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基于数字全息术研究磁场作用下316L不锈钢的点蚀过程

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基于数字全息术研究磁场作用下316L不锈钢的点蚀过程

作者：祁娇娇江苏师范大学

学位级别：硕士

316L不锈钢（SS）由于其优良的力学性能和抗腐蚀性能被广泛应用于食品工业、化工工业、钟表工业、航空航天、核电等领域。316L SS表面易形成一层致密氧化膜,在大多数环境中都具有耐蚀性,但它很容易被Cl等侵蚀性离子腐蚀。因此,研究316L... 详细信息

316L不锈钢（SS）由于其优良的力学性能和抗腐蚀性能被广泛应用于食品工业、化工工业、钟表工业、航空航天、核电等领域。316L SS表面易形成一层致密氧化膜,在大多数环境中都具有耐蚀性,但它很容易被Cl等侵蚀性离子腐蚀。因此,研究316L SS在不同环境中的局部腐蚀十分重要且必要。随着电气设施的普遍应用,工业环境中磁场随处可见。研究磁场对金属在不同体系、不同条件下腐蚀的影响,具有重大的工程应用价值。数字全息技术由于其成像速度快,记录和再现灵活被成功应用在金属腐蚀研究。本文旨在将数字全息术与电化学方法相结合,研究磁场作用下316L SS的点蚀过程,再配合扫描电子显微镜（SEM）等表面分析技术探讨磁场的作用机理。本文主要研究内容如下:1.磁场作用下316L SS在Cl和CO溶液中的点蚀动态过程将数字全息术与电化学方法相结合,实时、现场观察了有无磁场情况下316L SS在Cl和CO溶液中的点蚀动态过程。研究发现:无磁场作用下,在Cl和CO溶液中,碳酸盐膜在电极表面尤其是点蚀周围沉积,生成局部闭塞电池,使得点蚀中自催化酸化过程增强。外加磁场后,磁场增强了传质过程,阻碍了腐蚀产物在点蚀表面形成,点蚀较无磁场条件下蚀孔浅,半径大,数量多。2.磁场作用下316L SS在Br和CO溶液中的点蚀动态过程采用数字全息术结合电化学测试的方法,对316L SS有无磁场作用下在Br和CO溶液中的点蚀动态过程进行了现场观察。由于Br和CO之间的竞争性吸附作用,在溴化钠碳酸钠溶液中,点蚀的数量明显少于中性溴化钠和p H值与之相同的碱性溴化钠溶液中的点蚀数量。外加磁场后,洛仑兹力的作用增强了溶液的传质过程,点蚀横向发展,点蚀变浅。3.磁场作用下316L SS在Cl和NO溶液中的点蚀动态过程利用数字全息术分别观察了有无磁场作用下316L SS|NaCl+NaNO体系中电极|电解质界面上的动态变化过程。结果发现:由于Cl和NO存在竞争性吸附,因此含Cl溶液中加入NO会抑制点蚀的发生。外加磁场以后,洛仑兹力的作用降低了NO对Cl的竞争性吸附,NO对钝化膜的保护作用减弱,点蚀增强。

关键词：数字全息术 316L不锈钢点蚀磁场

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乔砧苹果拉枝刻芽效应研究

乔砧苹果拉枝刻芽效应研究

作者：祁娇娇河北农业大学

学位级别：硕士

整形修剪是苹果省力化栽培技术的重要环节，也是过去认为最复杂的技术环节，拉枝刻芽是现代整形修剪过程中的常用措施。为了更好地运用拉枝刻芽措施，完善苹果省力化栽培技术，于2011～2012年在河北省临城县南沟村，以河北绿森林果有限... 详细信息

整形修剪是苹果省力化栽培技术的重要环节，也是过去认为最复杂的技术环节，拉枝刻芽是现代整形修剪过程中的常用措施。为了更好地运用拉枝刻芽措施，完善苹果省力化栽培技术，于2011～2012年在河北省临城县南沟村，以河北绿森林果有限公司2007年春季栽植的‘烟富3’苹果树为试材，研究了乔砧苹果拉枝刻芽的效果及其生理效应。结果表明：1．刻芽处理枝条的平均萌芽率为74.57%，不刻芽处理枝条的平均萌芽率为44.12%，刻芽处理极显著高于不刻芽处理。各拉枝处理枝条中，拉枝90°刻芽处理和拉枝90°不刻芽处理枝条的萌芽率分别是76.32%和45.06%，分别是刻芽处理组和不刻芽处理组中最高值，拉枝135°处理次之，拉枝45°处理最低。2．刻芽处理枝条的平均成花率为14.12%，不刻芽处理枝条的平均成花率为8.29%，刻芽处理的平均成花率高于不刻芽处理，但差异不显著。不同拉枝角度中，拉枝135°刻芽处理、拉枝90°刻芽处理和拉枝45°刻芽处理成花率为17.87%、12.50%和5.00%，前二者无显著差异，均极显著高于拉枝45°处理枝条;不刻芽处理枝条有相同趋势。3．拉枝135°不刻芽、拉枝90°不刻芽、拉枝45°不刻芽处理和CK枝条上的新梢平均长度，分别为8.3cm、17.0cm、19.7cm、20.1cm，CK、拉枝45°不刻芽处理极显著高于其他两个处理，拉枝90°不刻芽处理极显著高于拉枝135°不刻芽处理;刻芽处理组与不刻芽处理组趋势相同。拉枝135°不刻芽处理和拉枝135°刻芽处理枝条的新梢平均长度为8.3cm和5.3cm，不刻芽处理极显著高于刻芽处理。4．6月份的日光合曲线呈单峰曲线，8:00左右出现峰值，此时，拉枝135°、拉枝90°、拉枝45°和CK处理枝条上叶片的净光合速率为6.29μmolCO2m-2·s-1、5.96μmol CO2m-2·s-1、4.77μmol CO2m-2·s-1和3.64μmol CO2m-2·s-1，拉枝135°、拉枝90°极显著高于拉枝45°和自然生长叶片。7月份的日光合曲线呈单峰曲线，拉枝45°处理和CK于10:00左右出现峰值，拉枝135°和拉枝90°处理于12:00左右出现峰值。10:00左右，拉枝90°处理枝条上叶片的净光合速率为4.50μmol CO2m-2·s-1，极显著低于其他处理。12:00时，拉枝135°处理枝条上叶片的净光合速率为7.97μmol CO2m-2·s-1，极显著高于其他处理。8月份的日光合曲线呈双峰曲线，拉枝90°处理和CK的第一个峰值出现在8:00左右，拉枝45°和拉枝135°处理于10:00左右出现第一个峰值。8:00时，拉枝135°处理枝条上叶片的净光合速率为4.11μmolCO2m-2·s-1，显著低于对照，与其他处理无显著差异。到14:00，拉枝135°、拉枝90°处理和对照到达第二个峰值，拉枝45°处理于16:00左右到达第二个峰值。在14:00，拉枝90°处理枝条上叶片的净光合速率为4.32μmol CO2m-2·s-1，极显著高于其他处理。6月，拉枝135°和拉枝90°的蒸腾速率分别为3.39mmol H2Om-2·s-1和3.13mmol H2Om-2·s-1，二者无显著差异，但拉枝135°的蒸腾速率极显著高于拉枝45°和CK。7月，拉枝135°枝条上叶片的蒸腾速率为6.56mmol H2Om-2·s-1，显著高于拉枝90°和CK。8月，拉枝90°枝条上叶片的蒸腾速率为5.33mmol H2Om-2·s-1，显著高于拉枝135°的4.68mmol H2Om-2·s-1，极显著高于拉枝45°和CK，拉枝135°枝条上叶片的蒸腾速率显著高于拉枝45°，极显著高于CK。5．1a生枝条中，拉枝135°处理枝条上叶片中的叶绿素a含量为23.45mg/g，极显著高于其他处理和CK，拉枝135°和拉枝90°处理枝条上叶片中的叶绿素b含量为5.89mg/g和5.46mg/g，极显著高于拉枝45°处理和CK。2a生枝条中，拉枝135°处理枝条上叶片中的叶绿素a含量为16.44mg/g、叶绿素b含量为4.39mg/g，都极显著低于其他处理和CK。6．拉枝45°刻芽和不刻芽处理枝条上芽中的GA3含量分别为550.727μg/g和51.365μg/g，IAA含量为0.703μg/g和0.543μg/g，ABA含量为6.589μg/g和0.865μg/g，刻芽处理枝条芽中的三种激素含量均极显著高于不刻芽处理。拉枝45°刻芽处理和拉枝45°不刻芽处理枝条上芽的GA3/ABA值为83.585、59.402，拉枝45°刻芽处理极显著高于拉枝45°不刻芽处理，拉枝90°刻芽处理和拉枝90°不刻芽处理枝条上芽的GA3/ABA值为2.7

关键词：乔砧苹果拉枝刻芽光合作用植物激素

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SOI高压薄层LDMOS可靠性的研究

SOI高压薄层LDMOS可靠性的研究

作者：祁娇娇电子科技大学

学位级别：硕士

由于SOI LDMOS器件具有开关速度快、功耗低、介质隔离性好以及易于集成等优点,在电子驱动、电源管理和汽车电子等领域得到广泛的应用。SOI LDMOS器件经常工作在高温、大电流等条件下,所以对器件的可靠性具有很高的要求。本文针对这一问... 详细信息

由于SOI LDMOS器件具有开关速度快、功耗低、介质隔离性好以及易于集成等优点,在电子驱动、电源管理和汽车电子等领域得到广泛的应用。SOI LDMOS器件经常工作在高温、大电流等条件下,所以对器件的可靠性具有很高的要求。本文针对这一问题,研究了SOI高压薄层p LDMOS和n LDMOS的可靠性。用KEITHLEY 4200-SCS半导体特性分析系统对器件进行应力测试,利用仿真软件Silvaco进行二维仿真,分析了器件的可靠性机制。主要研究内容如下:(1)SOI高压薄层场p LDMOS器件的可靠性机理本文从热载流注入效应、自热效应和界面电荷三个角度对SOI高压薄层pLDMOS器件的可靠性进行研究。高压应力测试结果显示器件的阈值和比导通电阻随着时间分别增大和减小。通过仿真和电荷泵测试,揭示了其退化机理。阈值退化的原因是沟道栅氧处产生界面态和界面电荷,而比导通电阻退化的原因是积累层场氧处产生了负的界面电荷。其次,研究了器件静态和动态自然效应。当器件处于开关态时,器件的晶格温度由器件开态维持的时间决定,工作几个脉冲周期后,器件的温度变化逐渐稳定。最后研究了不同位置的界面/氧化层电荷对器件击穿电压、阈值和比导通电阻的影响。(2)SOI高压薄层nLDMOS器件的可靠性机理研究了SOI高压薄层nLDMOS器件的耐压与漂移区浓度和埋氧层厚度的关系。通过对不同漂移区浓度和不同埋氧层厚度条件下器件的耐压分析,得到该结构中最优的漂移区浓度和埋氧层厚度。同样从静态自热效应和动态自热效应两个角度对nLDMOS器件的自热效应进行了仿真分析。对n LDMOS的热载流子效应也进行了测试和仿真分析。(3)减小热载流子注入的新结构研究LDMOS器件在沟道末端和漂移区均会发生热载流子注入效应,通过对器件热载流子效应的分析,提出了两种改变热载流子注入效应的结构。一种是在Corner引入轻掺杂的结构,一种是在Corner区使用高K介质层。从工艺兼容的角度考虑,在Corner引入轻掺杂的结构更为理想。

关键词： SOI LDMOS 可靠性自热效应热载流子注入

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不同电极尺寸对光电二极管电流的影响

激光与红外 2018年第8期48卷 1009-1013页

作者：祁娇娇赵凯华北光电技术研究所北京100015

基于Sentaurus TCAD软件对n-on-p型Hg_(1-x)Cd_xTe红外探测器器件结构进行建模,并在不同电极尺寸条件下对器件的光电流进行仿真。通过仿真发现随着像元电极尺寸的减小,光电二极管反向电流也逐渐减小。针对这一现象从金属层对冶金结电势... 详细信息

基于Sentaurus TCAD软件对n-on-p型Hg_(1-x)Cd_xTe红外探测器器件结构进行建模,并在不同电极尺寸条件下对器件的光电流进行仿真。通过仿真发现随着像元电极尺寸的减小,光电二极管反向电流也逐渐减小。针对这一现象从金属层对冶金结电势分布的影响和被吸收的光子数目Q两个角度进行了分析。金属层对半导体材料表面的电势分布具有调制作用,随着电极尺寸的减小,二极管的反向电流减小;随着像元电极尺寸的减小,被吸收的光子数目减小,导致光电二极管反向电流减小;以上两个方面都会引起光电二极管电流随着电极尺寸的减小而减小。

关键词： Hg1-xCdxTe 电极尺寸反向电流光电二极管

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材料形貌对碲镉汞红外焦平面器件性能的影响

红外技术 2022年第10期44卷 1033-1040页

作者：陈书真祁娇娇王丹程杰高华何斌华北光电技术研究所北京100015

碲镉汞材料表面的粗糙度对钝化膜层的质量、接触孔的光刻与刻蚀都有着显著的影响,研究其表面的粗糙度对器件性能的影响具有重要意义。在本文中,我们分别研究了碲镉汞的小平面形貌和台阶形貌对器件性能的影响,以及不同表面粗糙度的碲镉... 详细信息

碲镉汞材料表面的粗糙度对钝化膜层的质量、接触孔的光刻与刻蚀都有着显著的影响,研究其表面的粗糙度对器件性能的影响具有重要意义。在本文中,我们分别研究了碲镉汞的小平面形貌和台阶形貌对器件性能的影响,以及不同表面粗糙度的碲镉汞材料对器件制备工艺和最终性能的影响。研究表明,随着材料表面粗糙度的增加,钝化层的质量下降,接触孔的均匀性下降,且接触孔的形貌变差,I-V性能下降,最终导致器件的响应非均匀性增加,盲元数增加。

关键词：碲镉汞生长台阶粗糙度盲元率零偏阻抗响应非均匀性

数字全息技术研究磁场对316L不锈钢在NaCl溶液中点蚀过程的影响

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数字全息技术研究磁场对316L不锈钢在NaCl溶液中点蚀过程的影响

中国化学会第十四届全国电分析化学学术会议

作者：祁娇娇王超李亮江苏师范大学

316L不锈钢由于其优良的力学性能和抗腐蚀性能被广泛应用。然而在含Cl等侵蚀性离子的环境下,316L不锈钢溶液发生点蚀。金属的腐蚀常造成重大工程事故和人身伤亡,因此研究316L不锈钢的点蚀过程十分重要。国内外研究表明,有效的现场观测... 详细信息

316L不锈钢由于其优良的力学性能和抗腐蚀性能被广泛应用。然而在含Cl等侵蚀性离子的环境下,316L不锈钢溶液发生点蚀。金属的腐蚀常造成重大工程事故和人身伤亡,因此研究316L不锈钢的点蚀过程十分重要。国内外研究表明,有效的现场观测手段是研究316L不锈钢点蚀机理的有效途径之一。本文采用数字全息术和电化学测试技术相结合的方法,原位观测316L不锈钢点蚀过程中电极/溶液界面的动态变化,结合表面物理分析技术,研究了磁场对316L不锈钢在0.5M NaCl溶液中点蚀过程的影响。实验结果表明,磁场对316L不锈钢的点蚀过程起促进作用。

关键词： 316L不锈钢数字全息术磁场局部腐蚀 NaCl

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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碲镉汞红外探测器电极接触研究

激光与红外 2022年第1期52卷 71-75页

作者：何斌刘明宁提陈书真祁娇娇华北光电技术研究所北京100015

金属/碲镉汞电极接触是红外焦平面探测器的重要组成部分,对器件的性能与稳定性影响较大。然而在碲镉汞金属化过程中,金属离子能量较高将有可能对碲镉汞表面造成损伤。本文采用了离子束沉积系统生长金属电极,探究了束流、束压以及热处理... 详细信息

金属/碲镉汞电极接触是红外焦平面探测器的重要组成部分,对器件的性能与稳定性影响较大。然而在碲镉汞金属化过程中,金属离子能量较高将有可能对碲镉汞表面造成损伤。本文采用了离子束沉积系统生长金属电极,探究了束流、束压以及热处理等条件对碲镉汞红外探测器接触性能的影响。研究表明,碲镉汞在生长电极后表面会受到一定程度的损伤;随着离子能量的升高,对材料表面损伤加剧。在I-V曲线中,电极沉积损伤较大的器件表现出软击穿现象;在热处理后,在一定程度上可以修复电极沉积时能量过大造成的损伤,提高了电极接触性能。

关键词：碲镉汞离子束沉积电极接触热处理

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地面覆盖对核桃园地土壤理化性质的影响

水土保持学报 2014年第4期28卷 158-162,182页

作者：孙萌宋新英李保国齐国辉张雪梅祁娇娇牛宝清张彦坤河北农业大学林学院河北保定071000 河北省核桃工程技术研究中心河北临城053400 河北省野生动植物保护站河北石家庄050081

为了研究地面覆盖效应,采用田间试验的方法,于2011-2012年连续2年研究不同覆盖材料(牛粪、碎木屑、苜蓿)行内地面覆盖对核桃园地土壤含水量及理化性质影响,结果表明:2011年干旱季节的6月20日,覆盖牛粪、覆盖碎木屑、覆盖苜蓿以及对照(... 详细信息

为了研究地面覆盖效应,采用田间试验的方法,于2011-2012年连续2年研究不同覆盖材料(牛粪、碎木屑、苜蓿)行内地面覆盖对核桃园地土壤含水量及理化性质影响,结果表明:2011年干旱季节的6月20日,覆盖牛粪、覆盖碎木屑、覆盖苜蓿以及对照(采用传统施肥)0-20cm土层的土壤含水量分别为16.99%,15.59%,14.62%和14.05%;20-40cm土层的土壤含水量分别为13.62%,12.68%,11.57%和11.07%;各处理40-60cm土层的土壤含水量与对照的之间无显著差异。覆盖牛粪2年后0-20,20-40,40-60cm土层的土壤容重分别为1.24,1.32,1.43g/cm3,分别比覆盖前降低9.9%,7.7%,5.3%,在所有处理中下降幅度最大。覆盖牛粪2年后0-20,20-40,40-60cm土层的毛管孔隙度分别为36.67%,34.19%,32.80%,在所有处理中最高。覆盖牛粪2年后0-20cm土层土壤有机质含量为13.332g/kg,全氮含量为1.119g/kg,全磷含量为1.077g/kg,全钾含量为8.624g/kg,除全氮含量覆盖苜蓿处理显著高于覆盖牛粪外,其指标均为覆盖牛粪处理显著高于其他处理及对照。

关键词：核桃覆盖土壤理化性质

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Si基HgCdTe芯片钝化前表面清洗优化

清洗世界 2018年第2期34卷 20-23页

作者：祁娇娇宁提谢珩华北光电技术研究所北京100015

Si基HgCdTe表面钝化膜质量直接影响芯片的性能参数,而钝化前的表面清洗尤为重要。传统的表面清洗方式易对芯片表面造成损伤,且存在生产效率低、工艺重复性差等缺点。文中对芯片划片工艺后的表面残留物进行了分析,为去除芯片表面残留物... 详细信息

Si基HgCdTe表面钝化膜质量直接影响芯片的性能参数,而钝化前的表面清洗尤为重要。传统的表面清洗方式易对芯片表面造成损伤,且存在生产效率低、工艺重复性差等缺点。文中对芯片划片工艺后的表面残留物进行了分析,为去除芯片表面残留物寻找新的试剂,改善人工擦拭的清洗方式,制定了新的表面清洗工艺,并对传统清洗方式和优化后的清洗方式进行对比。实验证明,新的清洗方式不仅减少了芯片表面损伤,而且提高了工作效率和工艺的可重复性。

关键词： Si基HgCdTe 钝化表面清洗