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交叉耦合电荷传递读出放大器

电子计算机动态 1975年第6期 82-86页

作者：苏光荣

由于MOS集成电路有高集成度、低功耗和快速的特点,近年来有越来越多的计算机用MOS RAM作主存储器。目前的生产水平已达到每个芯片有4Kb存储单元和200毫微秒的存取周期。然而这种MOS RAM还不能满足计算机的要求,特别是在集成度上。要提... 详细信息

由于MOS集成电路有高集成度、低功耗和快速的特点,近年来有越来越多的计算机用MOS RAM作主存储器。目前的生产水平已达到每个芯片有4Kb存储单元和200毫微秒的存取周期。然而这种MOS RAM还不能满足计算机的要求,特别是在集成度上。要提高集成度,除改进工艺外就需要缩小存储单元的面积。所以在存储方案上,MOS RAM有一个向单管单元发展的趋势。制作单管存储单元RAM的困难在于存储信号经过存储点电容与读出线电容间重新分布电荷后,使信号变得非常小。因此,要求有一个非常灵敏的读出放大器才能检测出存储的信号。对于一个给定的读出线长(即每根位读出线

关键词：电荷传递读出放大器开启电压预充

Intel和AMI将生产50ns的MOS存储器

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计算机研究与发展 1977年第8期 92-93页

作者：苏光荣

最近ISSCC(国际固态线路会议)上宣布,速度低于50 ns的存储器有希望用两种MOS工艺来做。这就预示静态MOS随机存储器侵入了被双极随机存储器所占据的高速缓存的领域。二月间,在费城召开的国际固态线路会议上,有两个公司宣布了两种新的MOS... 详细信息

最近ISSCC(国际固态线路会议)上宣布,速度低于50 ns的存储器有希望用两种MOS工艺来做。这就预示静态MOS随机存储器侵入了被双极随机存储器所占据的高速缓存的领域。二月间,在费城召开的国际固态线路会议上,有两个公司宣布了两种新的MOS工艺。Intel Corp.使用的是先进的氧化隔离工艺,而American Microsy-stems Inc.则报导用他们的V型槽工艺。主存主要是用150 ns～300 ns周期的动态MOSRAM,而缓存系统几乎被静态双极RAM所独占。在30多种256单元和1024单元的TTL器件和ECL器件做成的RAM中,美国加州的仙童半导体公司(Fair-child Semiconductor,***,Calif.)主要提供了这种RAM。至于用在缓存的MOS器件现在唯一可得到的是Intel Corp、的2115和2125,速度为70 ns,这也仅用于最慢的系统中。

关键词：存储器双极存贮器计算机 Intel MOS AMI

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西药、中药、保健品哪个副作用更大？

家庭生活指南 2021年第8期37卷 5-6页

作者：苏光荣会宁县草滩镇卫生院

俗话说:"人吃五谷杂粮,怎能不生病?"在现实生活中,我们每个人避免不了和各种各样的药物打交道。这时,就会有人产生疑问:"平时吃的药物中,都会有副作用吗?""医生劝我吃中药,中药和西药谁的副作用更大?""我们平时吃的保健品,是否有副作用... 详细信息

俗话说:"人吃五谷杂粮,怎能不生病?"在现实生活中,我们每个人避免不了和各种各样的药物打交道。这时,就会有人产生疑问:"平时吃的药物中,都会有副作用吗?""医生劝我吃中药,中药和西药谁的副作用更大?""我们平时吃的保健品,是否有副作用呢?"基于此,本文对西药、中药、保健品的副作用进行相应科普。首先,我们先来了解一下,四大医学。在日常生活中,大多数人可能只知道西医、中医,其实医学是有很多种分类的,其中最主要的四大类就包括:中医学,预防医学,

关键词：保健品毒副作用

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一个16K单元动态随机存储器

计算机研究与发展 1977年第4期 60-64页

作者：苏光荣

本文叙述了一个16K 单元动态随机存储器（RAM）,所有输入都与 TTL 相容,使用标准的16引线封装。存储单元为单管,单元面积为455μm。器件采用常规设计规则的 n-沟道两层多晶硅栅工艺。芯片尺寸为145×234mil。每64个存储单元用一个低功... 详细信息

本文叙述了一个16K 单元动态随机存储器（RAM）,所有输入都与 TTL 相容,使用标准的16引线封装。存储单元为单管,单元面积为455μm。器件采用常规设计规则的 n-沟道两层多晶硅栅工艺。芯片尺寸为145×234mil。每64个存储单元用一个低功耗的读出放大器。采用一种特殊的再生方式,即256个读出放大器同时工作,因此,整个存储器可在64个地址周期内完成再生。

关键词：随机存储器单管单元面积 RAM TTL 所有随机存取存储器存储单元仪表组合单元读出放大器

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药用对才能疗效好

食品与健康 2021年第8期 58-59页

作者：苏光荣会宁县草滩镇卫生院

生病了去医院挂号就诊,做检查,等结果,请医生诊断,最后去药房拿药,这是普通患者最熟悉不过的就医流程。但有个小环节,可能被大多数人所忽视:拿到药后应该返回接诊医生处,详细询问并记录药品的使用方法和注意事项。这是因为,虽然处方上...

生病了去医院挂号就诊,做检查,等结果,请医生诊断,最后去药房拿药,这是普通患者最熟悉不过的就医流程。但有个小环节,可能被大多数人所忽视:拿到药后应该返回接诊医生处,详细询问并记录药品的使用方法和注意事项。这是因为,虽然处方上会标明服药次数和用量,但一般没有具体的注意事项。日常生活中,了解并积累一定的常用药注意事项,有助于自己和家人安全、正确地使用药物。

关键词：

衬底电流对动态MOS集成电路保持时间性能的影响

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电子计算机动态 1979年第8期 59-60页

作者：苏光荣

动态MOS集成电路的电荷保持时间性能是判断能否引入一个新工艺的最重要因素之一。工艺条件的大改变,如薄栅氧化层,高掺杂浓度,源-漏结深浅,这些都是做短沟道MOS管或高密度器件免不了要采用的。在这样工艺条件下,靠近漏端由于离子注入作... 详细信息

动态MOS集成电路的电荷保持时间性能是判断能否引入一个新工艺的最重要因素之一。工艺条件的大改变,如薄栅氧化层,高掺杂浓度,源-漏结深浅,这些都是做短沟道MOS管或高密度器件免不了要采用的。在这样工艺条件下,靠近漏端由于离子注入作用,衬底电流会大大增强。然而,涉及衬底电流使器件性能降底的文章却很少。本文介绍了衬底电流对三管存储单元保持时间性能影响的研究。

关键词：衬底电流反相器读出 MOS 栅氧化层时间性能

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团花生长特性研究

西北林学院学报 2007年第5期22卷 49-52页

作者：苏光荣易国南杨清云南省景洪市林业局云南景洪666100 中国科学院西双版纳热带植物园

对团花幼苗生长习性、苗木生长特性以及14 a解析木的进行了试验观测。结果表明,团花在云南西双版纳生长十分迅速,14 a团花株高可达25 m,胸径可达55 cm。团花幼苗从子叶出现到长出第7对真叶以前(播种后19～140 d),生长较为缓慢,月均高生... 详细信息

对团花幼苗生长习性、苗木生长特性以及14 a解析木的进行了试验观测。结果表明,团花在云南西双版纳生长十分迅速,14 a团花株高可达25 m,胸径可达55 cm。团花幼苗从子叶出现到长出第7对真叶以前(播种后19～140 d),生长较为缓慢,月均高生长约1 cm。之后(播种后140～200 d)其生长的速度迅速提高,月均高生长是17.85 cm。同时,团花在西双版纳一年四季都在生长,生长最快的是8～10月份,苗高月增长量超过40 cm,生长最慢的是2～5月,苗高月增长量仅为4～6 cm,其高生长的节律变化与当地的降雨量和气温的节律变化基本吻合。在栽培后2～5 a树高生长最快,年增高2～3 m,5 a以后高生长减缓;而胸径的生长高峰期出现在3～7 a,年增粗3～4.5cm;材积的生长高峰期出现在5～10 a,单株材积增长约0.2 m3,10 a以后逐渐减少,其增长仍在0.15 m3以上。说明团花具有生长快速的特点,而且衰老也比较缓慢,它既适宜于快速提供一定径级的小木材,而且也适宜于培养大径级的木材。

关键词：团花生长节律用材树种西双版纳

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