检索结果-南通市图书馆

电子科技大学学报 1991年第2期20卷 162-168页

作者：胡思福格林M 电子科技大学微电子科学与工程系英国帝国理工学院电气工程系

提出了提高径向刻蚀均匀性的一种新颖的方法。在反应离子刻蚀系统中,采用等离子体控制环调节硅氧化物的径向刻蚀速率,刻蚀均匀性在等效于直径为15 cm 硅片上可以达到±3%.

关键词：离子刻蚀均匀性硅氧化物等离子

深阱RF功率双极晶体管雪崩击穿特性的模拟分析

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Journal of Semiconductors 1999年第8期20卷 688-693页

作者：张玉才胡思福电子科技大学微电子科学与工程系成都610054

本文提出一种能有效提高ＲＦ功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱ＲＦ功率双极晶体管，并且采用ＭＥＤＩＣＩ分析软件研究了影响器件特性的一些因素：深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以... 详细信息

本文提出一种能有效提高ＲＦ功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱ＲＦ功率双极晶体管，并且采用ＭＥＤＩＣＩ分析软件研究了影响器件特性的一些因素：深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以及场板．采用这种技术的功率晶体管（ＶＨＦ，线性输出功率１５Ｗ）的结构参数为ＮＣ＝７０×１０１５ｃｍ－３Ｎ型外延层，集电结结深ＸＪＣ＝０３μｍ，未掺杂多晶硅填充深槽．典型的器件雪崩击穿电压为ＢＶＣＢＯ＝７２Ｖ，截止频率１６ＧＨｚ；并且该晶体管具有较小的漏电流（～２０μ Ａ）．这初步显示了深阱结构在ＲＦ

关键词：双极晶体管雪崩击穿深阱晶体管

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硅双极功率晶体管镇流技术的改进

电子科技大学学报 1999年第5期28卷 486-489页

作者：周蓉胡思福张庆中电子科技大学微电子科学与工程系成都610054

从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析，并提出了改进措施。结果表明，采用改进的复合镇流技术，不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象，提高了器件的可靠性和工作寿命，而且有助于提高器件的功率增益。

关键词：硅化物氮化钛镇流电阻双极晶体管功率晶体管

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晶体管非线性失真分析

电子科学学刊 1992年第2期14卷 190-198页

作者：何放胡思福亚光电工厂成都610051 电子科技大学成都610054

本文从器件物理和结构上提出双极型晶体管非线性失真模型。模型包含8个参量:(1)有效基区展宽效应;(2)发射极电流集边效应;(3)基区电导调制效应;(4)发射结电阻的非线性效应;(5)发射结电容的非线性效应;(6)集电结电容的非线性效应;(7)寄... 详细信息

本文从器件物理和结构上提出双极型晶体管非线性失真模型。模型包含8个参量:(1)有效基区展宽效应;(2)发射极电流集边效应;(3)基区电导调制效应;(4)发射结电阻的非线性效应;(5)发射结电容的非线性效应;(6)集电结电容的非线性效应;(7)寄生电容的非线性效应;(8)电流放大系数和雪崩倍增效应与电压的非线性关系。利用Taylor级数展开分析各模型参数,并编制了计算程序,定量计算了互调失真与工作频率、发射极条宽、基区宽度、发射极线电流密度,基区掺杂浓度等重要参数的关系。计算结果与实验结果基本吻合。

关键词：晶体管失真非线性分析

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ZAO导电膜的制备与性能分析

功能材料 2011年第S4期42卷 688-690页

作者：刘德雄唐金龙温才胡思福西南科技大学理学院四川绵阳621010 电子科技大学四川成都610000

采用ZnO、Al2O3(2.5%(质量分数))靶材,真空腔温度保持在40℃左右,运用电子束蒸发法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、光学显微镜、紫外-可见近红外光谱仪、四探针测试仪等仪器对薄膜进行了测定。薄膜呈c轴择优取向的六... 详细信息

采用ZnO、Al2O3(2.5%(质量分数))靶材,真空腔温度保持在40℃左右,运用电子束蒸发法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、光学显微镜、紫外-可见近红外光谱仪、四探针测试仪等仪器对薄膜进行了测定。薄膜呈c轴择优取向的六角纤锌矿结构;具有致密平滑的表面形貌;最佳工艺下样品在702nm波长处透过率达90%;最低电阻率为1.7×10-3Ω.cm。

关键词： ZAO薄膜电子束蒸发 X射线衍射透射率电阻率

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双极RF功率管的深阱结终端

Journal of Semiconductors 2003年第4期24卷 396-400页

作者：周蓉胡思福李肇基张庆中电子科技大学微电子科学与工程系成都610054

给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传... 详细信息

给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传统终端结构器件高 14 % ;与传统结构相比 ,在不减小散热面积的情况下 ,该结构还减小集电结面积和漏电流 ,器件的截止频率提高 33% ,功率增益提高 1d

关键词：双极RF功率管深陆结终端击穿电压填充介质

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正名实责:民事检察和解的定位与实施

暨南学报（哲学社会科学版） 2024年第6期46卷 46-57页

作者：胡思博中国政法大学诉讼法学研究院最高人民检察院与中国政法大学共建检察基础理论研究基地

民事检察和解具有定分止争、维护审判权威和协助审判权实现、适度纠错与及时结案的功能。对于完全正确的生效判决和调解书、存在非重大性错误的生效判决及部分符合抗诉条件时的生效判决均可适用于民事检察和解。民事检察和解协议不具有... 详细信息

民事检察和解具有定分止争、维护审判权威和协助审判权实现、适度纠错与及时结案的功能。对于完全正确的生效判决和调解书、存在非重大性错误的生效判决及部分符合抗诉条件时的生效判决均可适用于民事检察和解。民事检察和解协议不具有强制执行力,不得损害原生效判决的既判力,当事人不自动履行时也不得作为另诉的依据。欲赋予民事检察和解协议强制执行力,则应将其纳入司法确认程序,通过人民法院以审判权加以确认。

关键词：民事检察监督民事检察和解判决既判力和解协议司法确认

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提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构

电子科技大学学报 1999年第3期28卷 259-261页

作者：周蓉胡思福张庆中电子科技大学微电子科学与技术系成都610054

研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同时，深阱终端结构在不减小散热面积的情况下，还大... 详细信息

研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同时，深阱终端结构在不减小散热面积的情况下，还大大减小了结面积，减小了漏电流，有助于改善器件的频率特性，提高器件的稳定性。

关键词：深阱终端雪崩击穿电压介质场板结构

明清时期的性别歧视:以江浙地区六个家族为例

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经济理论与经济管理 2024年第6期44卷 125-140页

作者：胡思捷王珏中国人民大学经济学院 100872

“消失女性”现象在中国由来已久,但关于历史时期“消失女性”的量化证据仍然比较缺乏。本文利用全新的族谱数据,重新估计了1350—1900年江浙地区六个家族中的性别歧视状况并分析了影响“消失女性”规模的因素。利用包括19516位父亲和6... 详细信息

“消失女性”现象在中国由来已久,但关于历史时期“消失女性”的量化证据仍然比较缺乏。本文利用全新的族谱数据,重新估计了1350—1900年江浙地区六个家族中的性别歧视状况并分析了影响“消失女性”规模的因素。利用包括19516位父亲和6000位女儿的两个独立样本,本文发现约有21.4%的女儿“消失”是因为溺女或父母忽视等人为因素造成的女性后代相比于男性后代的超额死亡,而还有47.5%的女儿“消失”是因为族谱记录对于女性的歧视而造成的漏记。本文同时发现,父亲的经济社会地位和受传统文化的影响程度,都与女儿是否能够被族谱记录、女儿在家庭子女总数中的比例以及女儿的婚配状况显著相关。

关键词：消失女性性别歧视传统文化明清时期族谱

飞秒纳秒脉冲激光微构造和掺杂单晶硅(英文)

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强激光与粒子束 2015年第2期27卷 228-234页

作者：温才李晓红贺小庆段晓峰邱荣刘德雄唐金龙胡思福西南科技大学理学院极端条件物质特性联合实验室四川绵阳621010 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室北京100190 电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054

在SF6气氛下,分别利用钛宝石飞秒脉冲激光与掺钕钇铝石榴石纳秒脉冲激光对单晶硅表面进行了微构造和重掺杂,以用于光伏材料。对制备的单晶硅表面微结构的形貌、结晶性和硫元素杂质含量与分布进行了研究。实验结果表明纳秒脉冲激光制备... 详细信息

在SF6气氛下,分别利用钛宝石飞秒脉冲激光与掺钕钇铝石榴石纳秒脉冲激光对单晶硅表面进行了微构造和重掺杂,以用于光伏材料。对制备的单晶硅表面微结构的形貌、结晶性和硫元素杂质含量与分布进行了研究。实验结果表明纳秒脉冲激光制备的单晶硅表面微结构的薄层电阻较小,缺陷密度较低(结晶性高),硫元素杂质含量较高且在表面分布的范围较广,深度较大(约1μm)。此外,材料的可见-近红外波段吸收率可接近80%。基于纳秒脉冲激光微构造的单晶硅的优异性能,在样品表面制备了有效光照面积达8cm2的太阳能电池。其中,最佳太阳能电池的串联电阻、开路电压、短路电流密度分别为0.5Ω,503mV,35mA/cm2,转换效率约12%。上述太阳能电池性能还可通过优化制备工艺进一步提高。

关键词：硅飞秒脉冲激光纳秒脉冲激光微构造掺杂太阳能电池