检索结果-南通市图书馆

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

长波红外用准相位匹配材料研究进展

人工晶体学报 2020年第8期49卷 1397-1404,1442页

作者：王健程红娟高彦昭中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

8~12μm长波红外波段激光在红外对抗系统、测距和瞄准系统、痕量气体监测、频谱分析和无线通信等多个领域具有重要的应用价值。随着红外固体激光器的波长不断向长波长扩展,急需长波红外非线性光学材料。但是CdSe、GaSe、ZnGeP2、AgGaSe2... 详细信息

8~12μm长波红外波段激光在红外对抗系统、测距和瞄准系统、痕量气体监测、频谱分析和无线通信等多个领域具有重要的应用价值。随着红外固体激光器的波长不断向长波长扩展,急需长波红外非线性光学材料。但是CdSe、GaSe、ZnGeP2、AgGaSe2、LiInSe2、CdGeAs2、BaGa4Se7等非线性光学晶体受长波红外透过率、非线性系数、热导率、泵浦源波长的影响,而通过发展OP-GaAs、OP-GaP、OP-ZnSe等性能优异的准相位匹配材料来实现长波激光输出有望克服上述材料的缺点。本文主要对长波红外用准相位匹配材料进行梳理,分别从材料性能、制备技术,以及激光应用等方面综述它们的研究进展并对其应用潜质和技术瓶颈进行分析。

关键词：准相位匹配键合法取向图案化氢化物气相外延法取向图案化砷化镓

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

金属熔体的在线检测技术

有色金属（冶炼部分） 1997年第5期 36-37,46页

作者：万雅竞程红娟冶金部自动化研究院

利用冶金传感器与计算机技术相结合，实现在线定量、直观地检测有色金属熔体中的氧含量、气体和温度。本文重点阐述了该技术的研究、开发及应用现状。

关键词：熔体温度在线检测成分冶炼铸造有色金属

SiC籽晶上生长AlN单晶的杂质组成及处理

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硅酸盐学报 2019年第1期47卷 27-32页

作者：张丽齐海涛程红娟金雷史月增中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

采用物理气相传输法在SiC异质籽晶上制备了AlN单晶。通过Raman光谱仪、X射线衍射仪、二次离子质谱仪和X射线光电子能谱研究了AlN单晶的结晶质量和杂质成分,针对不同的杂质成分提出了相应的处理方式。结果表明:C、O为AlN单晶中的主要杂... 详细信息

采用物理气相传输法在SiC异质籽晶上制备了AlN单晶。通过Raman光谱仪、X射线衍射仪、二次离子质谱仪和X射线光电子能谱研究了AlN单晶的结晶质量和杂质成分,针对不同的杂质成分提出了相应的处理方式。结果表明:C、O为AlN单晶中的主要杂质元素,其中C元素为非故意掺杂,与AlN单晶的生长环境密切相关,随着生长晶体厚度的增加,C杂质元素的含量逐渐降低。而O元素除了源粉和生长系统中吸附氧外,还与抛光过程中形成的氧化物层有关;经腐蚀和退火处理,AlN表面氧化物的含量大幅降低,N/Al摩尔比接近1;经杂质处理后的AlN单晶片可作为同质生长的籽晶。

关键词：氮化铝单晶碳化硅籽晶杂质组成杂质处理

SiC晶片双面和单面抛光相结合的化学机械抛光

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

微纳电子技术 2020年第6期57卷 503-508页

作者：高飞李晖程红娟中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

以碳化硅(SiC)晶片为加工对象,提出了双面化学机械抛光和单面化学机械抛光相结合的抛光方法。先在双面抛光机上对SiC晶片硅面和碳面同时进行化学机械抛光,然后采用单面抛光机对硅面进行化学机械抛光。研究了此方法加工碳化硅晶片的特点... 详细信息

以碳化硅(SiC)晶片为加工对象,提出了双面化学机械抛光和单面化学机械抛光相结合的抛光方法。先在双面抛光机上对SiC晶片硅面和碳面同时进行化学机械抛光,然后采用单面抛光机对硅面进行化学机械抛光。研究了此方法加工碳化硅晶片的特点,对比分析了采用此方法与传统单面抛光加工晶片的几何参数。采用表面缺陷测试仪和原子力显微镜检测加工晶片的表面形貌。结果表明,双面抛光5 h后,碳面无划痕,表面粗糙度达到0.151 nm,硅面则存在较多浅划痕,表面出现了一些类似台阶的结构;采用单面抛光工艺对硅面抛光1 h后即可获得具有规则排列原子台阶构型、无划痕的表面;与传统的单面抛光工艺相比,此方法加工晶片的几何参数优异,其中总厚度变化(TTV)值小于1.5μm,局部厚度变化(LTV)值小于0.6μm,翘曲度一致性好。

关键词：碳化硅(SiC) 化学机械抛光(CMP) 单面抛光双面抛光几何参数表面缺陷测试仪

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硒化镉晶体生长及性能表征

压电与声光 2016年第3期38卷 427-429页

作者：张颖武李晖程红娟中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

硒化镉(CdSe)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。采用气相法生长出CdSe晶体材料,结合晶体生长动力学研究了CdSe单晶生长速率,并对其晶体结构和光学性能进行了表征。Raman测试表明生长的CdSe晶体为纤锌矿结构,属于极性材料。XRD测试表... 详细信息

硒化镉(CdSe)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。采用气相法生长出CdSe晶体材料,结合晶体生长动力学研究了CdSe单晶生长速率,并对其晶体结构和光学性能进行了表征。Raman测试表明生长的CdSe晶体为纤锌矿结构,属于极性材料。XRD测试表明单晶生长面为(001)面,衍射峰的半高宽较小。光学性能测试表明,CdSe材料在近红外波段内具有较好的光学透过特性。

关键词：硒化镉(CdSe) 晶体拉曼(Raman) X线衍射(XRD)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

DAST源粉表征与晶体制备

微波学报 2015年第S1期31卷 105-107页

作者：庞子博孟大磊窦瑛程红娟徐永宽中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

通过X射线粉末衍射、核磁共振波谱法对制得的DAST源粉进行表征,确证其分子结构并计算出源粉纯度为99.7%。然后使用该DAST源粉配制其甲醇溶液,并利用溶液降温法通过自发成核过程培养出尺寸为(2~3)mm×(2~3)mm×(0.3~0.5)mm的DAST晶体。

关键词：太赫兹 DAST 表征晶体

SiC单晶生长界面形状计算机模型的建立及验证

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2015年第11期40卷 850-855页

作者：窦瑛程红娟孟大磊中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

利用多物理场耦合模拟软件研究了3英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅(Si C)单晶生长中感应线圈位置对单晶生长系统温度场的影响。分析了感应线圈位置变化对晶体表面径向温度、晶体内部轴向温度以及晶体生长界面形状的影响。同时分析了不同生长... 详细信息

利用多物理场耦合模拟软件研究了3英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅(Si C)单晶生长中感应线圈位置对单晶生长系统温度场的影响。分析了感应线圈位置变化对晶体表面径向温度、晶体内部轴向温度以及晶体生长界面形状的影响。同时分析了不同生长时期晶体的界面形状和各向温差的变化规律,建立了3英寸Si C单晶生长界面形状计算机模型,进而将计算机模拟得到的晶体界面形状与单晶生长对照实验获得晶体的界面形状相对比,验证了该模型的可靠性。以此为依据,优化了单晶生长工艺参数,获得了理想的适合3英寸Si C单晶生长的温度场,并成功获得了高质量的3英寸Si C单晶。

关键词：数值模拟 SiC单晶温度场线圈位置生长界面形状

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

稳态条件下气溶胶粒子在口腔模型中的沉淀率

应用力学学报 2007年第2期24卷 196-199页

作者：程红娟张连众张陈兵许照锦叶建南开大学天津300071

以实际人体解剖学数据为基础,利用流体力学软件构建了口腔模型。由于口腔形状不规则,流场中会有湍流产生,所以本文选用的是k-ω方程。在此基础上,假设吸入空气流量为一个常量,改变吸入气体、气溶胶粒子的物理参数,以调整St数的变化,模... 详细信息

以实际人体解剖学数据为基础,利用流体力学软件构建了口腔模型。由于口腔形状不规则,流场中会有湍流产生,所以本文选用的是k-ω方程。在此基础上,假设吸入空气流量为一个常量,改变吸入气体、气溶胶粒子的物理参数,以调整St数的变化,模拟不同情况下气溶胶粒子运动情况。由模拟结果可知:气溶胶粒子在口腔中的沉淀率受粒子半径、密度、及流速的影响,并随这些量的增加而增加;沉淀率可以视作St数的函数,并随St数的增加而增加;气溶胶粒子在口腔中的沉淀分布受模型几何形状和湍流的影响,在喉部附近沉淀较为明显;粒子在口腔中将沿怎样的轨迹运动则取决于粒子在入口处的初始位置。

关键词：气溶胶口腔模型沉淀率湍流

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

GaSb晶片钝化工艺对抛光表面的影响

压电与声光 2016年第5期38卷 808-810页

作者：卢伟涛程红娟张弛高飞中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

锑化镓(GaSb)作为常用的III-V型半导体材料,因其易于氧化的性质而限制了其应用效果,而硫钝化是一种常见而有效的应对手段。该文选取了硫化铵溶液,对化学机械抛光后的晶片表面进行处理,以研究硫钝化工艺中钝化时间对抛光面的影响。实验... 详细信息

锑化镓(GaSb)作为常用的III-V型半导体材料,因其易于氧化的性质而限制了其应用效果,而硫钝化是一种常见而有效的应对手段。该文选取了硫化铵溶液,对化学机械抛光后的晶片表面进行处理,以研究硫钝化工艺中钝化时间对抛光面的影响。实验结果通过原子力显微镜(AFM)和X线光电子能谱(XPS)进行了表征,研究发现,经硫化铵溶液处理后,与Ga相比,Sb的硫化程度更完全,且该程度会随着硫化时间的延长而逐渐加大。另外,处理时间长会加重GaSb晶片表面的腐蚀,使其表面起伏加剧,表面粗糙度增大。

关键词：锑化镓(GaSb) 化学机械抛光硫钝化原子力显微镜(AFM) X线光电子能谱(XPS)