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多晶硅薄膜的工艺研究

材料热处理学报 2004年第4期25卷 4-6页

作者：王军祁康成成建波电子科技大学光电信息学院四川成都610054

研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数 ,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜。用X射线衍射仪 (XRD)和扫描电镜 (SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小。结果表明 :退火温度越高 ,退火时间越长 ,得到多晶硅薄膜的比例越高 ,晶粒也相... 详细信息

研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数 ,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜。用X射线衍射仪 (XRD)和扫描电镜 (SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小。结果表明 :退火温度越高 ,退火时间越长 ,得到多晶硅薄膜的比例越高 ,晶粒也相对较大 ;薄膜在 (111)方向上优先结晶 ,晶粒大小可以达到 1μm 。

关键词：多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 退火

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微推力测量中电磁力装置的性能优化

电子器件 2022年第5期45卷 1077-1081页

作者：李旭升祁康成王小菊王威屹谷增杰电子科技大学光电科学与工程学院四川成都611731 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室甘肃兰州730000

微推力测量系统对微推进器性能评估具有重要指导意义,而弱力补偿及标定作为微推力测量中的关键性环节,其稳定性、适用性、补偿精度等都直接影响最终的测量结果。针对现有电磁力标定装置输出不稳定,校准困难等问题,基于电磁力法,利用通... 详细信息

微推力测量系统对微推进器性能评估具有重要指导意义,而弱力补偿及标定作为微推力测量中的关键性环节,其稳定性、适用性、补偿精度等都直接影响最终的测量结果。针对现有电磁力标定装置输出不稳定,校准困难等问题,基于电磁力法,利用通电双线圈与永磁铁之间的相互作用力,设计了一款可封装为一体的弱力补偿装置。介绍了该电磁力装置的结构设计及优化;建立了数学模型以计算通电双线圈形成的磁场对磁芯的作用力;用Comsol仿真双线圈间的磁场分布,计算不同激励电流下磁芯的电磁力大小,并对仿真数据进行拟合分析得到电磁力的线性特性;应用精密电子天平搭建标定实验,标定数据通过最小二乘法进行线性拟合,得到决定系数为0.999,具有很好的线性特性。与仿真结果相比,效果理想,为后续微推力测量奠定了基础。

关键词：电磁力标定弱力补偿微推力测量

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无源OLEDs器件的设计和制作

光电子．激光 2004年第11期15卷 1315-1319页

作者：成建波蒋泉林祖伦陈文斌杨刚饶海波祁康成电子科技大学光电信息学院四川成都610054

对无源有机发光二极管器件(OLEDs)的众多问题,诸如交叉串扰、等效电路和电压降进行了定量分析;建立了计算无源OLEDs功耗的数学模型。与单屏驱动的OLEDs比较,采用双屏驱动可显著减小器件的功耗,主要原因是工作占空比提高了2倍。制作了2... 详细信息

对无源有机发光二极管器件(OLEDs)的众多问题,诸如交叉串扰、等效电路和电压降进行了定量分析;建立了计算无源OLEDs功耗的数学模型。与单屏驱动的OLEDs比较,采用双屏驱动可显著减小器件的功耗,主要原因是工作占空比提高了2倍。制作了2个绿色小分子OLEDs,二者的尺寸(64mm)和分辨率(128×64pixels)相同,但一个为单屏驱动,一个为双屏驱动。实验结果表明,当二者工作亮度均为100cd/m2时,采用双屏驱动的OLEDs的功耗比单屏驱动的降低了25%。

关键词： OLED 双屏功耗器件驱动有机发光二极管串扰无源制作分辨率

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场发射阵列阴极在行波管中的应用

电子器件 2006年第1期29卷 53-57页

作者：王小菊林祖伦祁康成电子科技大学光电信息学院成都610054

场发射阵列阴极应用于行波管的不足主要表现在:FEAs发射不稳定、阴极发射电流密度较低及电子束存在散焦的问题。分析了产生这些问题的主要原因,提出了相应的解决方案,主要包括:提高真空度,选择合适的发射体材料,增加电阻层等,以提高电... 详细信息

场发射阵列阴极应用于行波管的不足主要表现在:FEAs发射不稳定、阴极发射电流密度较低及电子束存在散焦的问题。分析了产生这些问题的主要原因,提出了相应的解决方案,主要包括:提高真空度,选择合适的发射体材料,增加电阻层等,以提高电子发射的稳定性;优化发射体结构参量,改善制作方法等,以增大阴极发射的电流密度;对电子枪结构进行修改,解决电子束散焦等问题。最后,概述了新型材料———碳纳米管在行波管中的应用现状,目前虽然还不成熟,却表现出了极大的潜力。

关键词：行波管场发射阵列碳纳米管

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六硼化镧材料的化学腐蚀工艺研究

电子器件 2006年第1期29卷 22-24页

作者：于海波林祖伦祁康成电子科技大学光电信息学院成都610054

目前,阴极发射体材料多存在逸出功大,可靠性及均匀性低,发射性能低、不能自动调节活性物质更替的速度等方面的问题。与之相比,六硼化镧既具有可恒定地维持一个活性阴极表面,同时具有高导电率和良好的热稳定性及化学稳定性,是作为阴极发... 详细信息

目前,阴极发射体材料多存在逸出功大,可靠性及均匀性低,发射性能低、不能自动调节活性物质更替的速度等方面的问题。与之相比,六硼化镧既具有可恒定地维持一个活性阴极表面,同时具有高导电率和良好的热稳定性及化学稳定性,是作为阴极发射体的理想材料[1]。而对六硼化镧的化学腐蚀在以其为阴极的阴极发射体制备工艺中起着至关重要的作用,本文简述了对材料的化学腐蚀工艺的初步研究,并得到了图形化的六硼化镧表面。

关键词：硼化镧单晶光刻化学腐蚀

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射频溅射法制取ZnS·Ag发光薄膜

真空科学与技术 1999年第3期19卷 196-200页

作者：成建波祁康成李军建电子科技大学光电子技术系成都610054

用烧结ZnS·Ag蓝色荧光粉靶在钇铝柘榴石单晶基片上射频溅射制取了ZnS·Ag蓝色发光薄膜。讨论了基片温度及放电气体中H2 S的含量对薄膜发光特性的影响。实验表明 ,基片加热温度应控制在 50 0℃左右 ,放电气体中H2 S含量应控制在 0 2 ... 详细信息

用烧结ZnS·Ag蓝色荧光粉靶在钇铝柘榴石单晶基片上射频溅射制取了ZnS·Ag蓝色发光薄膜。讨论了基片温度及放电气体中H2 S的含量对薄膜发光特性的影响。实验表明 ,基片加热温度应控制在 50 0℃左右 ,放电气体中H2 S含量应控制在 0 2 %左右 ,所制得的薄膜具有和P2 2 B1荧光粉相同的发光光谱。

关键词：钆铝柘榴石硫化锌银射频溅射发光薄膜

p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究

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功能材料 2007年第A1期38卷 25-28页

作者：张化福刘汉法祁康成山东理工大学物理与光电信息技术学院山东淄博255049 电子科技大学光电信息学院四川成都610054

以NH3和SiH4为反应源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（P-Si）衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对siN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的... 详细信息

以NH3和SiH4为反应源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（P-Si）衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对siN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的影响，在制备高质量的P-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。

关键词： PECVD SiN薄膜反应源气体流量比反应压强

射频溅射法制作Y_2O_2S∶Eu发光薄膜

维普期刊数据库评论

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真空科学与技术 2002年第3期22卷 202-204页

作者：成建波李军建祁康成电子科技大学成都610054

在钇铝石榴石单晶基片上用射频溅射法制取了Y2 O2 S∶Eu红色发光薄膜。利用正交试验法 ,对溅射气体 (Ar +H2 S)中H2 S浓度、退火气氛中SO2 与H2 的比例、退火温度和退火时间等工艺条件进行了优化试验。给出了实验结果并对其进行了讨论。

关键词： Y2O2S:Eu 发光薄膜射频溅射钇铝石榴石 CRT显示器件荧光材料

一种16位110 dB无杂散动态范围的低功耗SAR ADC

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电子科技大学学报 2024年第2期53卷 185-193页

作者：邢向龙王倩康成彭姜灵李清俞军复旦大学微电子学院上海200433 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200438

该文设计了一款16位、转换速率为625 kS/s的逐次逼近寄存器型模数转换器(SAR ADC)。改进的采样保持电路结构,优化了采样线性度和噪声性能。采用分段结构设计电容型数模转换器并使用混合方式的电容切换方案,减小面积和能耗。利用扰动注... 详细信息

该文设计了一款16位、转换速率为625 kS/s的逐次逼近寄存器型模数转换器(SAR ADC)。改进的采样保持电路结构,优化了采样线性度和噪声性能。采用分段结构设计电容型数模转换器并使用混合方式的电容切换方案,减小面积和能耗。利用扰动注入技术提升ADC的线性度。比较器采用两级积分型预放大器减小噪声,利用输出失调存储技术及优化的电路设计减小了比较器失调电压和失调校准引入的噪声,优化并提升了比较器速度。芯片采用CMOS 0.18μm工艺设计和流片,ADC核心面积为1.15 mm^(2)。测试结果表明,在1 kHz正弦信号输入下,ADC差分输入峰峰值幅度达8.8 V,信纳比为85.9 dB,无杂散动态范围为110 dB,微分非线性为-0.27/+0.32 LSB,积分非线性为-0.58/+0.53 LSB,功耗为4.31 mW。

关键词：模数转换器数模转换器低噪声比较器失调校准采样保持逐次逼近寄存器