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  • 1 篇 国家统计局
  • 1 篇 数据显示
  • 1 篇 数据库建设
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  • 1 篇 光催化
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机构

  • 3 篇 有研半导体材料股...
  • 1 篇 有研半导体材料有...
  • 1 篇 北京有色金属研究...

作者

  • 5 篇 程凤伶
  • 3 篇 孙媛
  • 2 篇 郭希
  • 2 篇 吴晓
  • 1 篇 刘佐星
  • 1 篇 李耀东
  • 1 篇 周迎辉
  • 1 篇 石瑛
  • 1 篇 库黎明
  • 1 篇 张静
  • 1 篇 于晋京
  • 1 篇 张立
  • 1 篇 徐继平

语言

  • 5 篇 中文
检索条件"作者=程凤伶"
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电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布
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人工晶体学报 2016年 第9期45卷 2347-2351页
作者： 徐继平 程凤伶 有研半导体材料有限公司 北京100088
电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析。研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可... 详细信息
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ZnO空心纳米球的水热合成及其光催化性能表征
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材料导报 2013年 第6期27卷 1-4页
作者： 吴晓 郭希 孙媛 程凤伶 北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司 北京100088
以简单的无机锌盐、H2O2、氨水和去离子水作为反应前驱物,采用水热法在200℃合成了ZnO空心纳米球。利用XRD、TEM考察了反应时间和反应温度对产物组成及形貌的影响,并探讨了产物的形成机理。光催化性能研究表明,合成的ZnO空心纳米球具有... 详细信息
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半导体硅材料专利专题数据库建设——积极有效应对知识产权问题的有益尝试
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新材料产业 2009年 第9期 24-26页
作者： 程凤伶 石瑛 孙媛 有研半导体材料股份有限公司
绝大部分硅材料相关专利掌握在其他国家手中,这对中国企业造成了很大的专利壁垒。为了在市场竞争或出口贸易中避免侵权问题、应对纠纷.了解竞争对手的专利壁垒.建立硅材料专利专题数据库、做到知己知彼,是一个非常有意义的尝试。
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切割速度对硅片翘曲的影响
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半导体技术 2011年 第5期36卷 368-372页
作者： 张立 于晋京 李耀东 刘佐星 程凤伶 库黎明 有研半导体材料股份有限公司 北京100088
根据线切割机的工作原理,结合12英寸(1英寸=2.54 cm)单晶直径大、SiC磨削路线长和磨削发热量大的特点,制定了包括线速度、耗线量、砂浆温度、砂浆流量及各部分温度的工艺参数。根据单位时间内钢线的切割面积相等的理论设计了对称变化的... 详细信息
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企业科技统计工作浅析
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新材料产业 2011年 第12期 81-83页
作者： 孙媛 程凤伶 张静 周迎辉 吴晓 郭希 有研半导体材料股份有限公司
随着我国从制造大国向创造大国的迈进，科技创新已经成为企业发展的必由之路。国家统计局数据显示：2009年我国工业企业科技投入总额为3775．7亿元，
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