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作者

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  • 74 篇 邹积岩
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  • 2 篇 韦伦存
  • 2 篇 王付战

语言

  • 149 篇 中文
检索条件"作者=程礼椿"
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论接触电阻模型与应用问题
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高压电器 1993年 第2期29卷 34-40页
作者： 程礼椿 华中理工大学 武汉 430074
讨论了接触电阻的物理机理,引用几个典型的理论模型,探讨了应用中存在的问题,结合高压电器当前的发展,指出了接触电阻模型今后的研究方向。
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纵磁真空灭弧室内电弧形态及其转变
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高压电器 1994年 第5期30卷 19-26页
作者： 程礼椿 华中理工大学 武汉430074
从灭弧室实际开断情况出发,阐述了起始收缩型电弧转变成扩散型电弧的条件与机理,并引用美国西屋公司近期的实验研究结果加以分析讨论;最后介绍了设计纵磁触头所需的临界磁场计算公式.
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日本真空灭弧室近期发展动向
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高压电器 1993年 第1期29卷 28-33页
作者： 程礼椿 华中理工大学 武汉430074
1992年9月6～10日,第15届真空放电与绝缘国际会议在德国Darmstadt举行。会上,日本东芝公司的代表就日本真空灭弧室近期发展情况提出报告。报告内容包括:在小尺寸灭弧室中阳极斑点的新机理;小电流和过电压的新研究;低过电压和高耐压触头... 详细信息
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横磁触头真空灭弧室中收缩型电弧的运动与形态转变
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高压电器 1990年 第2期26卷 16-21页
作者： 程礼椿 华中理工大学
本文论述了横磁触头真空灭弧室开断实际短路电流时的零前过程,开断电弧的一般特性,着重介绍了起始金属桥爆炸引燃的收缩型电弧的停滞现象,收缩型电弧的运动特性及其转变成扩散型电弧的条件等问题。
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横磁触头真空灭弧室内的电弧运动与液滴喷溅
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高压电器 1994年 第4期30卷 18-23页
作者： 程礼椿 华中理工大学 武汉430074
根据横磁触头真空灭弧室内电弧运动与液滴喷溅两大基础现象论述其产生机理,并对近年国外的实验研究结果加以分析讨论,供国内设计制造和使用部门的技术人员参考.
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真空断路器弧后延时重击穿现象
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高压电器 1992年 第2期28卷 13-21页
作者： 程礼椿 邹积岩 华中理工大学 武汉430074
真空断路器弧后延时重击穿现象关系到它的运行可靠性和可能引起危险的过电压,本文引用最近国外的研究结果探讨产生此现象的机理和应采取的对策。
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引起真空灭弧室击穿的面积效应的统计描述
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高压电器 1996年 第5期32卷 6-8页
作者： 何俊佳 邹积岩 程礼椿 华中理工大学 武汉430074
以存在于电极表面的击穿弱点为基础,在考虑了击穿弱点在电极表面的分布后,分别对均匀场和不均匀场两种情况下,真空灭弧室绝缘击穿的统计特性进行了分析,定量地给出了电极面积的变化对击穿概率的影响、即所谓的面积效应,导出了击穿累积... 详细信息
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Cu-Cr触头材料添加第3种成分后的工频和高频真空电弧熄灭特性
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高压电器 1991年 第2期27卷 35-40页
作者： 程礼椿 华中理工大学
本文介绍德国Braunschweig工业大学对真空断路器触头材料性能的优化问题所作的研究,文中,作者对他们的研究结果作了适当的分析和评论。
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纵磁真空灭弧室的临界磁场
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高压电器 1995年 第5期31卷 44-46,59页
作者： 程礼椿 华中理工大学 武汉430074
简要介绍了美国西屋公司最近研究获得的纵磁真空灭弧室交流临界纵磁经验公式,它对于设计灭弧室纵磁触头结构有重要的参考价值。
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日本高压GIS近期发展
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高压电器 1994年 第6期30卷 56-59页
作者： 程礼椿 华中理工大学 武汉430074
介绍日本高压SF_6.全封闭组合电器(GIS)的近期发展.以东芝公司开发的550kV—8000A的GIS设备和GIB母线为例,简述其研究与发展内容.
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