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栅网与偏压对CHF_3电子回旋共振放电等离子体特性的影响

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物理学报 2003年第7期52卷 1802-1807页

作者：叶超杜伟宁兆元程珊华苏州大学物理系苏州215006

研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积系统中栅网的增加和栅网上施加 +6 0V和 - 6 0V偏压对CHF3放电等离子体特性的影响 .发现在低微波功率下栅网与偏压对等离子体中基团分布的影响较大 ,而高微波功率下的影响逐渐减小 .这是由... 详细信息

研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积系统中栅网的增加和栅网上施加 +6 0V和 - 6 0V偏压对CHF3放电等离子体特性的影响 .发现在低微波功率下栅网与偏压对等离子体中基团分布的影响较大 ,而高微波功率下的影响逐渐减小 .这是由于低微波功率下等离子体中电子温度较低 ,基团的分布同时受栅网鞘电场和电子碰撞分解的共同作用 ;而高微波功率下电子温度较高 ,栅网鞘电场的作用减弱。

关键词：电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积系统栅网偏压薄膜沉积技术 PECVD ECR CHF3放电等离子体特性

射频磁控溅射沉积的ZnO薄膜的光致发光中心与漂移

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物理学报 2004年第3期53卷 867-870页

作者：李伙全宁兆元程珊华江美福苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室苏州215006

利用射频磁控溅射法在n型单晶硅衬底上制备了ZnO薄膜 .通过改变源气体中氩气和氧气的流量比制备了具有不同化学计量比的ZnO薄膜 ,并且将它们在真空中作了加热后处理来研究ZnO薄膜的光致发光特性 .这些在常温衬底上沉积的薄膜可发出强的... 详细信息

利用射频磁控溅射法在n型单晶硅衬底上制备了ZnO薄膜 .通过改变源气体中氩气和氧气的流量比制备了具有不同化学计量比的ZnO薄膜 ,并且将它们在真空中作了加热后处理来研究ZnO薄膜的光致发光特性 .这些在常温衬底上沉积的薄膜可发出强的蓝光 ,其峰位会随氧流量的减少而发生红移 .

关键词：氧化锌薄膜射频磁控溅射沉积光致发光退火处理蓝光发射禁带宽度光谱红移

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真空退火对氟化非晶碳薄膜结构的影响

物理学报 2002年第6期51卷 1383-1387页

作者：黄峰程珊华宁兆元杨慎东叶超苏州大学物理系苏州215006

在苯 (C6H6)和四氟化碳 (CF4)混合气体中 ,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术 (ECR CVD)在不同功率下制备了氟化非晶碳膜 (a C :F) ,为了检测膜的热稳定性对其进行了真空退火处理 ,测量了退火前后膜厚的变化率 ,并用傅里叶变... 详细信息

在苯 (C6H6)和四氟化碳 (CF4)混合气体中 ,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术 (ECR CVD)在不同功率下制备了氟化非晶碳膜 (a C :F) ,为了检测膜的热稳定性对其进行了真空退火处理 ,测量了退火前后膜厚的变化率 ,并用傅里叶变换红外吸收光谱 (FTIR)研究了其结构的变化 .结果表明 ,膜厚变化率与沉积功率有关 ;40 0℃退火后低功率下沉积的膜的结构变化显著 ,高功率下沉积的膜则呈现了较好的热稳定性 .

关键词：氟化非晶碳薄膜结构 ECR-CVD a-C:F薄膜真空退火超大规模集成电路

电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积a-CF_x薄膜的化学键结构

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物理学报 2001年第3期50卷 566-571页

作者：宁兆元程珊华叶超苏州大学物理系苏州215006

使用CHF3 和C6H6混合气体做气源 ,在一个电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积装置中制备了氟化非晶碳 (a CFx)薄膜 .利用发射光谱研究了等离子体中形成的各种碳氟、碳氢基团随放电宏观参量的变化规律 ,对薄膜做了傅里叶变换红外光... 详细信息

使用CHF3 和C6H6混合气体做气源 ,在一个电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积装置中制备了氟化非晶碳 (a CFx)薄膜 .利用发射光谱研究了等离子体中形成的各种碳氟、碳氢基团随放电宏观参量的变化规律 ,对薄膜做了傅里叶变换红外光谱和X射线光电子能谱分析 ,证实等离子体中的CF2 ,CF和CH基团是控制薄膜生长、碳

关键词：氟化非晶碳薄膜电子回旋共振等离子体沉积速率化学键结构

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a-C:F薄膜的热稳定性与光学带隙的关联

物理学报 2002年第6期51卷 1321-1325页

作者：杨慎东宁兆元黄峰程珊华叶超苏州大学物理系苏州215006

以CF4和C6H6的混合气体作为气源 ,在微波电子回旋共振化学气相沉积 (ECR CVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜 (a C :F) ,并在N2 气氛中作了退火处理以考察其热稳定性 .通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对... 详细信息

以CF4和C6H6的混合气体作为气源 ,在微波电子回旋共振化学气相沉积 (ECR CVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜 (a C :F) ,并在N2 气氛中作了退火处理以考察其热稳定性 .通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对含量和光学带隙 ,发现膜中CC键含量与光学带隙之间存在着密切的关联 ,在高微波功率下沉积的氟化非晶碳膜具有低的光学带隙和较好的热稳定性 .

关键词： a-C:F薄膜氟化非晶碳膜光学带隙退火温度热稳定性超大规模集成电路

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氟化非晶碳薄膜的光学带隙分析

物理学报 2002年第11期51卷 2640-2643页

作者：叶超宁兆元程珊华王响英苏州大学物理系苏州215006 苏州大学基础医学系苏州21500

研究了CHF3 C6 H6 沉积的氟化非晶碳 (α C∶F)薄膜的光学带隙 .发现α C∶F薄膜光学带隙的大小取决于薄膜中C—F ,CC的相对含量 .这是由于CC形成的窄带隙π键和C—F形成的宽带隙σ键含量的相对变化 ,改变了带边态密度分布的结果 .在... 详细信息

研究了CHF3 C6 H6 沉积的氟化非晶碳 (α C∶F)薄膜的光学带隙 .发现α C∶F薄膜光学带隙的大小取决于薄膜中C—F ,CC的相对含量 .这是由于CC形成的窄带隙π键和C—F形成的宽带隙σ键含量的相对变化 ,改变了带边态密度分布的结果 .在微波功率为 1 4 0— 70 0W、沉积气压为 0 1— 1 0Pa、源气体CHF3 ∶C6 H6 流量比为 1∶1— 1 0∶1条件下沉积的α C∶F薄膜 ,光学带隙在 1 76— 3

关键词：氟化非晶碳薄膜光学带隙键结构 α-C:F薄膜

微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法沉积氟化非晶碳薄膜的研究

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物理学报 2001年第4期50卷 784-789页

作者：叶超宁兆元程珊华康健苏州大学物理系苏州215006

使用三氟甲烷和苯的混合气体 ,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0 11— 0 6 2之间的α C∶F薄膜 .研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响 ,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率 ,降低了薄膜的F/C比 ... 详细信息

使用三氟甲烷和苯的混合气体 ,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0 11— 0 6 2之间的α C∶F薄膜 .研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响 ,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率 ,降低了薄膜的F/C比 ,也降低了薄膜中CF和CF3 基团的密度 ,而使CF2 基团的密度保持不变 .在高微波功率下可以获得主要由CF2 基团和CC结构组成的α C∶F薄膜 .薄膜的介电频率关系 (1× 10 3 — 1× 10 6Hz)和损耗频率关系 (1× 10 2 — 1× 10 5Hz)均呈指数规律减小 ,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致 .α

关键词：氟化非晶碳薄膜键结构介电性质 ECRPECVD 沉积速率成分

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氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析

功能材料 2004年第3期35卷 338-340页

作者：叶超宁兆元程珊华辛煜许圣华苏州大学物理科学与技术学院江苏苏州215006

　研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a C∶F)薄膜的低频(102～106Hz)介电性质。发现a C∶F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变。结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中CC相对含量的增大是导... 详细信息

　研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a C∶F)薄膜的低频(102～106Hz)介电性质。发现a C∶F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变。结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中CC相对含量的增大是导致低频介电色散增强的原因,而C—F相对含量的增大则使低频介电色散减弱。

关键词：氟化非晶碳(α-C:F)薄膜介电色散键结构

微波输入功率引起a-C∶F薄膜交联结构的增强

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物理学报 2002年第11期51卷 2635-2639页

作者：黄松辛煜宁兆元程珊华陆新华苏州大学物理系苏州215006 苏州大学分析测试中心苏州215006

使用C2 H2 和CHF3 的混合气体 ,在改变微波功率的条件下 ,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法制备了氟化非晶碳薄膜 (a C∶F) .薄膜的傅里叶变换红外光谱分析结果表明 :薄膜中的CC与C—F键含量的比值随功率的增加而相应... 详细信息

使用C2 H2 和CHF3 的混合气体 ,在改变微波功率的条件下 ,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法制备了氟化非晶碳薄膜 (a C∶F) .薄膜的傅里叶变换红外光谱分析结果表明 :薄膜中的CC与C—F键含量的比值随功率的增加而相应地增大 ;借助于紫外可见光谱分析发现 ,薄膜的光学带隙随功率的增大而减小 .由此推断微波输入功率的提高有助于增强薄膜的交联结构 .a

关键词：微波输入功率 a-C:F薄膜交联结构氟化非晶碳薄膜傅里叶变换红外光谱 x射线光电子能谱