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200V高压大电流VDMOS的研制

固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 85-89页

作者：胡佳贤韩雁张世峰张斌宋波浙江大学微电子与光电子研究所杭州310027

介绍了自主研制的200 V/40 A VDMOS晶体管的设计优化过程及研制结果。该器件采用JFET注入和浅P-body方法降低导通电阻,提高电流密度,采用优化的N掺杂硅外延材料优化导通电阻和击穿电压。测试结果表明击穿电压高于215 V,特征导通电阻1.2... 详细信息

介绍了自主研制的200 V/40 A VDMOS晶体管的设计优化过程及研制结果。该器件采用JFET注入和浅P-body方法降低导通电阻,提高电流密度,采用优化的N掺杂硅外延材料优化导通电阻和击穿电压。测试结果表明击穿电压高于215 V,特征导通电阻1.2Ω.mm2,导通电流可达40 A;同时设计了ESD防护,HBM值7.5 kV;芯片总面积小于31.25 mm2,可采用TO220封装。

关键词：垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管大电流导通电阻结型场效应区注入静电防护

一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现

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固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 436-440页

作者：韩成功郭清韩雁张斌张世峰胡佳贤浙江大学微电子与光电子研究所杭州310027

对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process c... 详细信息

对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。

关键词：高压P沟道金属氧化物场效应晶体管半导体工艺及器件模拟工具等离子扫描驱动芯片双极-互补金属氧化物场效应晶体管-双扩散金属氧化物场效应晶体管工艺

呼吸功能训练结合系统护理干预对慢性阻塞性肺气肿老年患者生活质量及肺功能的影响

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现代养生 2024年第20期24卷 1581-1583页

作者：胡佳贤狄红叶江苏省常州市第三人民医院

目的探讨呼吸功能训练结合系统护理干预对慢性阻塞性肺气肿老年患者生活质量及肺功能的影响。方法选取2022年9月-2023年9月医院收治的老年慢性阻塞性肺气肿患者80例作为研究对象，根据组间性别、年龄等基线资料均衡可比原则，采用随... 详细信息

目的探讨呼吸功能训练结合系统护理干预对慢性阻塞性肺气肿老年患者生活质量及肺功能的影响。方法选取2022年9月-2023年9月医院收治的老年慢性阻塞性肺气肿患者80例作为研究对象，根据组间性别、年龄等基线资料均衡可比原则，采用随机数字表法分为对照组和观察组，每组各40例。对照组给予常规护理干预，观察组实施系统护理干预，两组患者均积极开展呼吸功能训练。护理干预后比较两组患者的肺功能指标及生活质量。结果护理干预前，两组患者用力肺活量（FVC）、第1秒用力呼气容积（FEV1）等肺功能指标差异均无统计学意义（P>0.05）；干预后，两组患者FVC、FEV1等指标均升高，但观察组患者FVC、FEV1等指标均高于对照组，差异均有统计学意义（P0.05）；干预后，两组患者生活质量评分均升高，但观察组患者生活质量评分高于对照组，差异有统计学意义（P<0.05）。结论呼吸功能训练联合系统护理干预可以促进慢性阻塞性肺气肿老年患者肺功能改善，提升生活质量。

关键词：呼吸功能训练系统护理干预慢性阻塞性肺气肿老年生活质量肺功能

Off-state avalanche breakdown induced degradation in 20 V NLDMOS devices

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Journal of Semiconductors 2010年第9期31卷 37-40页

作者：张世锋丁扣宝韩雁韩成功胡佳贤张斌 Institute of Microelectronics & Photoelectronics Zhejiang University

Degradation behaviors of 20 V NLDMOS operated under off-state avalanche breakdown conditions are presented.A constant current pulse stressing test is applied to the *** different degradation mechanisms are identified by analysis of electrical data,technology computer-aided design（TCAD） simulations and charge pumping *** first mechanism is attributed to positive oxide-trapped charges in the N-type drift region,and the second one is due to decreased electron mobility upon interface state formation in the drift *** of the mechanisms are enhanced with increasing avalanche breakdown current.

关键词： NLDMOS avalanche breakdown degradation charge-pumping

Hot-carrier-induced on-resistance degradation of step gate oxide NLDMOS

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Journal of Semiconductors 2010年第12期31卷 49-53页

作者：韩雁张斌丁扣宝张世峰韩成功胡佳贤朱大中 Institute of Microelectronics & Photoelectronics Zhejiang University

The hot-carrier-induced on-resistance degradations of step gate oxide NLDMOS （SG-NLDMOS） transistors are investigated in detail by a DC voltage stress experiment, a TCAD simulation and a charge pumping test. For different stress conditions, degradation behaviors of SG-NLDMOS transistors are analyzed and degradation mechanisms are presented. Then the effect of various doses of n-type drain drift （NDD） region implant on Ron degradation is investigated. Experimental results show that a lower NDD dosage can reduce the hot-carrier induced Ron degradation effectively, which is different from uniform gate oxide NLDMOS （UG-NLDMOS） transistors.

关键词： SG-NLDMOS Ron degradation charge-pumping interface state positive oxide-trapped charge

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GK2区块表面活性剂驱油可行性研究

内蒙古石油化工 2013年第7期39卷 127-128页

作者：欧阳冬詹兆文胡佳贤中石化西北油田分公司工程技术研究院新疆乌鲁木齐830011 中石化西北油田分公司塔河采油三厂新疆库尔勒841600

本文针对塔河油田碎屑岩油藏高温高盐的特点,对GK2区块进行化学驱提高采收率的可行性进行了充分的论证,得出GK2区块适合耐温抗盐表活剂驱油的结论。通过大量的室内实验,先从表活剂的性能筛选与评价着手,又经过岩心驱油实验验证,提高采收... 详细信息

本文针对塔河油田碎屑岩油藏高温高盐的特点,对GK2区块进行化学驱提高采收率的可行性进行了充分的论证,得出GK2区块适合耐温抗盐表活剂驱油的结论。通过大量的室内实验,先从表活剂的性能筛选与评价着手,又经过岩心驱油实验验证,提高采收率16%。GK2区块表面活性剂驱油是可行的。

关键词：表面活性剂驱油提高采收率可行性研究

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高压VDMOS结终端技术研究

高压VDMOS结终端技术研究

城市更新背景下拆除重建和综合整治城中村改造实施效果评价与比较分析——基于村民和租户的视角

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：胡佳贤韩雁张世峰张斌韩成功浙江大学微电子与光电子研究所

功率VDMOSFET由于其优异特性而被广泛地应用于开关电源、汽车电子等领域,是功率器件的主流产品之一。功率VDMOS器件由于终端pn结的曲率效应,其高压阻断能力受到限制,为了提高高压阻断能力,结终端技术被广泛采用,是现代功率器件的关键技... 详细信息

功率VDMOSFET由于其优异特性而被广泛地应用于开关电源、汽车电子等领域,是功率器件的主流产品之一。功率VDMOS器件由于终端pn结的曲率效应,其高压阻断能力受到限制,为了提高高压阻断能力,结终端技术被广泛采用,是现代功率器件的关键技术之一。首先简要介绍了各种VDMOS结终端技术及其最新研究和发展,然后介绍了自行研制的拟量产的200 V/40 A、特征导通电阻1.2Ω·mm、带ESD防护的VDMOS晶体管的终端结构的理论设计、仿真结果及实际流片测试结果;器件采用17μm,5Ω·mm外延层进行流片,测试结果表明耐压达到215 V以上,说明了终端结构的设计是成功的。

关键词： VDMOS 结终端场限环场板导通电阻

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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自然资源学报 2025年第1期 211-230页

作者：赖亚妮郑耀贤深圳大学土木与交通工程学院

构建基于实际—期望差距理论和社会满意度理论的城中村改造居民满意度评价体系，运用结构方程模型对深圳市18个城中村进行实证分析，探究村民和租户对城中村综合整治及拆除重建的满意度影响机制。结果表明：（1）村民对拆除重建的满意... 详细信息

构建基于实际—期望差距理论和社会满意度理论的城中村改造居民满意度评价体系，运用结构方程模型对深圳市18个城中村进行实证分析，探究村民和租户对城中村综合整治及拆除重建的满意度影响机制。结果表明：（1）村民对拆除重建的满意度高于综合整治，主要影响因素为经济补偿与参与权利；（2）租户对综合整治的满意度高于村民，引起差异的影响因素有参与权利、住房邻里环境；（3）物业统租模式对于租户满意度的提升作用更明显，村民则可能更青睐于非物业统租模式，主要影响因素包括居住环境、收支变化、参与权利等。基于此提出优化建议：（1）借鉴拆除重建政策，建立健全综合整治维护居民权利的政策及标准，充分考虑村民和租户在城中村改造过程机制中的权利落实，做到期前改造科普宣传工作规范化，期后建立改造意见反馈机制；（2）全面评估城中村现状，因地制宜探索合适的改造模式，鼓励“订单式”和“菜单式”改造并行开发；（3）政府应发挥政策统筹优势，积极与租赁市场联动，解决低成本居住空间缺失问题，形成长效稳定的改造联动住房供应体系。

关键词：城中村改造居民满意度综合整治拆除重建结构方程模型

人工智能文生视频大模型Sora对科技伦理的冲击及应对

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新疆师范大学学报（哲学社会科学版） 2025年第1期46卷 142-148页

作者：曹贤平南昌工程学院马克思主义学院江西南昌330099

Sora的推出是人类社会发展和人工智能进步的标志性事件,凸显出生成式人工智能的强大功能。Sora的爆火离不开规模化数据、先进算法和规模化算力,其内在运行机制紧扣文本输入、文本编码、视频生成和视频输出的基本逻辑,在人类社会具有广... 详细信息

Sora的推出是人类社会发展和人工智能进步的标志性事件,凸显出生成式人工智能的强大功能。Sora的爆火离不开规模化数据、先进算法和规模化算力,其内在运行机制紧扣文本输入、文本编码、视频生成和视频输出的基本逻辑,在人类社会具有广阔应用前景。但Sora在技术更迭和运用过程中可能给科技伦理带来诸如冲击人的主体性地位、导致人们认知的混乱性、冲击伦理规则的适用性、冲击数字隐私伦理并造成数字歧视等风险。因此,要坚持以人为本,运用技术手段增强Sora的数据筛选力度和敏捷治理效度,防止数据泄露和侵犯隐私,进行伦理设计实现科技伦理与时俱进,辅之必要的教育培训,以此提升全民运用人工智能技术的能力。

关键词： Sora 生成式人工智能科技伦理