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离子束辐照导致纳米晶碳化硅非晶化的研究

离子束辐照导致纳米晶碳化硅非晶化的研究

作者：艾文思兰州大学

学位级别：硕士

碳化硅(SiC)是未来先进核能系统中极具潜力的核结构材料。提高SiC材料的抗辐照能力对它们在反应堆中的应用具有重要意义。由于晶粒边界(grain boundaries,GBs)对辐照产生的可移动点缺陷具有吸收和湮灭的作用,一般认为晶粒尺寸小于100 n... 详细信息

碳化硅(SiC)是未来先进核能系统中极具潜力的核结构材料。提高SiC材料的抗辐照能力对它们在反应堆中的应用具有重要意义。由于晶粒边界(grain boundaries,GBs)对辐照产生的可移动点缺陷具有吸收和湮灭的作用,一般认为晶粒尺寸小于100 nm的纳米晶材料相比单晶材料可能具有更强的抗辐照能力。迄今,国内外对纳米晶SiC(nc-Si C)辐照损伤效应的研究还十分有限,对其相关损伤机制的认识尚不完全清楚。本工作分别使用5 MeV Xe、60 keV C和18 keV He离子在室温下对三种平均晶粒尺寸分别为2.7 nm、6.0 nm和19.7 nm的nc-SiC及单晶Si C薄膜进行辐照,然后利用Raman光谱技术研究了离子辐照导致薄膜的非晶化过程。Raman光谱的结果显示随着离子辐照剂量的增大,nc-SiC及单晶SiC表征Si-C振动的特征峰强度逐渐减弱,而与同核Si-Si和C-C键相关的振动峰强度逐渐增强,直至薄膜被完全非晶化,光谱形状不再发生明显变化。我们使用Raman光谱中Si-C振动峰的相对强度来表征受辐照薄膜的相对结构无序度,发现:(1)对于三种离子辐照,nc-SiC的非晶化剂量随着晶粒尺寸的增大而增加,但都明显小于单晶SiC的非晶化剂量。对于我们研究的生长在非晶Si C基体中的SiC晶粒,辐照过程中非晶基体向晶粒内部的外延生长可能是导致Si C晶粒快速非晶化的主要原因。(2)在相同的原子移位剂量(dpa)下,Xe、C和He离子辐照造成nc-SiC的结构无序度相差不大,它们导致nc-SiC薄膜非晶化的速率几乎相同。这可能与质量较轻的离子使用了较大的辐照束流强度以及高能Xe离子的电子能量沉积对辐照缺陷的恢复作用有关。我们的研究结果表明对于不同质量的离子辐照,nc-Si C的抗辐照能力随着晶粒尺寸的增大而增强,单晶Si C相比nc-SiC具有更强的抗辐照能力。研究结果将为nc-SiC材料在未来核能系统中的应用提供重要的理论和实验依据。

关键词：纳米晶SiC 离子束辐照 Raman光谱

Etics和Emics──它们的起源和运用

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音乐艺术（上海音乐学院学报） 1994年第3期 25-27页

作者：艾文思施祥生戴薇

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城市增长问题

地理科学进展 1988年第4期 26-29页

作者： A.W.艾文思帅江平

在谈到城市增长时,传统观点仅指人口的增长,但我们更强调收入或人均收入的增长。这一点,和传统观点差别很大。一般假定,一个城镇由于劳力需求增加,引起人均收入增加,这会吸引人口流入。反之,需求减少,会引起失业和人口迁出。换句话说,... 详细信息

在谈到城市增长时,传统观点仅指人口的增长,但我们更强调收入或人均收入的增长。这一点,和传统观点差别很大。一般假定,一个城镇由于劳力需求增加,引起人均收入增加,这会吸引人口流入。反之,需求减少,会引起失业和人口迁出。换句话说,城市经济增长可以通过人口的增长来表示,即使收入和工资水平存在差异也没有问题。而城市的衰退则可以通过失业来反映什么导致城市的增长?现在还没有哪个理论能解释各种城市的增长。每个城市都是城镇体系中的一个成分。除非整个城镇体系扩展(例如,在工业化早期,农村人口涌入城镇),那么,位于城镇体系某处的某个城镇,其增长或变化的原因,就与整个城镇体系无关,因此,对特定城市增长的解释,可以是多方面的。

关键词：城镇体系乘数分析城市增长

快重离子辐照对YBa2Cu3O7–δ薄膜微观结构及载流特性的影响

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物理学报 2020年第7期69卷 274-281页

作者：刘丽刘杰曾健翟鹏飞张胜霞徐丽君胡培培李宗臻艾文思中国科学院近代物理研究所兰州730000 中国科学院大学核科学与技术学院北京100049

钇钡铜氧(YBCO)高温超导材料在能源、交通等方面具有广泛的应用前景,然而强磁场下出现的低临界电流密度问题严重限制了其应用.利用快重离子辐照技术可在YBCO中形成潜径迹对磁通涡旋进行钉扎,从而有效改善其在磁场下的超导性能.本文利用... 详细信息

钇钡铜氧(YBCO)高温超导材料在能源、交通等方面具有广泛的应用前景,然而强磁场下出现的低临界电流密度问题严重限制了其应用.利用快重离子辐照技术可在YBCO中形成潜径迹对磁通涡旋进行钉扎,从而有效改善其在磁场下的超导性能.本文利用能量为1.9 GeV的Ta离子对YBCO高温超导薄膜进行辐照,系统地研究了不同离子注量下YBCO薄膜的微观结构及磁场下电流传输特性的变化情况.研究表明,Ta离子辐照在薄膜中沿入射路径方向产生贯穿整个超导层的一维非晶潜径迹,其直径在5 nm到15 nm之间.结合Higuchi模型分析了快重离子辐照对薄膜中磁通钉扎机制的影响.研究发现:在原始样品中本征面缺陷钉扎是主要的钉扎机制;随着辐照注量的增加,薄膜中的钉扎类型逐渐转变为由快重离子辐照引入的正常相缺陷钉扎.临界电流密度与磁场的关系可用函数Jc∝B?α 进行拟合.指数α随着注量的增加而降低,当注量为5.0 × 1011 ions/cm2时已由最初的0.784降低至0.375,说明临界电流密度对磁场的依赖关系大大减弱.当辐照注量为8.0 × 1010 ions/cm2时,潜径迹对磁通涡旋的钉扎效果最佳.在该注量下,高场(B > 0.3 T)下临界电流密度达到最大值且钉扎力提升了近两倍,临界转变温度无明显变化(△Ton ≈ 0.5 K).实验结果表明,快重离子辐照产生的潜径迹可以在不影响临界转变温度的前提下有效改善磁场下超导载流能力.

关键词： YBCO高温超导薄膜快重离子辐照钉扎

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石墨炉原子吸收法测定大米中的镉

食品安全导刊 2021年第12期 134-134,136页

作者：艾文思昝加志李敏彭山区市场监管局食品药品检验检测中心

采用石墨炉原子吸收法测定大米中的镉,提前准备好实验材料,及时检查设定仪器设备,去除大米杂质,粉碎后装入微波消解罐中,在微波消解仪中进行消解处理,消解后再次加入硝酸、过氧化氢摇匀后静置,再次放入微波消解仪中,微波消解完毕进行赶... 详细信息

采用石墨炉原子吸收法测定大米中的镉,提前准备好实验材料,及时检查设定仪器设备,去除大米杂质,粉碎后装入微波消解罐中,在微波消解仪中进行消解处理,消解后再次加入硝酸、过氧化氢摇匀后静置,再次放入微波消解仪中,微波消解完毕进行赶酸处理。结果表明,镉含量为0.026 mg/kg,回收率101%、104%,测定准确度高,且实验操作简单可靠,是大米中镉含量测定的理想方法。

关键词：石墨炉原子吸收法镉含量回收率精密度

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简化的电动机热性能模型

电机译文集 2001年第73期 9-19页

作者：艾文思·伯丁李永刚

本文研究了在短时间段内从电动机热敏元件上快速获取电机热性能信息的问题。建立了该复杂系统的热性能模型。并对该模型进行了验证。然而细化后的模型在求解线性高阶段分方程时，占用了较长的CPU时间，使得控制功能难以进行。为加快计... 详细信息

本文研究了在短时间段内从电动机热敏元件上快速获取电机热性能信息的问题。建立了该复杂系统的热性能模型。并对该模型进行了验证。然而细化后的模型在求解线性高阶段分方程时，占用了较长的CPU时间，使得控制功能难以进行。为加快计算速度，我们使用了Eitelberg方法和模式识别两种模型简化技术，简化后的电动机发热模型运算速度极快并且其在临界点的温度精度也良好。

关键词：电动机热性能模型热敏元件 Eitelberg方法模式识别

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功率器件可靠性试验方法分析及展望

机器人产业 2024年第1期 18-25页

作者：艾文思高宏玲翟腾郭青帅中国软件评测中心集成电路与可靠性研究测评事业部

功率器件是新能源、轨道交通、电动汽车、工业应用和家用电器等电子电力系统的核心部件。随着科技的进步和应用需求的提升,功率器件正逐渐向高频、高压、高温的方向发展,这也对器件的可靠性提出更高要求。本文聚焦功率器件,围绕测试原... 详细信息

功率器件是新能源、轨道交通、电动汽车、工业应用和家用电器等电子电力系统的核心部件。随着科技的进步和应用需求的提升,功率器件正逐渐向高频、高压、高温的方向发展,这也对器件的可靠性提出更高要求。本文聚焦功率器件,围绕测试原理、测试方法和器件失效三个方面,对高温反向偏置、高温栅极应力、温湿度偏置、高低温存储、温度循环、温度冲击、功率循环和辐照等可靠性试验方法进行深入分析,并对可靠性测试方法的未来发展提出建议。本文可以为功率器件可靠性测试技术和数据分析提供借鉴。

关键词：可靠性测试功率器件温度冲击温度循环功率循环数据分析电动汽车轨道交通