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核技术 1993年第3期16卷 142-155页

作者：缴桂跃北京师范大学分析测试中心北京100875

球面电离器的采用使溅射区域缩小到直径～0.75mm;用3根远离溅射区的瓷柱取代原来绝缘阴极的瓷环,可使溅射电压在10kV以内稳定工作。这些改进措施使860A的部分负离子品种的流强提高了近300％,传输效率得以提高,从而为2×1.7MV串列加速器... 详细信息

球面电离器的采用使溅射区域缩小到直径～0.75mm;用3根远离溅射区的瓷柱取代原来绝缘阴极的瓷环,可使溅射电压在10kV以内稳定工作。这些改进措施使860A的部分负离子品种的流强提高了近300％,传输效率得以提高,从而为2×1.7MV串列加速器进行大注量高能离子注入改善了条件。

关键词：溅射离子源电离器束流强度

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透射型表面电离源的研制

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核技术 1995年第2期18卷 112-116页

作者：缴桂跃北京师范大学

以镍或铂等高功函数金属网为电离材料制成了间接加热式球形表面电离器，用于溅射型负离子源中．正铯离子流达到ｍＡ级，被溅射的负离子流（如Ｐ－）分析后可达５０—６０μＡ。透气的电离表面增加了铯蒸汽的流量，避免了流动缓慢区的形... 详细信息

以镍或铂等高功函数金属网为电离材料制成了间接加热式球形表面电离器，用于溅射型负离子源中．正铯离子流达到ｍＡ级，被溅射的负离子流（如Ｐ－）分析后可达５０—６０μＡ。透气的电离表面增加了铯蒸汽的流量，避免了流动缓慢区的形成，并减少了污染．

关键词：表面电离源镍网铯通量铂网透射型

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环形单针双束流截面测量技术

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核技术 1994年第12期17卷 746-748页

作者：缴桂跃北京师范大学

利用一个三维环形探针对离子束进行旋转扫描，可以同时测量到两个束流截面的大小和位置，估算出二截面附近的聚焦梯度以及束腰的移动。

关键词：束流截面测量仪半径波形半宽度扫描器束流

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表面电离的计算与测量

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核技术 1993年第12期16卷 743-746页

作者：缴桂跃北京师范大学北京100875

通过对电离度和表面正离子流密度的计算以及对靶电流和负离子流的测量,对诸如钽、铁、钨、镍、铼和铂等高功函数金属表面的电离效率进行比较研究后表明:铁作为一种普通金属同样是较好的电离材料,并对影响表面电离的温度、铯蒸汽压力以... 详细信息

通过对电离度和表面正离子流密度的计算以及对靶电流和负离子流的测量,对诸如钽、铁、钨、镍、铼和铂等高功函数金属表面的电离效率进行比较研究后表明:铁作为一种普通金属同样是较好的电离材料,并对影响表面电离的温度、铯蒸汽压力以及表面功函数进行了讨论。

关键词：表面电离计算测量

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旋转式单针双截面束流扫描仪

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北京师范大学学报（自然科学版） 1994年第1期30卷 78-80页

作者：缴桂跃王文勋北京师范大学分析测试中心

采用三维环形旋转探针对离子束进行扫描，可以探测到２个束流截面的大小和位置；还可以由二截面参数的比较估算出附近的聚集梯度。该装置能够比较全面地反映束流的特性。

关键词：束流截面测量仪扫描仪加速器

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GIC－4117／HC1．7MV Tandetron上的MeV离子注入系统

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原子能科学技术 1995年第6期29卷 494-499页

作者：缴桂跃王文勋王广甫董平北京师范大学分析测试中心

利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶＴａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上... 详细信息

利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶＴａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。

关键词： MeV级离子注入串列加速器离子源负离子源

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铯溅射型负离子源中Cs~+离子产额的实验研究

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北京师范大学学报（自然科学版） 1994年第2期30卷 207-211页

作者：缴桂跃姬成周王文勋北京师范大学分析测试中心北京师范大学低能核物理研究所

通过电离表面的痕量分析和Ｃｓ＾＋离子产额的测量，研究了功函数、表面温度及铯通量等因素对铯溅型负离子源表面电离效率的影响。结合Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｓａｈａ表面电离理论，提示Ｃｓ＾＋离子产额饱和的原因。提出一项改进措施－－... 详细信息

通过电离表面的痕量分析和Ｃｓ＾＋离子产额的测量，研究了功函数、表面温度及铯通量等因素对铯溅型负离子源表面电离效率的影响。结合Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｓａｈａ表面电离理论，提示Ｃｓ＾＋离子产额饱和的原因。提出一项改进措施－－透射型表面电离源，就其性能进行了讨论。

关键词：铯溅射型负离子源铯离子产额

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透射表面电离生成正离子的解析模拟

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北京师范大学学报（自然科学版） 1995年第3期31卷 334-337页

作者：缴桂跃姬成周王广甫北京师范大学分析测试中心北京师范大学低能核物理研究所

基于Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｓａｈａ表面电离理论，推演一适用于透射表面电离过程的解析模型，包括系统导流系数的解析表述，中性粒子流密度公式的修正，空间电荷影响下的电离几率等，并给出了与透射型表面电离源实验结果的比较。

关键词：透射表面电离电离几率俘获几率正离子电离势

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相位时机到边技术

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游泳 2008年第6期 19-23页

作者：缴桂跃

在冲刺阶段，人们一般会采取增加划水频率的方法来提高速度。这样一来，途中游的节奏有可能被打乱，十有八九会在最后时刻出现仅差半个划臂到边的情况。

关键词：相位技术冲刺阶段高速度频率

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流体力学阻力方程

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游泳 2017年第3期 88-89页

作者：缴桂跃

游泳实践中的许多问题，进步也好，困惑也罢，几乎都能够从流体力学阻力方程中找到解答，可以说它带给游泳人的启示是全方位的。

关键词：流体力学方程阻力游泳

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