℃.

关键词： ZnO thin films thermal annealing ion implantation photoluminescence

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自适应水下图像增强算法

激光与光电子学进展 2024年第8期61卷 334-342页

作者：杨宁苏海冰张涛中国科学院光电技术研究所四川成都610209 中国科学院光场调控科学技术全国重点实验室四川成都610209 中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京100049 中国科学院大学光电学院北京100049

针对水下图像因成像环境造成的色彩失真、对比度下降、模糊等问题,提出一种自适应水下图像增强算法。首先,基于Lab色彩空间的局部色偏和全局色偏对衰减颜色进行色彩补偿,再利用灰度世界算法恢复水下图像的色彩平衡。其次,使用自动色阶... 详细信息

针对水下图像因成像环境造成的色彩失真、对比度下降、模糊等问题,提出一种自适应水下图像增强算法。首先,基于Lab色彩空间的局部色偏和全局色偏对衰减颜色进行色彩补偿,再利用灰度世界算法恢复水下图像的色彩平衡。其次,使用自动色阶和伽马校正方法调整各通道信息,以获得高动态范围、高照度的图像。最后,通过反锐化掩膜方法获得高频信息并增强图像细节,从而获得清晰的水下图像。所提算法利用图像的色偏、均方差等统计信息,实现了自适应处理。实验结果表明,所提算法能有效去除水下图像色偏,提高图像对比度与清晰度,提升视觉效果。较之其他算法,其在处理效果及时间上均有优势。

关键词：图像处理水下图像增强色彩校正对比度提升细节增强

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